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LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用

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微电子学与计算机 2019年第2期36卷 1-5页

作者：周欢欢陈岚尹明会王晨张卫华中国科学院微电子研究所北京100029 三维及纳米集成电路设计自动化技术北京市重点实验室北京100029

本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.

关键词： PDK LOD WPE 纳米工艺

芯片计算光刻提速40倍 2纳米工艺提前到来？ 007

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芯片计算光刻提速40倍 2纳米工艺提前到来？

中国电子报

作者：许子皓沈丛

3月21日晚，英伟达创始人兼CEO黄仁勋再次穿着标志性的皮衣亮相，并在2023年GTC大会上进行了主题演讲，介绍并发布了适用于节能加速数据中心的新芯片Grace和BlueField-3、让计算光刻变得更“聪明”的cuLitho技术、正在生产中的“现代化A... 详细信息

3月21日晚，英伟达创始人兼CEO黄仁勋再次穿着标志性的皮衣亮相，并在2023年GTC大会上进行了主题演讲，介绍并发布了适用于节能加速数据中心的新芯片Grace和BlueField-3、让计算光刻变得更“聪明”的cuLitho技术、正在生产中的“现代化AI工厂”——NVIDIA DGX H100 AI超级计算?

关键词：黄仁勋生成式 NVIDIA 云服务提供商纳米工艺图像生成 GPU CPU 工作负载 Oracle 数据中心服务器 Azure

首次推出2纳米工艺技术台积电计划2025年量产 A05

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首次推出2纳米工艺技术台积电计划2025年量产

中国证券报

作者：吴科任段芳媛

6月17日，台积电宣布，首次推出N2（2纳米）工艺技术，预计2025年量产。这也是台积电首次使用纳米片晶体管结构的工艺技术。业内人士表示，工艺技术节点越小，往往芯片性能越高。但极高的技术门槛和资金门槛让众多半导体企业望而却步。... 详细信息

6月17日，台积电宣布，首次推出N2（2纳米）工艺技术，预计2025年量产。这也是台积电首次使用纳米片晶体管结构的工艺技术。业内人士表示，工艺技术节点越小，往往芯片性能越高。但极高的技术门槛和资金门槛让众多半导体企业望而却步。三星电子和英特尔是台积电最为有力的竞争?

关键词：台积电纳米工艺纳米产品

离子注入机：二十八纳米工艺实现全覆盖 001

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离子注入机：二十八纳米工艺实现全覆盖

光明日报

作者：崔兴毅

穿过制造中心入口的风淋系统，整条产线映入眼帘，一台台设备完成装配调试后，输送至各集成电路先进产线，参与“中国芯”制造。这是什么高精尖设备？ “它们可是‘中国芯’制造的关键一环!”中国电科下属电科装备北京烁科中科信公... 详细信息

穿过制造中心入口的风淋系统，整条产线映入眼帘，一台台设备完成装配调试后，输送至各集成电路先进产线，参与“中国芯”制造。这是什么高精尖设备？ “它们可是‘中国芯’制造的关键一环!”中国电科下属电科装备北京烁科中科信公司党支部书记、总经理李进指着生产线说，这

关键词：离子注入机全覆盖中国芯纳米工艺

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微纳米加工工艺数据库的设计研究

制造业自动化 2014年第18期36卷 139-142页

作者：张楠王敏锐苏州大学苏州215123 中科院苏州纳米所苏州215125

面向973重大科学研究计划"基于纳米结构的宽光谱高效太阳能电池关键科学问题研究"、"低维等离子体系统的量子调制及应用研究"和江苏省重大成果转化项目"第三代半导体产业发展关键材料-氮化稼(GaN)晶片开发及产业化"的微纳米结构和器件... 详细信息

面向973重大科学研究计划"基于纳米结构的宽光谱高效太阳能电池关键科学问题研究"、"低维等离子体系统的量子调制及应用研究"和江苏省重大成果转化项目"第三代半导体产业发展关键材料-氮化稼(GaN)晶片开发及产业化"的微纳米结构和器件制备需要,依托苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工公共平台和测试分析平台产生的丰富的微纳米加工工艺数据资源,研究设计一个微纳加工工艺数据库,包括原始数据存储数据库、数据整合集成数据库、运行状态数据库、典型问题数据库、异常信息数据库等,实现对微纳米器件加工工艺的有效收集、整理和加工提炼,满足科研人员数据分析、计算和开发新工艺的模拟预测的需求,形成一批通用微纳加工工艺,并逐步在中科院研究所间以及研究所与企业间实现数据共享。通过微纳加工工艺数据库的建立,收集积累大量的加工工艺,为科研人员进一步开展微纳米器件研究提供必要的通用工艺及其加工工艺模拟分析,实现成果共享,减少费时费钱的通用微纳加工工艺的重复研究,加快研究进程,达到降低研究成本和提高研究效率的作用。

关键词：纳米加工工艺数据库纳米工艺

台积电：3纳米工艺将于明年下半年量产 A09

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第一财经日报

作者：来莎莎

6月2日，台积电举办2021年线上技术论坛。台积电总裁魏哲家表示，3纳米工艺将于2022年下半年开始量产，相较于5纳米技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%；5纳米家族中的4纳米开发顺利，预计于2021年第三季度开始试... 详细信息

6月2日，台积电举办2021年线上技术论坛。台积电总裁魏哲家表示，3纳米工艺将于2022年下半年开始量产，相较于5纳米技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%；5纳米家族中的4纳米开发顺利，预计于2021年第三季度开始试产。台积电的主要收入来自先进工艺。台

关键词：台积电纳米工艺

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拟建28纳米工艺晶圆厂 A04

深圳特区报

作者：熊子恒

深圳特区报讯（记者熊子恒）17日晚间，中芯国际发布公告透露，公司与深圳市政府签订合作框架协议。根据合作框架协议，中芯国际和深圳市政府（通过深圳重投集团）拟以建议出资的方式经由中芯深圳进行项目发展和营运。依照计划，中芯... 详细信息

深圳特区报讯（记者熊子恒）17日晚间，中芯国际发布公告透露，公司与深圳市政府签订合作框架协议。根据合作框架协议，中芯国际和深圳市政府（通过深圳重投集团）拟以建议出资的方式经由中芯深圳进行项目发展和营运。依照计划，中芯深圳将开展项目的发展和营运，重点生产

关键词：晶圆厂中芯国际深圳市纳米工艺

基于纳米工艺SoC的片内DC-DC变换器的设计

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基于纳米工艺SoC的片内DC-DC变换器的设计

作者：胡烽电子科技大学

学位级别：硕士

近十几年以来，随着微细加工技术的高速发展，CMOS工艺最小线宽已经进入纳米量级，这使集成电路往更高集成度、更复杂、更低功耗发展。更加先进的工艺可以使电路更加小型化，低功耗化。与此同时，人们对便携式电子产品质量更高的需求也... 详细信息

近十几年以来，随着微细加工技术的高速发展，CMOS工艺最小线宽已经进入纳米量级，这使集成电路往更高集成度、更复杂、更低功耗发展。更加先进的工艺可以使电路更加小型化，低功耗化。与此同时，人们对便携式电子产品质量更高的需求也推动电源往小型化，高效化发展。在先进制造工艺下设计电源管理电路成为行业发展趋势，也是行业的紧迫任务。同时，为了满足不同系统多样化供电需求，电源管理单元（PMU，Power Management Unit）应运而生。随着便携式终端设备市场的不断升温，对电源管理单元尤其是适用于SoC（System on Chip）集成的电源管理单元的研究变得越来越迫切。在PMU中，DC-DC变换器最基础和重要的部分。本文首先介绍了纳米制造工艺对模拟电路设计的一些工艺影响，具体阐述了WPE和STI应力两种效应，分析了它们对一种具体纳米工艺的影响并得到一些减小影响的方法。然后介绍一种DC-DC变换器芯片的整体设计，包括电感、电容、开关频率和补偿方式的选择，接着数学推导了一种混合信号伪三型补偿方法并利用MATLAB对其做了仿真验证。最后阐述了芯片内部一些关键子模块的设计和仿真，并对整体电路进行了仿真验证。本文重点介绍了纳米工艺对电路设计的影响和混合信号伪三型补偿电路的实现。本文设计芯片整体版图面积大小为680μm×603μm，采用纳米级标准CMOS工艺流片。封装之后，通过芯片测试，本文设计的DC-DC变换器输出电压为0.57-1.30V连续可调，开关频率为2.25MHz，在正常的输入电压范围内线性调整率和负载调整率均小于1%，在负载电流为110mA左右时，效率最高达到86%以上。

关键词： DC-DC变换器电压模伪三型补偿纳米工艺高效率

三星半导体死磕台积电:将放弃4纳米工艺直接过渡到3纳米

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半导体信息 2020年第4期 21-23页

在5纳米工艺的大规模量产上,三星电子落后于台积电。据业内消息人士称,为了追赶台积电,三星已经决定放弃后续的4纳米工艺,直接从5纳米跳到3纳米工艺。这一举措也将节省三星大量的开发资源。在李在镕的带领下,三星电子开始了战略转型,在... 详细信息

在5纳米工艺的大规模量产上,三星电子落后于台积电。据业内消息人士称,为了追赶台积电,三星已经决定放弃后续的4纳米工艺,直接从5纳米跳到3纳米工艺。这一举措也将节省三星大量的开发资源。在李在镕的带领下,三星电子开始了战略转型,在半导体业务上,三星开始开拓两个新业务——传统存储芯片之外的处理器芯片以及对外代工业务。据科技媒体最新消息,为了和中国台积电公司争夺半导体代工订单,三星电子对制造工艺路线图进行了修改,将绕开4纳米工艺,直接从5纳米跳跃到3纳米工艺。

关键词：三星电子纳米工艺战略转型处理器芯片存储芯片开发资源直接过渡制造工艺