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绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术
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电力电子技术 2017年 第8期51卷 65-70页
作者: 黄森 王鑫华 康玄武 刘新宇 中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029
绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态... 详细信息
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Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响
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Journal of Semiconductors 1996年 第7期17卷 522-528页
作者: 牛蒙年 丁辛芳 童勤义 东南大学微电子中心 中科院上海冶金所传感技术国家重点实验室
在表面基模型理论基础上,本文研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体材料及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响.在硅醇基/胺基=7/3附近时,得到电解液一绝缘体(E-I)界面势对pH... 详细信息
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绝缘栅晶体管驱动电路研究
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电气自动化 1993年 第5期15卷 34-37,44页
作者: 沈国桥 林渭勋
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绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析
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半导体技术 1996年 第6期12卷 49-52页
作者: 张华 褚景凤 董利民 北京工业大学
通过对绝缘栅双极晶体管(IGBT)直流参数温度特性的测试分析并与VDMOSFET进行比较,从中得出IGBT能够承受更大的电流密度,其导通压降在高温下较之VDMOSFET有较大的优势。
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800V/10A和1200V/6A绝缘栅双极晶体管的研制
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微电子学与计算机 1994年 第2期11卷 54-56页
作者: 袁寿财 王晓宝 刘玉书 西安电力电子技术研究所
本文简单介绍了800V/10A和1200V/A绝缘栅双极晶体管(IGBT)的研制.重点介绍工艺过程和测试结果.
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热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨
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半导体技术 1989年 第1期5卷 39-43页
作者: 齐呜 罗晋生 崔吾元 黄强 西安交通大学电子工程系 渭南师范专科学校化学系
本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H^+-ISFET,其在pH值为2~13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6~47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H^+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以Si... 详细信息
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电力电子器件绝缘栅─双极晶体管及其应用
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电测与仪表 1997年 第10期34卷 45-48页
作者: 李萌金 艾诺仪器有限公司
IGBT(绝缘栅-双极晶体管)是种新型的大功率复合开关器件。本文介绍了IGBT的特性及其在安全性能测试仪中的具体应用。
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动与保护
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火控雷达技术 1996年 第3期25卷 26-31页
作者: 史平君 西安电子工程研究所 西安710100
在介绍IGBT结构原理及特点的基础上,讨论了设计IGBT驱动电路应考虑的问题和IGBT的过压和过流保护技术.在大功率高压开关电源中的应用证明,所设计的驱动保护电路性能良好.
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绝缘栅双极晶体管的原理与应用(上)
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电子与仪表 1995年 第3期 23-26页
作者: 刘定建 苗宏
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绝缘栅双极型晶体管IGBT
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河南机电高等专科学校学报 1995年 第1期3卷 58-61,64页
作者: 冯玉生
八十年代发展起来的新型复合器件——绝缘栅双极型晶体管IGBT,采用了双导电机制;它的输入级为一种利用MOS控的场效应晶体管,具有MOSFET的高输入阻抗和电压控制的特性;输出级为双极型功率晶体管GTR,具有输出阻抗低和电流密度大的特点,... 详细信息
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