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制冷计算中的几个经验拟合公式

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制冷 1995年第3期14卷 54-58页

作者：关志强湛江水产学院食品与制冷工程系广东524025

本文采用数理统计方法对制冷计算中常用的几个参数进行数据拟合，分别得出描述实测值或图表数据与各个变量之间相关关系的经验拟合公式，为应用微型计算机进行制冷循环数值计算和制冷装置优化设计提供数学模型。

关键词：制冷计算经验拟合公式

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制冷计算中的几个经验拟合公式

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冷藏技术 1995年第2期18卷 9-13页

作者：关志强湛江水产学院食品与制冷工程系

一、前言在制冷计算中,往往通过查图表选取各种计算参数,这对于进行某一特定工况下的数值计算,不失为一种简易实用的方法。但是,在某些场合,要求我们动态地研究制冷系统的变工况特性和进行制冷装置的优化设计,这样。

关键词：制冷计算经验拟合公式制冷设备

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钨离子双电子复合过程的理论研究

钨离子双电子复合过程的理论研究

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作者：李麦娟西北师范大学

学位级别：硕士

双电子复合(DR)过程是电子和离子碰撞过程中最基本的物理过程之一，对等离子体的电离平衡的建立和维持以及对等离子体布居都起着主导作用，DR速率系数是研究稀薄等离子体粒子丰度分布必需的物理参数，对模拟磁约束等离子体有参考价值;... 详细信息

双电子复合(DR)过程是电子和离子碰撞过程中最基本的物理过程之一，对等离子体的电离平衡的建立和维持以及对等离子体布居都起着主导作用，DR速率系数是研究稀薄等离子体粒子丰度分布必需的物理参数，对模拟磁约束等离子体有参考价值;而且双电子伴线是等离子体温度诊断的重要手段。高精度的DR强度、速率系数以及截面是研究各种天体等离子体以及实验室等离子体和X射线激光的重要参数。在国际热核聚变实验反应堆(ITER)的设计更新中，钨将作为面壁材料，同时偏滤器也将完全采用钨材料。因此，对钨离子双电子复合(DR)过程的研究和分析有着很重要的实际应用价值。本论文在扭曲波近似下，利用相对论组态相互作用方法对等核系列钨离子的双电子复合过程进行了研究。利用相对论组态相互作用方法的(FAC)程序细致计算了类溴钨离子的DR速率系数，详细讨论了价、内壳层电子激发形成的自电离激发态对DR速率系数的贡献。在电子温度大于1.4eV，4p电子激发对DR速率系数的贡献最大，且在低温时4l壳层电子激发对DR速率系数的贡献，远大于3l壳层电子激发的贡献。随着温度的增加，3l壳层电子激发对DR速率系数的贡献逐渐增大，当电子温度到达750eV时，3l壳层电子激发对DR速率系数的贡献达到总DR速率系数的18%。所以在温度较高的等离子体环境中，3l激发的贡献必须予以考虑。随着电子温度的增加， n2芯激发的速率系数逐渐增大，最大可以达到总DR速率系数的23%。对于W离子，在低温区时，4l壳层电子激发的DR速率系数占主导地位，其中4s电子激发的速率系数最大。随着电子温度的升高，3l壳层电子激发的贡献逐渐增大，当电子温度kTe1250eV时，3d电子激发的速率系数的贡献大于4s电子激发的贡献。对于W离子，在中低温区，4l壳层电子激发的DR速率系数起主要作用，4p和4s电子激发的速率系数对总的DR速率系数的贡献相当。在中高温区，3l壳层电子激发的DR速率系数逐渐增大，其中，3d电子激发的最大贡献可达44%，3p激发的贡献可达19%。随着电子温度的增加， n2芯激发的速率系数也是不能忽略的，对于W和W离子来说， n2芯激发的速率系数最大贡献分别可达到总DR速率系数的26%和16%。

关键词：双电子复合速率系数截面相对论组态相互作用方法经验拟合公式

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高电荷态钨和氙离子双电子复合过程的理论研究

高电荷态钨和氙离子双电子复合过程的理论研究

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作者：张国鼎西北师范大学

学位级别：硕士

双电子复合(DR)过程作为重要的电子－离子非弹性碰撞现象之一，是实验室高温等离子体和天体等离子体中影响等离子体电离平衡的一种很重要的原子动力学过程，它对建立和维持等离子体的电离平衡以及离子激发态布居起着重要作用。高精度的D... 详细信息

双电子复合(DR)过程作为重要的电子－离子非弹性碰撞现象之一，是实验室高温等离子体和天体等离子体中影响等离子体电离平衡的一种很重要的原子动力学过程，它对建立和维持等离子体的电离平衡以及离子激发态布居起着重要作用。高精度的DR强度、截面以及速率系数是模拟和诊断各种天体等离子体、实验室等离子体以及研制X射线激光的重要参数。本文利用基于相对论组态相互作用方法的FAC程序包，对W4离子和W4离子以及Xe离子的双电子复合过程进行了研究。第一，对类镓W4离子的研究结果表明：在中低温时，4s电子激发对DR速率系数的贡献最大，并且4p,3d和3p壳层电子激发对其贡献也很重要。随着温度的增加，3l壳层电子激发对DR速率系数的贡献逐渐增大，逐渐超过4l壳层的贡献。对于3l壳层电子激发，3d电子激发的DR速率系数最大，3p激发次之，3s激发最小。在中高温时，△n=2芯激发的DR速率系数贡献也不能忽略，并且有外推发现n’=16-100的双激发态对DR速率系数的贡献也很重要，也不能被忽略。最后比较W4离子的总DR速率系数与TBR和RR速率系数大小发现，DR速率系数最大。第二，对类铜W4离子的DR速率系数和截面的研究结果表明：对于3s，3p和3d电子激发形成双激发态的DR速率系数，在l’>8时的贡献可以忽略。对于4s电子激发时，激发至5l和6l形成双激发态的DR速率系数，在l’>9时的贡献可以忽略，而激发至4l形成双激发态的DR速率系数，需要计算到l’=12。比较不同电子激发的DR速率系数发现内壳层3d和3p电子激发的贡献非常重要，△n=2芯激发的DR速率系数高温时贡献也不可忽略。对3d和3p激发至不同壳层的DR速率系数比较发现，激发至4l的DR速率系数给出主要贡献，但激发至5l的贡献也不能忽略。进一步分析了W4离子的DR截面，并且W4离子的总DR速率系数也大于TBR以及RR速率系数。第三，对Xe离子的DR速率系数计算结果表明：温度在10eV以上时，内壳层4p电子激发的双电子复合速率数对总双电子复合速率系数有很重要的贡献，而4s电子激发对总双电子复合速率数贡献小于7.5%。并且在10eV以上时，4d和4p电子激发至4f壳层的双电子复合速率系数最大。同时发现，△n=2的芯激发和n’＞15的DR速率系数对总DR速率系数的贡献也很重要。同样的，通过对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较得知，在温度高于1eV时，DR过程是Xe离子的主要复合过程。

关键词： W43+离子 W45+离子 Xe8+离子双电子复合速率系数截面相对论组态相互作用方法经验拟合公式

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高离化态钨离子双电子复合过程的相对论理论研究

高离化态钨离子双电子复合过程的相对论理论研究

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作者：张义钊西北师范大学

学位级别：硕士

双电子复合(DR)过程作为重要的电子-离子非弹性碰撞现象之一,是实验室高温等离子体和天体等离子体中影响等离子体电离平衡的一种很重要原子动力学过程,它对建立和维持等离子体的电离平衡以及对离子激发态布居起着主导作用。高精度的DR... 详细信息

双电子复合(DR)过程作为重要的电子-离子非弹性碰撞现象之一,是实验室高温等离子体和天体等离子体中影响等离子体电离平衡的一种很重要原子动力学过程,它对建立和维持等离子体的电离平衡以及对离子激发态布居起着主导作用。高精度的DR强度、截面以及速率系数是模拟和诊断各种天体等离子体及实验室等离子体和研制X射线激光的重要参数。在国际热核聚变实验反应堆(ITER)的设计中,偏滤器将完全采用钨材料。而在偏滤器等离子体的辐射冷却过程中,复合过程是高离化态钨离子辐射损失的重要原因。同时,钨还将用作等离子体诊断探针元素。因此,对钨离子双电子复合(DR)过程的研究有很重要的实际应用价值。本文利用相对论组态相互作用方法对等核系列钨离子的双电子复合过程进行了研究。对类铷W离子的研究结果表明:在电子温度为1eV-5×10eV范围内,4p电子激发对DR速率系数的贡献最大,且4l壳层电子激发对DR速率系数的贡献在低温时,远大于3l壳层电子激发的贡献,随着温度的增加,3l壳层电子激发对DR速率系数的贡献逐渐增大,当电子温度到达650 eV时,3l壳层电子激发对DR速率系数的贡献达到总DR速率系数的12.5%。所以在温度较高的等离子体环境中,3l激发的贡献必须予以考虑。随着温度的增加,Δn= 2芯激发的DR速率系数逐渐增大,最大可以达到总DR速率系数的22%。对于W,W和W离子的研究结果表明:对于W离子,在电子温度kT>5eV时,3d电子激发的贡献最大。对于W离子,在中低温时4s电子激发的贡献最大,在较高温时3d电子激发的贡献最大。对于W离子,4p电子激发的DR速率系数始终最大,在高温时3d电子激发的贡献接近4p电子激发的贡献。随着温度的增加,W,W和W离子芯激发的DR速率系数逐渐增大,最大分别可达到总DR速率系数的26%,22.5%和21%。

关键词：高离化态离子双电子复合速率系数截面相对论组态相互作用方法外推方法经验拟合公式

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