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用标记 Xe^+ 及背散射分析研究 Nb 的阳极氧化机理

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清华大学学报（自然科学版） 1997年第6期37卷 66-69页

作者：白新德甘东文周放尤引娟清华大学材料科学与工程系

用离子注入不同深度Ｘｅ原子标记法和卢瑟福背散射分析技术、Ｘ射线谱、Ａｕｇｅｒ电子谱法分析研究了Ｎｂ在质量分数ｗ为５％柠檬酸铵溶液中阳极氧化成膜机制，计算了不同阳极氧化电压下离子迁移数。结果表明阳极氧化膜主要是由于Ｎｂ... 详细信息

用离子注入不同深度Ｘｅ原子标记法和卢瑟福背散射分析技术、Ｘ射线谱、Ａｕｇｅｒ电子谱法分析研究了Ｎｂ在质量分数ｗ为５％柠檬酸铵溶液中阳极氧化成膜机制，计算了不同阳极氧化电压下离子迁移数。结果表明阳极氧化膜主要是由于Ｎｂ离子和Ｏ离子相向迁移，随着阳极氧化电压的升高，生成氧化膜的区域向外（溶液侧）迁移，氧化膜的成分是Ｎｂ２Ｏ５。

关键词：示踪技术阳极氧化背散射分析铌

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微束背散射分析元素微区分布的研究

核技术 1993年第10期16卷 597-601页

作者：陆荣荣王玟珉朱节清乐安全中国科学院上海原子核研究所上海201800

微束背散射分析元素微区分布的分析方法使上海原子核研究所的质子微探针能在微区内综合使用质子激发X射线荧光和背散射等多种核效应,为样品由轻元素到重元素的全面无损、双微(微区、微量)分析提供了依据。应用该方法还测量了Si_3N_4/Si... 详细信息

微束背散射分析元素微区分布的分析方法使上海原子核研究所的质子微探针能在微区内综合使用质子激发X射线荧光和背散射等多种核效应,为样品由轻元素到重元素的全面无损、双微(微区、微量)分析提供了依据。应用该方法还测量了Si_3N_4/SiC复合陶瓷材料,证明了该分析方法的可靠性。

关键词：质子微探针背散射分析元素分布

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金属中氦泡对背散射分析能谱的影响

核技术 2012年第4期35卷 270-274页

作者：李嘉庆何志江施立群复旦大学现代物理研究所上海200433

分别从理论和实验上研究了钛镆中氦泡演化对离子束背散射能谱(RBS)的影响。理论分析表明能谱的展宽除了受材料的能量阻止和多重散射效果及实验系统特性的影响外,氦泡也是一个重要的影响因素。理论上,当由离子束分析给出氦泡占材料的体... 详细信息

分别从理论和实验上研究了钛镆中氦泡演化对离子束背散射能谱(RBS)的影响。理论分析表明能谱的展宽除了受材料的能量阻止和多重散射效果及实验系统特性的影响外,氦泡也是一个重要的影响因素。理论上,当由离子束分析给出氦泡占材料的体积分数及氦泡引起的能散时,可计算出氦泡的尺寸和密度。实验结果显示了含氦钛镆RBS谱后沿随着氦浓度和退火温度的升高逐渐展宽,表明随着氦泡尺寸和浓度的变大,离子束分析能谱也不断展宽。这使在考虑了材料中氦泡的影响后,离子束分析能真实地反映材料的性质,同时也可从离子束分析得出材料中氦泡的演化信息。

关键词：背散射分析氦泡

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多元素样品背散射分析的解谱程序

核技术 1989年第2期12卷 99-104页

作者：李文治王宇崔福斋李恒德清华大学

本文介绍了一个根据RBS实验谱计算多元素样品表面层原子浓度的程序。讨论了计算模型的特征、程序的功能和应用范围。计算中,将被分析样品表示成一系列等厚的小薄层,从表面开始逐层计算。因此,可以很容易地得到多元素样品内的浓度-深度... 详细信息

本文介绍了一个根据RBS实验谱计算多元素样品表面层原子浓度的程序。讨论了计算模型的特征、程序的功能和应用范围。计算中,将被分析样品表示成一系列等厚的小薄层,从表面开始逐层计算。因此,可以很容易地得到多元素样品内的浓度-深度分布轮廓。本程序用BASIC语言编制并可在IBM微机上运行。操作时实现人机对话。现已有几个规范程序可供使用。这些规范程序既简单又可信。

关键词：背散射分析浓度深度分布程序设计

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高剂量Ti离子注入Fe的背散射分析

教学与研究 1992年第2期 71-74页

作者：杨建华李蓉蓉

LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告

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北京师范大学学报（自然科学版） 2002年第2期38卷 204-207页

作者：罗晏唐景庭李雪春卢志恒北京师范大学低能核物理研究所信息产业部电子第四十八研究所长沙410111 北京师范大学物理学系

报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合 ,成功地分离出注入的氧峰 .数据处理结果表明 ,氧注量的均匀性以标准偏差表示为 7.8% ,基本上达到了设计要求 .计算了注氧层和表面硅层的厚度 ,并且还对注量进行了校正 .

关键词： LC-14型强流氧注入机注入均匀性背散射分析 SOI材料

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二元合金或混合物靶背散射分析的几个实例

真空科学与技术学报 1988年第2期 122-128页

作者：李玉璞章其初刘家瑞中国科学院物理研究所北京钢铁学院物理化学系

一、引言卢瑟福背散射分析方法(RBS)是一种无损快速的表面(10(?)～10nm)分析技术。它能给出以下几方面的信息:1.表面薄层的厚度及元素组成;2.元素的含量,3.元素的深度分布剖面。所以它对薄膜材料的研究,提供了一种有效的分析手段。

关键词：背散射分析 Ni 元素对组份散射谱二元合金重元素离子束混合 Cr

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金属离子注入的背散射分析

北京航空航天大学学报 1981年第4期 149-157页

作者：戎霭伦张铨南姜骥凤王征祥北京航空学院北京航空学院副教授讲师

本文阐明用背散射进行物质分析的原理和实验方法。用1MeV的;He离子对钛合金注入銦离子的背散射谱进行了分析研究,证实离子注入有可能成为提高材料耐磨性的一种新方法。

关键词：背散射分析耐磨性力学性能离子铁基合金离子掺杂离子注入散射谱损失因子金硅面垒半导体探测器微分散射截面散射角

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硅薄氧化膜的背散射分析

半导体技术 1979年第Z1期 150-153页

用180千电子伏的质子和氦离子背散射测量了硅表面氧化层中每平方厘米的硅原子数和氧原子数以及表面其它杂质的沾污量,并对三种不同清洗工艺减薄氧化层的效果作了比较。氧化层测量范围从540埃到天然氧化膜,较厚的氧化层符合SiO;化学配比... 详细信息

用180千电子伏的质子和氦离子背散射测量了硅表面氧化层中每平方厘米的硅原子数和氧原子数以及表面其它杂质的沾污量,并对三种不同清洗工艺减薄氧化层的效果作了比较。氧化层测量范围从540埃到天然氧化膜,较厚的氧化层符合SiO;化学配比。随着厚度减薄,偏离SiO;配比变为富硅,最后趋向于SiO;组分。研究了位移原子和杂质原子对退道的影响,求得理想清洁硅表面的轴向的沟道极小值,它与理论计算结果符合。

关键词：硅原子氧原子氧化层厚度沾污背散射分析表面层硅表面