检索结果-南通市图书馆

物理学报 2017年第24期66卷 161-169页

作者：张战刚雷志锋岳龙刘远何玉娟彭超师谦黄云恩云飞电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室工业和信息化部电子第五研究所广州510610

基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产... 详细信息

基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.

关键词：绝缘体上硅单粒子翻转二次电子能损歧离

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

先进工艺下低能质子诱导的SRAM单粒子效应研究

先进工艺下低能质子诱导的SRAM单粒子效应研究

引用

作者：张璐婕国防科技大学

学位级别：硕士

本文以28nm体硅SRAM和28nm FDSOI SRAM为研究对象,以辐照实验、建模仿真、理论分析为研究方法,探讨了低能质子诱导的单粒子效应。文章主要内容及创新点如下:（1）介绍了课题背景及国内外相关技术研究现状。制造工艺的发展使以往可以忽... 详细信息

本文以28nm体硅SRAM和28nm FDSOI SRAM为研究对象,以辐照实验、建模仿真、理论分析为研究方法,探讨了低能质子诱导的单粒子效应。文章主要内容及创新点如下:（1）介绍了课题背景及国内外相关技术研究现状。制造工艺的发展使以往可以忽略的问题变成亟待解决的挑战,必须对新涌现的问题开展机理研究。（2）研究了两款SRAM对低能质子的敏感性。开展了低能质子、高能质子辐照实验,结果显示FDSOI SRAM的翻转截面明显低于体硅SRAM;至少对于28nm FDSOI SRAM,低能质子的威胁还未严重到无法承受的地步。本文结论表明,前人关于SOI器件在被低能质子辐照时可能处于劣势的预测并不准确,至少在28nm工艺节点下,敏感体积依旧是影响芯片对低能质子敏感性的主导因素。（3）探索了能损歧离对低能质子诱导的单粒子翻转的影响,并分析了相关机理。通过对FDSOI SRAM开展辐照实验和Geant4仿真实验,发现低能质子诱导的单粒子翻转应当归因于能损歧离。这意味着对于先进SOI工艺,不能将LET作为评估质子对软错误率贡献的指标,否则会造成过于乐观的估计。鉴于太空中质子含量丰富,这种估计造成的误差很严重。最后,对纳米集成电路面临的困难做了梳理和展望。总之,本文的工作具有较强参考价值。尤其是对能损歧离的研究,为未来抗辐照机理创新提供了新视角。

关键词：低能质子 SRAM 单粒子效应 FDSOI工艺体硅工艺能损歧离

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：