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吸收对准相位匹配线性电光效应的影响(英文)

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深圳大学学报（理工版） 2010年第2期27卷 152-156页

作者：郑国梁欧阳征标徐世祥深圳大学电子科学与技术学院深圳518060 深圳市微纳光子信息技术重点实验室深圳518060

研究吸收对准相位匹配线性电光效应的影响,得到适用于吸收介质的准相位匹配线性电光效应的耦合波方程及其解析解.计算结果表明,吸收不但削弱光的强度,且影响o光与e光之间的电光耦合.当o光与e光的吸收系数不同时,由于它们之间的电光耦合... 详细信息

研究吸收对准相位匹配线性电光效应的影响,得到适用于吸收介质的准相位匹配线性电光效应的耦合波方程及其解析解.计算结果表明,吸收不但削弱光的强度,且影响o光与e光之间的电光耦合.当o光与e光的吸收系数不同时,由于它们之间的电光耦合,总输出光强随外加电场变化而变化.研究结果可用于吸收介质的电光器件设计.

关键词：非线性光学线性电光效应吸收介质准相位匹配耦合波理论光电器件设计

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量子阱、超晶格结构的线性电光效应研究进展

物理学进展 2004年第3期24卷 325-335页

作者：赵雷左玉华王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

　本文综合比较了各种用以解释量子阱、超晶格结构线性电光效应(LEO)的理论和模型,如:EFT理论,GBC理论,HBF模型等;并按三种量子阱结构:阱区和势垒层具有一种相同原子的I型量子阱(CA QWs)、阱区和势垒层不具有相同原子的I型量子阱(NCA Q... 详细信息

　本文综合比较了各种用以解释量子阱、超晶格结构线性电光效应(LEO)的理论和模型,如:EFT理论,GBC理论,HBF模型等;并按三种量子阱结构:阱区和势垒层具有一种相同原子的I型量子阱(CA QWs)、阱区和势垒层不具有相同原子的I型量子阱(NCA QWs)以及II型量子阱,给出了具体的量子阱超晶格结构线性电光效应的研究现状;最后总结了目前硅基量子阱、超晶格LEO的一些研究结果,并分析指出了对其作进一步研究的发展方向。

关键词：半导体量子器件量子阱超晶格结构线性电光效应

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偏振态对准相位匹配线性电光效应的影响

应用光学 2010年第4期31卷 666-671页

作者：郑国梁欧阳征标徐世祥深圳大学电子科学与技术学院广东深圳518060 深圳市微纳光子信息技术重点实验室广东深圳518060

系统研究入射光为不同偏振态时的准相位匹配线性电光效应。在准相位匹配条件满足时,若入射光为线偏振光,则o光与e光能够彻底耦合,出射光仍为线偏振光,且其偏振方向可以通过外加电场调节到任意角度;若入射光为椭圆偏振光,则o光与e光不能... 详细信息

系统研究入射光为不同偏振态时的准相位匹配线性电光效应。在准相位匹配条件满足时,若入射光为线偏振光,则o光与e光能够彻底耦合,出射光仍为线偏振光,且其偏振方向可以通过外加电场调节到任意角度;若入射光为椭圆偏振光,则o光与e光不能彻底耦合,输出光为与输入光同椭圆率的椭圆偏振光,其椭圆方位角可以通过调节外加电场旋转到任意角度;若入射光为圆偏振光,则o光与e光之间没有能量耦合,输出光仍为圆偏振光。准相位匹配条件满足的线性电光效应在保偏的偏振旋转器中有重要应用。在准相位匹配条件不满足时,o光与e光由于相位失配而没有能量耦合,输出光的偏振态取决于o光与e光的初始相位差和双折射(自然双折射和电光双折射)引起的附加相位差,特别是极化占空比为0.5时,电光效应引起的双折射总效果为零。

关键词：线性电光效应准相位匹配偏振态耦合波理论周期性极化铌酸锂

基于场致线性电光效应硅基电光调制器的初步设计与研制

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基于场致线性电光效应硅基电光调制器的初步设计与研制

作者：牟晋博吉林大学

学位级别：硕士

本论文分析了硅材料中场致线性电光效应和等离子色散效应的物理机制，并采用一种横向电光调制系统对两种效应进行了实验测量和区分，实验结果表明在近本征硅材料中，场致线性电光效应是主要的电光响应机制，为此，我们尝试以场致线性电... 详细信息

本论文分析了硅材料中场致线性电光效应和等离子色散效应的物理机制，并采用一种横向电光调制系统对两种效应进行了实验测量和区分，实验结果表明在近本征硅材料中，场致线性电光效应是主要的电光响应机制，为此，我们尝试以场致线性电光效应为工作机制，设计和研制硅基场致电光调制器的原型器件。首先，我们采用Optiwave BPM软件，结合有效折射率法对硅基场致电光调制器进行了设计与模拟，调制器采用Mach-Zender (MZ)干涉结构，重点模拟与分析了调制器的波导尺寸和耦合结构对插入损耗的影响，在此基础上，设计了光刻版图，运用传统半导体工艺研制了硅基电光调制器的原型器件，并对调制器的基本参数进行了简单测试。本项研究工作为研究和改善硅基电光器件提供了一种新思路。

关键词：硅基光电子学线性电光效应有效折射率法光束传播法硅基调制器

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基于线性电光效应对硅界面场的测量方法研究

基于线性电光效应对硅界面场的测量方法研究

作者：赵晓伟内蒙古工业大学

学位级别：硕士

硅材料是目前在集成器件、大规模集成电路中发挥重要作用的一种材料。因为其原料丰富,价格低廉,物理性质较稳定的特点,使得它的利用率越来越高,于是硅材料及其器件性能的检测方法也成为了一个重要的研究内容。另一方面,研究发现利用强... 详细信息

硅材料是目前在集成器件、大规模集成电路中发挥重要作用的一种材料。因为其原料丰富,价格低廉,物理性质较稳定的特点,使得它的利用率越来越高,于是硅材料及其器件性能的检测方法也成为了一个重要的研究内容。另一方面,研究发现利用强作用场可以破坏其对称性,使其产生线性电光效应,此发现在光通信领域已经得到了广泛的研究与应用。在本文中我们将利用硅电光效应与电场以及应力场的对应关系,基于线性电光效应,提出一种对硅材料上电场以及应力的大小及分布的电光检测方案,并对其进行了实验验证。具体结论如下:(1)利用理论计算得到线性电光效应与硅材料表面及界面处电场的对应关系,并利用此关系通过测量硅界面处空间电荷区中的电光信号计算了其内建电场的大小及分布以及在外加直流电场下的改变情况。通过与肖特基势垒中电场分布的理论值比较发现,我们所提出的这种方法与理论有很好的符合,具有实用性,为测量硅器件内部电场分布提出了一种新的方法。(2)理论总结了线性电光效应与应力场的对应关系,并利用自制的应力施加装置对片状硅材料中心点处连续施加单轴应力,通过测量应变硅材料的电光信号,验证了理论分析与实验相符合。(3)在此基础之上,我们利用此方法测量了氧化层厚度为4nm的Si/SiO界面处应力场分布及大小,实验结果显示硅材料中心Si/SiO界面处方向应力值约为1.876?10 Pa。总之,本论文通过以上两个光学实验对硅界面以及表面的电光性质进行了系统的研究。这里,我们不仅对硅材料内建电场分布提出了一种基于线性电光效应的测量方法,还提出了一种基于线性电光效应测量硅材料界面处应力大小及分布的方法,这些结论在文献鲜有报道,得出的一些结论或对硅基器件界面态的分析测量以及对拓展硅材料的应用范围有所帮助,具有一定的创新性和实用性。

关键词：界面场线性电光效应直流电场应力

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准相位匹配技术及线性电光效应耦合波理论

企业技术开发 2015年第17期 4-4页

作者：李培培国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心

文章详细介绍了准相位匹配技术的优缺点及应用,还介绍了佘卫龙等人提出的线性电光效应耦合波理论相对于其他分析线性电光效应的理论的优点,以及基于该线性电光效应耦合波理论衍生的基于QPM的线性电光效应耦合波理论和基于QPM的电光和级... 详细信息

文章详细介绍了准相位匹配技术的优缺点及应用,还介绍了佘卫龙等人提出的线性电光效应耦合波理论相对于其他分析线性电光效应的理论的优点,以及基于该线性电光效应耦合波理论衍生的基于QPM的线性电光效应耦合波理论和基于QPM的电光和级联二阶非线性效应统一耦合波理论,简要地给出了基于上述耦合波理论的现有研究成果。

关键词：非线性光学频率转换准相位匹配线性电光效应耦合波级联

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浅析硅材料的场致线性电光效应

浅析硅材料的场致线性电光效应

铁电单晶(KxNa1-x)0.4(SryBa1-y)0.8Nb2O6的光学性质和线性电光效应

探索科学学术研讨会（2016）

作者：张佳利内蒙古工业大学

硅材料在微电子学领域的作用突出,伴随着科技逐渐进步,硅材料被广泛的应用到光子集成器的研发、光电混合集成器的研发中。硅材料的电子组成特性,使得硅材料呈现出了一定的特性外,也为硅材料的进一步研发带来了阻碍。硅材料的反演对称中... 详细信息

硅材料在微电子学领域的作用突出,伴随着科技逐渐进步,硅材料被广泛的应用到光子集成器的研发、光电混合集成器的研发中。硅材料的电子组成特性,使得硅材料呈现出了一定的特性外,也为硅材料的进一步研发带来了阻碍。硅材料的反演对称中心,使其不具备线性的电光效应。基于此,本文在硅材料的电光效应原理研究基础上,通过相应的实验研究,分析硅材料的场致线性电光效应。

关键词：硅材料硅基光电子学线性电光效应

来源： cnki会议评论

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物理学报 1985年第7期 978-982页

作者：许煜寰陈焕矗中山大学物理系山东大学晶体材料研究所

本文介绍铁电单晶(KxNa1-x)0.4(SryBa1-y)0.8Nb2O6的光学性质和线性电光效应的测量。实验结果表明,这种晶体具有较大的光学双折射,透光范围由4000A到5.6μm。晶体具有低的线性电光调制的半波电压,其电光调制价值指数n03·γc高达730×10... 详细信息

本文介绍铁电单晶(KxNa1-x)0.4(SryBa1-y)0.8Nb2O6的光学性质和线性电光效应的测量。实验结果表明,这种晶体具有较大的光学双折射,透光范围由4000A到5.6μm。晶体具有低的线性电光调制的半波电压,其电光调制价值指数n03·γc高达730×10-12m/V,而激光损伤阈值为600MW/cm2（4 pps）,表明该晶体可作为较大功率激光调制使用的材料。

关键词： KNSBN 线性电光效应晶体警克尔效应 Nb2O6 Sr_yBa K_xNa 物理性能光学性质晶形单晶

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无分压纵向线性电光效应用于高电压测量

高电压技术 2000年第4期26卷 59-60,63页

作者：徐雁陈志萍朱勇崔瑛叶妙元华中科技大学电气工程系武汉430074

论述和分析了无分压纵向 Pockels线性电光效应用于高电压测量的工作原理 ,推导出插值计算的解调还原方法。此法测量高电压具有无分压、不受电场分布影响。

关键词：高电压测量光强线性电光效应 Pockels效应