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抑制背景电流的红外焦平面单元读出电路

激光与红外 2015年第3期45卷 315-319页

作者：潘银松宋晓亮何晓龙麻银金重庆大学光电技术与系统教育部重点实验室重庆400044

随着非制冷红外焦平面阵列技术的发展,红外读出电路的设计变得越来越重要。设计了一种带有背景电流抑制功能的红外焦平面单元读出电路,该读出电路在改进后的第一代开关电流电路的基础上实现背景电流抑制功能。详细阐述了该系统电路的整... 详细信息

随着非制冷红外焦平面阵列技术的发展,红外读出电路的设计变得越来越重要。设计了一种带有背景电流抑制功能的红外焦平面单元读出电路,该读出电路在改进后的第一代开关电流电路的基础上实现背景电流抑制功能。详细阐述了该系统电路的整体架构和工作原理,并用Spectre仿真软件实现了电路的仿真。结果表明该方案可以抑制背景电流,实现红外读出功能。

关键词：非制冷红外焦平面阵列读出电路背景电流开关电流电路相关双采样

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人胎儿鼻咽上皮细胞的背景氯电流

生理学报 2005年第3期57卷 349-354页

作者：孙雪荣王立伟毛建文朱林燕聂思槐钟平陈丽新广东医学院生理学研究室湛江524023 广东医学院细胞生物学研究室湛江524023 中山大学医学院生理学教研室广州510089

采用膜片钳和图像分析技术,研究人胎儿鼻咽上皮细胞背景电流的特性及其与容积激活性氯电流的关系。在等张溶液中,可记录到一背景电流,该电流呈微弱的外向整流性,无明显时间依赖性失活,其翻转电位为(?0.73±1.7)mV(n=21),接近氯离子平衡... 详细信息

采用膜片钳和图像分析技术,研究人胎儿鼻咽上皮细胞背景电流的特性及其与容积激活性氯电流的关系。在等张溶液中,可记录到一背景电流,该电流呈微弱的外向整流性,无明显时间依赖性失活,其翻转电位为(?0.73±1.7)mV(n=21),接近氯离子平衡电位(?0.9mV)。细胞外高张刺激(440mOsmol/L)明显抑制此电流(59.6±7.1)%,而低张刺激(160mOsmol/L)则诱发细胞产生容积激活性氯电流。氯通道阻断剂tamoxifen和5-硝基-2-(3-苯丙胺基)苯甲酸[5-nitro-2-(3-phenylpropylamino)benzoicacid,NPPB]显著地抑制背景电流并使细胞基础容积增大。上述结果表明,人胎儿鼻咽上皮细胞的背景Cl?电流是背景电流的重要成分,此Cl?电流与容积激活性氯电流及细胞基础容积调节有关。

关键词：上皮细胞背景电流氯通道

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具有分时背景抑制功能的单元电路设计

激光与红外 2009年第11期39卷 1219-1222页

作者：周杨帆谢亮夏晓娟孙伟锋东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心江苏南京210096

介绍了一种具有分时背景抑制功能的单元电路,该单元电路适合于大规模2D红外焦平面阵列。在减电流电路设计中,自级联管采用长沟道设计,工作在强反型区,各单元电路的减去电流不易受到工艺偏差的影响,有效地降低了具有分时背景抑制功能的... 详细信息

介绍了一种具有分时背景抑制功能的单元电路,该单元电路适合于大规模2D红外焦平面阵列。在减电流电路设计中,自级联管采用长沟道设计,工作在强反型区,各单元电路的减去电流不易受到工艺偏差的影响,有效地降低了具有分时背景抑制功能的单元电路间的背景抑制非均匀性(BSUN)。在背景电流为100 nA,积分时间为2.7 ms,减去电流为3.28μA,构成自级联管的两个晶体管阈值电压的最大失配均为10 mV时,具有分时背景抑制功能的单元电路间的BSNU为3.310%。

关键词：背景抑制背景电流读出电路红外焦平面阵列

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多元探测器芯片测试系统设计

红外技术 2008年第5期30卷 297-300页

作者：林渊彭振宇郑宾电子测试技术国家重点实验室山西太原030051 中国空空导弹研究院河南洛阳471009

多元探测器芯片测试系统用于多元红外探测器晶片、芯片测试筛选。该设备主要检测晶片、芯片的背景电流、漏电流、动态阻抗和C-V特性等参数,使之满足探测器要求。该设备是各种焦平面阵列红外探测器研制生产的必需设备。论文设计了一套基... 详细信息

多元探测器芯片测试系统用于多元红外探测器晶片、芯片测试筛选。该设备主要检测晶片、芯片的背景电流、漏电流、动态阻抗和C-V特性等参数,使之满足探测器要求。该设备是各种焦平面阵列红外探测器研制生产的必需设备。论文设计了一套基于Agilent VEE开发环境的多元探测器芯片测试系统。实验表明,设备具有较好的测量精度,达到了预期的设计目标。

关键词：红外探测器背景电流漏电流动态阻抗 Agilent VEE

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GaAs基BIB探测器关键技术研究

GaAs基BIB探测器关键技术研究

作者：尚竞成杭州电子科技大学

学位级别：硕士

阻挡杂质带（BIB）太赫兹探测器对于空间太赫兹检测方面具有暗电流小、响应速率快、抗辐射机制优秀等长处。本文所讨论的台面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器,对于我国太赫兹探测领域的发展具有重要的意义。正文中首先对目前海内外太... 详细信息

阻挡杂质带（BIB）太赫兹探测器对于空间太赫兹检测方面具有暗电流小、响应速率快、抗辐射机制优秀等长处。本文所讨论的台面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器,对于我国太赫兹探测领域的发展具有重要的意义。正文中首先对目前海内外太赫兹技术、太赫兹检测技术的近况、对不同材料的BIB结构的太赫兹探测器进行了简要的说明。随后,本论文主要是围绕台面型Ga As基BIB太赫兹探测器的工作原理、器件制备、性能测试进行了系统探究。通过理论与实验结合的研究方式,探究并优化BIB探测器的关键性技术,包括热平衡下的载流子浓度、电场分布、光电机制等关键原理技术;砷化镓外延技术、砷化镓深刻蚀工艺、紫外曝光技术、离子注入实施、退火实施等关键制备技术;正常环境下300K室温下背景电流测试、屏蔽背景辐射在完全暗状态下的器件暗电流测试、器件标准黑体响应测试的关键性测试技术。1)基于半导体器件物理和光电器件理论,对BIB探测器的器件结构、热平衡载流子浓度、光电工作机制进行了理论探究和公式推演,BIB探测器中阻挡层的纯度和厚度对于抑制暗电流具有重要作用、吸收层中耗尽区的宽度是影响响应电流信号的关键因素,并且该区域是形成电流信号的主要的载流子来源。对于反应BIB器件性能的关键性能参数包括:量子效率、光电响应率、噪声等进行了简要说明。这对于进一步分析BIB结构模型的原理和设计优化具有一定的引导作用。2)基于外延工艺、离子注入工艺、光刻工艺、薄膜淀积等半导体工艺理论探究,制备出了台面型Ga As基BIB太赫兹探测器,并将制备过程中详细工艺参数进行了说明,并分别针对外延工艺、Ga As深刻蚀工艺、退火工艺、光刻工艺、欧姆电极制备工艺等进行了细致的优化研究确定出了行之有效的实行方案。3)对器件进行了3.5 K工作温度下,300 K背景辐射下,-5 V V偏压下的背景电流测试,并分析研究了其光电输运机理;对器件进行了3.5 K0 K温度范围内的变温暗电流测试,确定出在低于15 K工作温度下,正偏压低于1.2 V时的暗电流为10-13的数量级,并结合实验数据对暗电流伏安特征曲线的变化进行了理论探究,对前面的理论推演给出了实验数据的支持;对器件进行了3.5K工作温度下,1000K黑体辐射响应测试,计算得到峰值黑体响应率大约为24m A/W。研究结果为后期更深入的进行台面型Ga As基BIB太赫兹探测器的工作机理的探究、器件设计优化和测试优化具有理论指导和基础数据支持的作用。

关键词：太赫兹探测阻挡杂质带探测器砷化镓深刻蚀暗电流背景电流黑体响应

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示波极谱中斜坡电流的补偿与波高的测量

兰州大学学报 1977年第4期 39-46页

作者：罗长印孙秋萍

在电流—电压型示波极谱中,由于汞滴尺寸增长及其表面双层电容充电等的影响,造成背景电流(基线)的倾斜上升,该斜坡不能有效地消除,成为提高测量灵敏度的主要障碍。已往消除该电流影响的方法有两种,一种是直线斜坡补偿法,一种是示差法。... 详细信息

在电流—电压型示波极谱中,由于汞滴尺寸增长及其表面双层电容充电等的影响,造成背景电流(基线)的倾斜上升,该斜坡不能有效地消除,成为提高测量灵敏度的主要障碍。已往消除该电流影响的方法有两种,一种是直线斜坡补偿法,一种是示差法。因为实际斜坡是非线性的,所以前一方法并不理想,而后者虽好但操作不很方便,且对毛细管对称性要求苛刻。本文根据实验事实对极谱波形和背景电流进行

关键词：背景电流毛细管标准型波形钢管斜坡补偿波高极谱波峰点示波极谱

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激光增强电离光谱法及其在痕量分析中的应用

光谱学与光谱分析 1986年第4期 56-65页

作者：任玉林金钦汉吉林大学化学系

自从60年代初激光器问世以后,激光在分析化学中的应用就成了一个十分活跃的研究领域。激光拉曼光谱法、激光荧光光谱法、激光共振电离电谱法、激光腔内吸收光谱法、激光热度学分析法、激光增强电离光谱法等等许多高灵敏度方法相继建立,... 详细信息

自从60年代初激光器问世以后,激光在分析化学中的应用就成了一个十分活跃的研究领域。激光拉曼光谱法、激光荧光光谱法、激光共振电离电谱法、激光腔内吸收光谱法、激光热度学分析法、激光增强电离光谱法等等许多高灵敏度方法相继建立,以致实现了单原子的检测,达到化学分析方法的最高灵敏度。可调谐激光光源的使用,又使传统的光谱分析方法的选择性大大提高。激光的应用正在改变着整个分析化学的面貌。1976年***等人发展起来的激光

关键词：电离电位基体元素原子化器分步激发电离干扰共振线火焰温度正离子阳离子光谱干扰检出限背景电流激光增强电离光谱激光光谱法痕量分析常规分析

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碲镉汞短、中波红外凝视焦平面列阵

应用光学 1989年第6期10卷 21-29页

作者： Kadri Vural 郑开陵

一、概述短波(1～2.5μm)和中波(1～4.0μm和1～4.8μm)的64×64元混合焦平面列阵已研制成功。研制短波(SWIR)列阵是要用于一种试验性机载成象分光系统。中波(MWIR)列阵适用于战术导弹导引头和战略监视系统。探测器材料是在一块蓝宝石... 详细信息

一、概述短波(1～2.5μm)和中波(1～4.0μm和1～4.8μm)的64×64元混合焦平面列阵已研制成功。研制短波(SWIR)列阵是要用于一种试验性机载成象分光系统。中波(MWIR)列阵适用于战术导弹导引头和战略监视系统。探测器材料是在一块蓝宝石衬底上液相外延生长的碲镉汞。

关键词：焦平面碲镉汞短波红外液相外延生长战略监视系统背景电流导弹导引头噪声等效温差喷气推进实验室截止波长

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一种新颖的带背景抑制红外读出单元电路

电子器件 2011年第6期34卷 653-658页

作者：李牧杨淼宋文星周扬帆孙伟锋东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心。南京210096

设计了一种带新型背景抑制技术的红外读出电路,该电路通过控制开关管的导通与关断,使背景抑制电流源在积分过程中间断性地产生背景抑制电流。同时,背景抑制电流产生管工作在强反型区,减小了由工艺失配和噪声所引起的单元电路间背景抑制... 详细信息

设计了一种带新型背景抑制技术的红外读出电路,该电路通过控制开关管的导通与关断,使背景抑制电流源在积分过程中间断性地产生背景抑制电流。同时,背景抑制电流产生管工作在强反型区,减小了由工艺失配和噪声所引起的单元电路间背景抑制电流的变化,降低了电路的背景抑制非均匀性。所提出的读出电路基于CSMC DPTM(双晶三铝)0.5μm CMOS工艺进行了流片,测试结果表明:该读出电路的背景抑制非均匀性为1.23%,线性度为98.88%,背景电流为90.36 nA,最大信号电流为5.52 nA时,最大信噪比为63.24 dB。

关键词：红外焦平面阵列读出电路背景电流背景抑制