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BF_2^+注入束的沾污和对结深的影响

Journal of Semiconductors 1990年第4期11卷 294-300页

作者：李金华邹世昌常州半导体厂中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室

注入系统中剩余气体分子与B_2^+离子的碰撞,造成了不同能量的BF^+,F^+、B^+离子束对BF_2^+注入束的沾污。注入样品的SIMS分析结果和理论计算都证明,这种沾污使BF_2^+注入的结深明显增加,不利于浅结的制备。用静电束过滤器可部分消除这... 详细信息

注入系统中剩余气体分子与B_2^+离子的碰撞,造成了不同能量的BF^+,F^+、B^+离子束对BF_2^+注入束的沾污。注入样品的SIMS分析结果和理论计算都证明,这种沾污使BF_2^+注入的结深明显增加,不利于浅结的制备。用静电束过滤器可部分消除这些沾污束,在先加速后分析的注入机中,也未观察到BF_2^+束的沾污。此外,提高系统真空度会明显降低沾污峰的强度。

关键词：离子注入离子束结深 BF2^+ 沾污

退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

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红外与激光工程 2012年第2期41卷 279-283页

作者：邓洪海魏鹏朱耀明李淘夏辉邵秀梅李雪缪国庆张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。

关键词：快速热退火 Zn扩散结深 InGaAs

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单晶硅太阳电池发射区结构设计与工艺优化

材料导报 2016年第6期30卷 28-32页

作者：周涛刘聪陆晓东吴元庆夏婷婷渤海大学新能源学院锦州121000 中利腾晖光伏科技有限公司常熟215542

首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标，对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。... 详细信息

首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标，对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。仿真结果表明，发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响。当发射区表面浓度为5×10^20cm^-3，结深为0．1μm时，太阳电池转换效率最高，可达20．39％。若采用热扩散工艺制备发射区，扩散温度范围为825～850℃，扩散时间范围为10～20min；若采用离子注入工艺制备发射区，当注入剂量为1×10^17cm^-2，注入能量为5keV时，退火温度范围为850～875℃，退火时间范围为5～15min。

关键词：单晶硅太阳电池发射区表面浓度结深扩散离子注入转换效率

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二次硼离子热扩散制作微电阻

浙江大学学报（工学版） 2005年第4期39卷 471-474页

作者：黄腾超沈亦兵侯西云浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室浙江杭州310027

为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的,利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算... 详细信息

为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的,利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算,建立了制备过程中硅基底中的硼离子的空间浓度分布的理论模型,优化了二次硼扩散工艺条件.盘旋形的电阻形状设计提供了良好的温度控制和热量利用率,加热温度可以从室温一直加热至200℃.测量得到了电阻的有效结深及方块电阻,实验结果表明,电阻内部扩散区域的结深非常浅,硼离子掺杂浓度非常高,与理论模拟基本吻合.

关键词：硼扩散硅微晶玻璃微电阻结深方块电阻

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SiN_x烧穿工艺下硅太阳电池结构研究

太阳能学报 2005年第4期26卷 585-588页

作者：赵亮周之斌崔容强丁尔峰孟凡英于化丛上海交通大学物理系太阳能研究所上海200240

介绍了在全国产设备构成的中试线上开展的高效单晶硅太阳电池研究工作,并制备出了最高转换效率达15．7％的单体电池(面积103×103mm2)。实验采用PECVD方法制备SiNx减反、钝化薄膜,并采用正背面电极一次金属化烧结技术,同时完成氮化硅... 详细信息

介绍了在全国产设备构成的中试线上开展的高效单晶硅太阳电池研究工作,并制备出了最高转换效率达15．7％的单体电池(面积103×103mm2)。实验采用PECVD方法制备SiNx减反、钝化薄膜,并采用正背面电极一次金属化烧结技术,同时完成氮化硅薄膜烧穿工艺。实验还研究了PECVD硅烷与氨气流量比对SiNx钝化、光学和保护性质的影响。分析了氮化硅薄膜及简化新工艺与提高太阳电池效率的关系。实验最后采用化学染色法测量了太阳电池的p-n结结深,结果表明该太阳电池的p-n结为0．25μm的浅结,直接证明了SiNx薄膜对p-n结有良好的保护作用。

关键词：晶体硅太阳电池 SiNx薄膜烧穿化学染色结深

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高效背接触太阳电池反向热击穿特性研究

高技术通讯 2015年第12期25卷 1076-1082页

作者：周涛陆晓东吴元庆李媛渤海大学新能源学院锦州121000

基于非等温能量平衡传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触(IBC)单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电转换效率和反向热击穿特性对IBC太阳电池的性能进行综合评价。全面系统地分析了不同衬底电阻率、发射... 详细信息

基于非等温能量平衡传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触(IBC)单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电转换效率和反向热击穿特性对IBC太阳电池的性能进行综合评价。全面系统地分析了不同衬底电阻率、发射区表面浓度、发射结结深对IBC电池反向热击穿特性和转换效率的影响。借鉴双极功率半导体器件的抗二次击穿技术并应用于IBC电池,详细分析了发射区边缘刻蚀结构对IBC电池反向热击穿特性的影响。仿真结果表明:高晶硅衬底电阻率、低发射区表面浓度有利于改善IBC电池的反向热击穿特性,但不利于电池转换效率的提高。深结发射区不仅有利于改善IBC电池的热击穿特性,而且有利于电池转换效率的提高。当发射区边缘柱面结未被完全刻蚀时,不具有改善IBC电池反向热击穿特性的作用。当发射区边缘柱面结被完全刻蚀时,随着横向刻蚀距离的增大,热击穿临界电压增大。

关键词：背接触太阳电池电阻率发射区表面浓度结深刻蚀热击穿

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150元BCCPD线阵电荷耦合图象传感器

红外研究(A辑) 1985年第6期4卷 421-427页

作者：张忠堂汤学新张权董建民中国科学院上海技术物理研究所

本文报道了150元BCCPD线阵电荷耦合图象传感器的结构特点和工作原理;分析了反型层的杂质分布、最大沟道电势与注入剂量、氧化层厚度和栅压等之间的关系。选测了BCCPD的转移效率等性能。

关键词：电势分布 BCCPD 杂质分布反型层电荷线阵沟道氧化层表面层图象传感器结深

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同方期刊数据库

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扩展电阻法测量亚微米器件的结深和杂质分布

电子器件 1998年第3期21卷 141-148页

作者：张安康李文渊王健华陈明华东南大学无锡分校华晶公司

本文介绍了亚微米器件结深和杂质分布的测量方法，叙述了扩展电阻法测量结深的原理。

关键词：结深扩展电阻杂质分布 VLSI 亚微米器件

具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究

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电子元件与材料 2021年第2期40卷 119-123,149页

作者：刘晓忠汪再兴孙霞霞郑丽君高金辉兰州交通大学电子与信息工程学院甘肃兰州730070

场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构。分别仿真场限环结深... 详细信息

场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构。分别仿真场限环结深和漂移区掺杂浓度与主结的击穿电压的关系,得到结深和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系曲线。当漂移区掺杂浓度一定时,PiN二极管主结击穿电压随结深的增大而增大;当结深保持不变时,PiN二极管主结击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而减小。随后提取击穿时的电场分布,并分别从结表面和结曲面的峰值电场、电场分布均匀度两个方面分析击穿原理。

关键词： PiN二极管场限环击穿电压结深漂移区掺杂浓度电场分布