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主题

  • 1 篇 阈值电压解析模型
  • 1 篇 应变硅
  • 1 篇 绝缘层上硅锗
  • 1 篇 p型金属氧化物场效...

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 刘冰洁
  • 1 篇 尹湘坤
  • 1 篇 郝跃
  • 1 篇 刘红侠

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=绝缘层上硅锗"
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应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型
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物理学报 2010年 第12期59卷 8877-8882页
作者： 刘红侠 尹湘坤 刘冰洁 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET... 详细信息
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