检索结果-南通市图书馆

脉冲激光辐照对316L不锈钢重位点阵晶界的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表面技术 2019年第5期48卷 201-208页

作者：曲晓健杨占兵杨苏冰北京科技大学冶金与生态工程学院北京100083 北海道大学

目的提高316L不锈钢的重位点阵晶界比例,减少随机晶界的比例,改善材料的抗晶间腐蚀性能。方法选择合适的辐照温度,利用Nd:YAG激光器对SUS316L奥氏体不锈钢表面进行飞秒和纳秒激光辐照。通过电子背散射衍射技术分析辐照样品的晶界特征分... 详细信息

目的提高316L不锈钢的重位点阵晶界比例,减少随机晶界的比例,改善材料的抗晶间腐蚀性能。方法选择合适的辐照温度,利用Nd:YAG激光器对SUS316L奥氏体不锈钢表面进行飞秒和纳秒激光辐照。通过电子背散射衍射技术分析辐照样品的晶界特征分布,研究不同激光辐照条件对试样晶界的影响。此外,在透射电镜下,观察脉冲激光辐照样品中的晶体缺陷和Σ3晶界。结果相比于未辐照试样,723 K下飞秒激光辐照使试样的Σ3晶界比例增加2.88%,R晶界比例减少4.24%;723 K下纳秒激光辐照使试样的Σ3晶界比例增加10.78%,R晶界比例减少9.97%;773 K下纳秒激光辐照使试样的Σ3晶界比例增加12.52%,R晶界比例减少10.68%。在透射电镜下观察到,773K下脉冲激光辐照试样中存在大量的堆垛层错四面体,但在孪晶形核的"台阶"内部没有发现该类缺陷。结论重位点阵晶界比例的变化主要与晶界迁移和孪晶形成有关,其中脉冲激光辐照产生的能量为试样趋肤层的晶界迁移提供有利的条件,而辐照引起的晶体缺陷会促进晶界迁移过程中孪晶的形核和生长。

关键词：脉冲激光辐照晶界迁移孪晶 Σ3晶界层错四面体晶界特征分布

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

脉冲激光辐照GaAs材料热效应研究

光子学报 2014年第11期43卷 21-25页

作者：周海娇孙文军刘中洋哈尔滨师范大学物理与电子工程学院光电带隙材料教育部重点实验室黑龙江省先进功能材料与激发态重点实验室哈尔滨150025

为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了1 064nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料GaAs的热效应.通过求解热传导方程计算了不同功率密度激光辐照GaAs材... 详细信息

为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了1 064nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料GaAs的热效应.通过求解热传导方程计算了不同功率密度激光辐照GaAs材料的径向与纵向温度场分布,讨论了单光子吸收、双光子吸收及自由载流子吸收对辐照材料的温升贡献.计算结果表明:当激光功率密度升至1010 W/cm2,自由载流子对材料的温升贡献已超过单光子吸收对材料温升的贡献而占主导位置;当激光功率密度降至108 W/cm2以下时,两种非线性吸收对材料温升的贡献可以忽略.该结果与相关实验基本相符,表明了构建的物理模型具有科学性.

关键词：脉冲激光辐照温度场损伤阈值半导体材料单光子吸收双光子吸收自由载流子吸收

脉冲激光辐照ZrO_2涂层的18-8不锈钢快凝组织与精细结构

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

金属学报 2000年第3期36卷 239-242页

作者：武晓雷洪友士中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室北京100080

利用脉冲激光辐照研究超高温度梯度下表层预置ＺｒＯ２纳米颗粒涂层的１８－８奥氏体不锈钢的快凝组织形态、微结构特征及力学性质，结果表明，在表层约１５μｍ范围内形成Ｚｒ的合金化微区，Ｚｒ最大含量（原子分数）为４３．３％，... 详细信息

利用脉冲激光辐照研究超高温度梯度下表层预置ＺｒＯ２纳米颗粒涂层的１８－８奥氏体不锈钢的快凝组织形态、微结构特征及力学性质，结果表明，在表层约１５μｍ范围内形成Ｚｒ的合金化微区，Ｚｒ最大含量（原子分数）为４３．３％，但Ｚｒ成分分布存在不连续特征；预置纳米ＺｒＯ２陶瓷涂层明显提高了激光作用深度．超高温度梯度和高冷却速率显著细化了快凝亚组织并得到超细枝晶及胞晶，并观察到位错胞及栅栏李晶两类亚晶，而激光熔区的外延生长机制未使晶粒细化．激光辐照后，合金化区硬度增加而弹性模量降低，其余部分硬度增加而弹性模量无变化．

关键词：脉冲激光辐照快速凝固微观组织亚结构不锈钢

脉冲激光辐照CCD面阵探测器系统局部的干扰效应研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

应用激光 2001年第5期21卷 317-318,298页

作者：王世勇付有余郭劲中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光电部长春130022

采用脉冲激光对面阵 CCD探测器系统进行干扰 ,研究了脉冲激光辐照 CCD系统局部时 ,系统工作状态的变化 ,测量了 CCD探测器系统的饱和阈值范围 ,分析了饱和的原因。在实验中观察到“光饱和串音”现象 ,实验验证了不同干扰频率对

关键词：脉冲激光辐照电荷耦合器件面阵探测器干扰效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于有限元的脉冲激光辐照材料温度场研究

激光与红外 2015年第1期45卷 27-31页

作者：马健赵扬周凤艳孙继华刘帅郭锐宋江峰陈建伟山东省科学院激光研究所山东济南250014 山东省汽车工业集团有限公司山东济南250011

在激光超声检测过程中,为了合理加载脉冲激光的能量,以便获得幅值较大的超声波信号,同时避免脉冲激光造成材料的损伤,需要对脉冲激光辐照材料的温升进行数值计算。依据有限元理论,建立脉冲激光辐照材料的有限元模型,结合导热微分方程,... 详细信息

在激光超声检测过程中,为了合理加载脉冲激光的能量,以便获得幅值较大的超声波信号,同时避免脉冲激光造成材料的损伤,需要对脉冲激光辐照材料的温升进行数值计算。依据有限元理论,建立脉冲激光辐照材料的有限元模型,结合导热微分方程,将脉冲激光以热流密度的形式加载于材料表面,分析材料表层受激光辐照时的温度场,讨论有限元热分析时网格尺寸的选取对分析结果的影响。给出了材料表层受脉冲激光辐照时温度场的计算方法和网格尺寸的选择依据,并利用温度场的理论解析结果和应力场分析结果分别验证了温度场有限元计算方法的正确性和有效性。

关键词：温度场脉冲激光辐照激光超声有限元计算网格尺寸

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

大功率CO_2脉冲激光辐照掺锑、铝的研究

半导体技术 1996年第2期12卷 44-47页

作者：陈第虎魏爱香范安辅钟涛中山大学物理系四川大学物理系

采用电子束放电控制的ＣＯ２脉冲激光辐照单晶硅片掺入杂质锑、铝获得成功，并制成大面积ＰＮ结（Φ２０ｍｍ），发现了一种适合大功率ＣＯ２脉冲激光器应用于半导体掺杂新方法。通过卢瑟福背散射、阳极氧化等方法的研究，证明ＣＯ２脉... 详细信息

采用电子束放电控制的ＣＯ２脉冲激光辐照单晶硅片掺入杂质锑、铝获得成功，并制成大面积ＰＮ结（Φ２０ｍｍ），发现了一种适合大功率ＣＯ２脉冲激光器应用于半导体掺杂新方法。通过卢瑟福背散射、阳极氧化等方法的研究，证明ＣＯ２脉冲激光辐照在硅中掺杂形成的ＰＮ结是浅突变结，结深约为０．２～０．７μｍ。对硅片预热温度、激光重复脉冲次数等工艺条件进行了研究，并从理论上进行了掺杂机理的分析。

关键词：脉冲激光辐照 PN结激光诱导掺杂二氧化碳锑

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

脉冲激光辐照TiO_2材料损伤的数值计算

哈尔滨师范大学自然科学学报 2014年第1期30卷 26-29页

作者：刘中洋孙文军周海娇哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室黑龙江省先进功能材料与激发态重点实验室

构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的二维轴对称模型及热源模型,通过求解热传导方程计算了材料表面沿径向和纵向及材料表面中心的温度场分布.采用多物理场直接耦合分析软件COMSOL Multiphysics分析了1064 nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材... 详细信息

构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的二维轴对称模型及热源模型,通过求解热传导方程计算了材料表面沿径向和纵向及材料表面中心的温度场分布.采用多物理场直接耦合分析软件COMSOL Multiphysics分析了1064 nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料TiO2的温度场分布.分析单光子吸收与自由载流子吸收对材料温升的影响.结果表明,对于波长为1064 nm的脉冲激光辐照TiO2,当激光的峰值功率密度达到108W/cm2时,自由载流子吸收的作用已不可忽视.计算温度场时,应同时考虑两种吸收.

关键词：脉冲激光辐照半导体材料单光子吸收自由载流子吸收

激光辐射波长和脉冲寿命对碲化镉熔化阈值的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料导报 2024年第7期38卷 40-45页

作者：列维茨基·谢尔盖曹泽祥柯巴·亚历山大柯巴·玛丽亚乌克兰国家科学院半导体物理研究所基辅03028 乌克兰国立技术大学物理技术学院基辅03058 乌克兰国民警卫研究所国家安全系基辅03028

碲化镉的相对分子量为240,密度为5.885 g/cm^(3),熔点为1092℃。碲化镉是一种Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体材料,属于直接带隙型,带隙宽度为1.56 eV。碲化镉是制造X射线、伽马射线和红外线探测器的基本材料。对碲化镉的特别关注主要是由于其大... 详细信息

碲化镉的相对分子量为240,密度为5.885 g/cm^(3),熔点为1092℃。碲化镉是一种Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体材料,属于直接带隙型,带隙宽度为1.56 eV。碲化镉是制造X射线、伽马射线和红外线探测器的基本材料。对碲化镉的特别关注主要是由于其大原子数和大的光电吸收截面。在基于CdTe的伽马辐射势垒探测器结构中,其表面的处理方法之一是纳秒激光照射,在某些情况下,纳秒激光照射可以在触点(Ag、In、Au)和势垒形成的技术处理阶段优化所需的表面参数。另一种方法是在脉冲激光照射下在碲化镉表面形成有序的纳米结构。对基于半导体及其结构的脉冲激光器,可根据其不同的脉冲持续时间τ_(p)和辐射波长λ将其分类。例如,红宝石激光器(λ=694 nm)、钕激光器(一次谐波1064 nm和两次谐波532 nm)、准分子KrF激光器(248 nm)和XeF激光器(351 nm)等,其脉冲持续时间分别为7、20、80、120 ns。这些激光器常被应用于表面修饰等领域。因此,往往有必要事先知道或至少估计在脉冲激光辐射下碲化镉表面的熔化温度和阈值,这取决于激光脉冲持续时间τ_(p)、辐射波长(光吸收系数α(λ))以及碲化镉表面本身的电物理参数,特别是表面重组率S和非平衡电荷载流子的寿命。这些参数取决于表面处理的方法和掺杂物的浓度。在上述情况下,实验研究是非常耗费人力和时间的,因此基于τ_(p)、α(λ)和碲化镉表面本身的电物理参数对融化阈值th和表面温度进行理论计算变得非常重要。本工作采用激光照射碲化镉,辐射波长为300~800 nm,脉冲持续时间为7~120 ns。为了以非破坏性的和有效的方法来管理接近表面层状态的CdTe,在T=80 K下进行了光致发光实验。为了监测熔化阈值,研究了由Acrorad公司制造和抛光的尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm的Cl补偿p-CdTe(111)单晶的光致发光光谱。经过研究发现,在激光脉冲寿命从7ns到1μs的范围内,CdTe熔化阈值明显取决于光吸收系数α(λ)。因为在脉冲寿命长于1μs的情况下,热扩散深度明显大于CdTe中的激光辐射穿透深度,并开始依赖于反射系数R(λ)。对于较短的激光脉冲长度τ_(p),当辐射波长λ变化时,熔化阈值会发生显著变化。同时,非平衡过剩载流子参数的变化(如表面重组速度S从10^(3)m/s增加到10^(5)m/s,还有扩散深度LD从0.4μm增加到2μm)会对CdTe熔化阈值产生至少25%的影响。而且红宝石激光的脉冲持续时间在(20±5)ns区间内的变化导致相对熔化阈值的变化(ΔIth/Ith)为35%。CdTe熔化阈值的计算值可以有效地被用于优化脉冲激光对晶体的表面处理与掺杂。

关键词：碲化镉熔化阈值脉冲激光辐照半导体激光掺杂

激光辐射波长和脉冲寿命对碲化镉熔化阈值的影响（英文）

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

材料导报 2024年第7期 44-49页

作者：列维茨基·谢尔盖曹泽祥柯巴·亚历山大柯巴·玛丽亚乌克兰国家科学院半导体物理研究所乌克兰国立技术大学物理技术学院乌克兰国民警卫研究所国家安全系

碲化镉的相对分子量为240，密度为5.885 g/cm3，熔点为1 092℃。碲化镉是一种Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体材料，属于直接带隙型，带隙宽度为1.56 eV。碲化镉是制造X射线、伽马射线和红外线探测器的基本材料。对碲化镉的特别关注主要是由于其... 详细信息

碲化镉的相对分子量为240，密度为5.885 g/cm3，熔点为1 092℃。碲化镉是一种Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体材料，属于直接带隙型，带隙宽度为1.56 eV。碲化镉是制造X射线、伽马射线和红外线探测器的基本材料。对碲化镉的特别关注主要是由于其大原子数和大的光电吸收截面。在基于CdTe的伽马辐射势垒探测器结构中，其表面的处理方法之一是纳秒激光照射，在某些情况下，纳秒激光照射可以在触点(Ag、In、Au)和势垒形成的技术处理阶段优化所需的表面参数。另一种方法是在脉冲激光照射下在碲化镉表面形成有序的纳米结构。对基于半导体及其结构的脉冲激光器，可根据其不同的脉冲持续时间τp和辐射波长λ将其分类。例如，红宝石激光器(λ=694 nm)、钕激光器(一次谐波1 064 nm和两次谐波532 nm)、准分子KrF激光器(248 nm)和XeF激光器(351 nm)等，其脉冲持续时间分别为7、20、80、120 ns。这些激光器常被应用于表面修饰等领域。因此，往往有必要事先知道或至少估计在脉冲激光辐射下碲化镉表面的熔化温度和阈值，这取决于激光脉冲持续时间τp、辐射波长(光吸收系数α(λ))以及碲化镉表面本身的电物理参数，特别是表面重组率S和非平衡电荷载流子的寿命。这些参数取决于表面处理的方法和掺杂物的浓度。在上述情况下，实验研究是非常耗费人力和时间的，因此基于τp、α(λ)和碲化镉表面本身的电物理参数对融化阈值th和表面温度进行理论计算变得非常重要。本工作采用激光照射碲化镉，辐射波长为300～800 nm，脉冲持续时间为7～120 ns。为了以非破坏性的和有效的方法来管理接近表面层状态的CdTe，在T=80 K下进行了光致发光实验。为了监测熔化阈值，研究了由Acrorad公司制造和抛光的尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm的Cl补偿p-CdTe(111)单晶的光致发光光谱。经过研究发现，在激光脉冲寿命从7ns到1μs的范围内，CdTe熔化阈值明显取决于光吸收系数α(λ)。因为在脉冲寿命长于1μs的情况下，热扩散深度明显大于CdTe中的激光辐射穿透深度，并开始依赖于反射系数R(λ)。对于较短的激光脉冲长度τp，当辐射波长λ变化时，熔化阈值会发生显著变化。同时，非平衡过剩载流子参数的变化(如表面重组速度S从103m/s增加到105m/s，还有扩散深度LD从0.4μm增加到2μm)会对CdTe熔化阈值产生至少25%的影响。而且红宝石激光的脉冲持续时间在(20±5)ns区间内的变化导致相对熔化阈值的变化(ΔIth/Ith)为35%。CdTe熔化阈值的计算值可以有效地被用于优化脉冲激光对晶体的表面处理与掺杂。

关键词：碲化镉熔化阈值脉冲激光辐照半导体激光掺杂