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光学技术 2014年第3期40卷 245-248页

作者：潘继环苏安蒙成举河池学院物理与机电工程学院广西宜州546300

利用传输矩阵法理论,通过数值计算模拟的方法,研究双负介质对一维光子晶体透射能带谱的影响。结果表明:当C介质由双正介质变成双负介质时,光子晶体(CBAABC)n的禁带、能带和光子晶体(AB)m(CBAABC)n(BA)m的透射峰均出现明显的简并现象,即... 详细信息

利用传输矩阵法理论,通过数值计算模拟的方法,研究双负介质对一维光子晶体透射能带谱的影响。结果表明:当C介质由双正介质变成双负介质时,光子晶体(CBAABC)n的禁带、能带和光子晶体(AB)m(CBAABC)n(BA)m的透射峰均出现明显的简并现象,即前者相邻多禁带和多能带结构简并为较宽的单禁带和单能带结构,后者的透射峰由2n+1条简并成2n-1条;当双负介质C的光学厚度负值减小时,光子晶体(AB)m(CBAABC)n(BA)m的透射峰向禁带中心靠拢,出现简并趋势。双负介质对光子晶体透射能带谱的简并效应,为光子晶体设计光学滤波器件、光学开关等提供参考。

关键词：光子晶体双负介质能带谱简并

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线缺陷硅烯与应变石墨烯的量子输运研究

线缺陷硅烯与应变石墨烯的量子输运研究

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作者：万飞杭州电子科技大学

学位级别：硕士

基于硅烯与石墨烯两种二维材料,本文分别建立了线缺陷硅烯纳米条带和应变石墨烯谷调控两种模型,研究了“5-5-8”环线缺陷对硅烯纳米条带的能带和量子输运的调控,应变对石墨烯谷分离和谷输运的调控作用。对于线缺陷硅烯纳米条带模型,采... 详细信息

基于硅烯与石墨烯两种二维材料,本文分别建立了线缺陷硅烯纳米条带和应变石墨烯谷调控两种模型,研究了“5-5-8”环线缺陷对硅烯纳米条带的能带和量子输运的调控,应变对石墨烯谷分离和谷输运的调控作用。对于线缺陷硅烯纳米条带模型,采用紧束缚模型结合非平衡格林函数的方法,本文研究了亚晶格对称破缺的情况下,线缺陷硅烯纳米条带的输运性质和能带的调控性质。对于线缺陷硅烯体系,我们发现在体系的能带中,费米能级处会产生一条平带,这条平带会向下弯曲。体系的能带结构依赖于线缺陷与硅烯纳米条带边缘的距离。此外在外加电场的作用下,线缺陷的格点能对两种线缺陷构型的能带谱的影响是不同的。对于第一种线缺陷构型,不同的线缺陷格点能总是会引发一个带隙。然而,对于第二种线缺陷构型,体系存在无能隙态和带隙打开两种状态。通过改变线缺陷格点能、外加电场的方向来对这两种状态进行调控。包含零电导在内的电导变化趋势,可以从外加电场大小,线缺陷格点能和外加电场方向对能带谱的综合影响中得到很好的解释。因此,利用外加电场大小、线缺陷格点能和外加电场方向,可以简单有效地调控第二种线缺陷构型硅烯纳米条带输运性质和带隙性质。对于应变石墨烯谷调控模型,我们采用了紧束缚模型结合模式匹配的方法,研究了应变对石墨烯异质结能带结构和谷依赖输运性质的影响。研究表明,利用应变和石墨烯格点能可以很好地实现电子的谷分辨透射曲线分离。当中心散射区只有应变存在时,改变应变的拉伸幅度可以有效的调控谷分辨透射率,并且使两个不同的狄拉克能谷的电子分离。当中心散射区同时存在应变和格点能时,不仅K和K’谷的电子会沿相反的横向方向分裂成两个不同的谷透射波瓣,并且两个谷透射波瓣的偏转角也会伴随应变拉伸角度和拉伸幅度的变化,发生不同程度的偏转。因此,通过改变应变拉伸幅度、拉伸角度和石墨烯格点能可实现谷依赖输运的有效调控,这对于制作石墨烯谷电子器件提供了很好的理论模型。

关键词：线缺陷硅烯石墨烯应变能带谱量子输运

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一维周期和非周期体系的电子带谱及态密度

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湘潭大学自然科学学报 1993年第2期15卷 25-31,97页

作者：全宏俊颜家壬韶关大学物理系湘潭大学物理系

本文发展了一种重正化群方法,精确而系统地研究包含周期和非周期格子的一维体系的物理性质.该一体系的构造序列是选A、B两块并按膨胀规则{A、B}→{A^(m11)B^(m12),A^(m12)B^(m22)}排列成的.作为特例,计算了(M_(11),M_(12),M_(21),M_(22)... 详细信息

本文发展了一种重正化群方法,精确而系统地研究包含周期和非周期格子的一维体系的物理性质.该一体系的构造序列是选A、B两块并按膨胀规则{A、B}→{A^(m11)B^(m12),A^(m12)B^(m22)}排列成的.作为特例,计算了(M_(11),M_(12),M_(21),M_(22))=(1,1,1,0)(1,1,1,1)(1,2,1,1)和(2,1,1,1)几种一维格子的电子带谱和态密度,结果表明,较之其他方法,该方法具有系统性,而且分析结果与其他类似。

关键词：重正化群能带谱态密度准晶体

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