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辐照处理彩色钻石的缺陷中心及阴极发光谱

宝石和宝石学杂志 2000年第2期2卷 7-12页

作者：亓利剑杨勇罗永安向长金苑执中中国地质大学珠宝学院武汉 430074 四川核物理研究所，绵阳 610003 索斯达国际宝石顾问有限公司台湾

鉴于钻石的发光光谱与其吸收光谱之间存在镜对称关系这一性质，采用ＥＰＭＡ－阴极发光仪和阴极发光显微镜，对辐照处理彩色钻石的阴极发光及发光谱特征进行研究。结果表明，辐射处理彩钻多属复合发光，其发光色调、强度、谱位与钻石内... 详细信息

鉴于钻石的发光光谱与其吸收光谱之间存在镜对称关系这一性质，采用ＥＰＭＡ－阴极发光仪和阴极发光显微镜，对辐照处理彩色钻石的阴极发光及发光谱特征进行研究。结果表明，辐射处理彩钻多属复合发光，其发光色调、强度、谱位与钻石内部杂质氮、氢原子、塑性形变、辐射损伤等缺陷中心密切相关。在发光线系组合中，除Ｎ２，Ｎ３氮原子心和５９５，ＧＲ１（７４１）辐射损伤心外，还存在由钻石晶格自振动产生的晶格振动心，另出现的５１５，５１７，５１９心推测属一组新的辐射损伤发光线系组合，ＮＤ１（３８８）心的鉴定意义有待进一步验证。依据分析结果，提出５７５发光带系主要归因塑性形变而产生的｛１１１｝滑移面（线）所致。

关键词：阴极发光谱辐照改色彩色钻石缺陷中心

RbCdF_3: Fe^(3+)和CsCdF_3: Fe^(3+)晶体中Fe^(3+)-Li^+缺陷中心结构研究

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四川师范大学学报（自然科学版） 1997年第3期20卷 62-66页

作者：蒋德琼李敏惠余万伦四川师范大学物理系

本文计算了掺入三价Ｆｅ３＋离子和Ｌｉ＋杂质后，晶体ＲｂＣｄＦ３和ＣｓＣｄＦ３中的Ｆｅ３＋－Ｌｉ＋缺陷中心的零场分裂参量，微扰计算进行到第六阶．将计算值与实验值比较，确定了配体的位置。

关键词：畸变晶体缺陷中心 CsCdF3 RbCdF3 铁掺杂

Al^(3+)对Ge/Al-SiO_2薄膜光致发光的影响

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发光学报 2012年第1期33卷 32-35页

作者：陈虎王加贤华侨大学信息科学与工程学院福建厦门361021

采用磁控溅射及后退火技术制备了不同组份和不同退火温度的Ge、Al共掺SiO2薄膜。通过对样品的X射线光电子能谱(XPS)测试,确定了薄膜的成分和结构特征;同时还测试了样品的光致发光谱(PL谱),得到了峰值位于420 nm附近的紫光发射峰和峰值位... 详细信息

采用磁控溅射及后退火技术制备了不同组份和不同退火温度的Ge、Al共掺SiO2薄膜。通过对样品的X射线光电子能谱(XPS)测试,确定了薄膜的成分和结构特征;同时还测试了样品的光致发光谱(PL谱),得到了峰值位于420 nm附近的紫光发射峰和峰值位于470 nm的蓝光发射峰。实验结果表明,Al的掺杂不仅可以显著地提高GeNOV中心和SiNOV中心的光发射效率,还可以促进GeNOV缺陷和SiNOV缺陷中心的形成,进而有利于薄膜的光致发光。

关键词：光致发光 Ge/Al-SiO2薄膜缺陷中心磁控溅射

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高温氧化多孔硅的电子束辐照效应

发光学报 1996年第2期17卷 111-115页

作者：张学兵郭常新中国科学技术大学物理系

通过高温氧化处理得到的多孔硅，其阴极射线发光谱呈现明显的三峰结构．峰强随电子束辐照时间而下降．对光致发光很弱的样品，电子束辐照后光致发光明显地增强．红外透射谱及Ｒａｍａｎ谱分析表明样品基本上成为ＳｉＯｘ．进一步分析指... 详细信息

通过高温氧化处理得到的多孔硅，其阴极射线发光谱呈现明显的三峰结构．峰强随电子束辐照时间而下降．对光致发光很弱的样品，电子束辐照后光致发光明显地增强．红外透射谱及Ｒａｍａｎ谱分析表明样品基本上成为ＳｉＯｘ．进一步分析指出三峰可能来源于ＳｉＯｘ中的缺陷中心发光．电子束辐照在ＳｉＯｘ禁带中引进了一些缺陷能级，通过这些能级使得紫外线可激发样品发光，出现光致发光增强的现象．

关键词：多孔硅阴极射线发光高温氧化缺陷中心

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红外热成像缺陷检测的形态学处理方法研究

激光与红外 2009年第7期39卷 784-787页

作者：蔺翠田裕鹏南京航空航天大学自动化学院测试工程系江苏南京210016

采用形态学处理方法对所采集到的图像进行预处理,并与传统的预处理方法进行比较;同时提出了运用旋转跟踪法检测图像边缘的算法。结果显示这些方法能够有效地去噪、检测图像中的细节,定位准确、效率高。

关键词：形态学红外热成像缺陷检测缺陷中心

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热红外图像等温线温度场分割研究

科学技术与工程 2013年第2期21卷 491-494页

作者：王海元西京学院西安710123

为了改变传统电力设备检测方式,快速预测诊断出潜在故障的电力设备故障点,对采集到的电力设备热红外图像进行预处理和等温线温度场分割等关键技术,确定出热红外图像的缺陷中心位,为后期进行图像匹配,快速预测出电力设备故障点提供了良... 详细信息

为了改变传统电力设备检测方式,快速预测诊断出潜在故障的电力设备故障点,对采集到的电力设备热红外图像进行预处理和等温线温度场分割等关键技术,确定出热红外图像的缺陷中心位,为后期进行图像匹配,快速预测出电力设备故障点提供了良好的基础。经实践表明,研究方法达到了很好的实际效果,帮助变电站预测出了多处可能发生故障的电力设备,值得实际推广应用。

关键词：热红外图像缺陷中心等温线

PL and ESR study for defect centers in 4H-SiC induced by oxygen ion implantation

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Nuclear Science and Techniques 2017年第8期28卷 83-88页

作者： Guo-Dong Cheng Ye Chen Long Yan Rong-Fang Shen Key Laboratory of Polar Materials and Devices Ministry of Education of China East China Normal University Shanghai Institute of Applied Physics Chinese Academy of Sciences Jiading Campus

Radiation damage in 4H-SiC samples implanted by 70 keV oxygen ion beams was studied using photoluminescence and electron spin resonance techniques. ESR peak of g = 2.0053 and two zero-phonon lines were observed with the implanted samples. Combined with theoretical calculations, we found that the main defect in the implanted 4H-Si C samples was oxygen-vacancy complex. The calculated defect formation energies showed that the oxygen-vacancy centers were stable in n-type 4H-Si ***, the V_(Si)O_C^0 and V_(Si)O_C^(-1) centers were optically addressable. The results suggest promising spin coherence properties for quantum information science.

关键词： 4H-SiC 氧离子注入缺陷中心 ESR 电子自旋共振技术量子信息科学光致发光辐射损伤

Ge,Al共掺SiO_2薄膜的发光性能研究

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半导体技术 2012年第3期37卷 212-215,234页

作者：陈虎王加贤张培华侨大学信息科学与工程学院福建厦门361021

用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了... 详细信息

用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因。实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率。

关键词：光致发光 Ge Al共掺SiO2复合薄膜 PL谱缺陷中心磁控溅射

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掺锗光纤的紫外光敏特性

光通信技术 1996年第3期20卷 232-236页

作者：杨玲陈根祥梁毅简水生北方交通大学光波所

本文讨论了掺Ｇｅ光纤的紫外吸收谱、缺陷中心、光诱导双折射、光诱导折射率的改变以及增敏的方法，并对光诱导折射率的改变及双折射的起源作了分析。

关键词：掺锗光纤紫外吸收谱缺陷中心光诱导双折射