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  • 9 篇 中文
检索条件"主题词=纳米存储器"
9 条 记 录,以下是1-10 订阅
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双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器
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湖南大学学报(自然科学版) 2005年 第6期32卷 69-72页
作者: 杨红官 周少华 曾云 施毅 湖南大学微电子研究所 南京大学物理系 江苏南京210093
设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).... 详细信息
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石墨烯-SiO2复合纳米存储器的电沉积制备及其在防护涂层中的应用
石墨烯-SiO2复合纳米存储器的电沉积制备及其在防护涂层中的应用
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作者: 赵继鹏 浙江大学
学位级别:硕士
石墨烯作为目前最热门的二维纳米材料,自成功分离以来,便成为了诸多领域的研究热点。由于其具有优异的阻挡性能、低的气液渗透性能和较高的化学及热稳定性,近些年开始被尝试应用于金属的腐蚀防护领域。但综合目前的研究结果来看,石墨烯... 详细信息
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纳米存储器的研究进展及技术展望
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科技信息 2008年 第31期 348-348页
作者: 周少华 熊琦 王晓宏 李锐敏 杨红官 湖南工程职业技术学院 湖南大学
本文简介了微电子技术的发展动力和基础,论述了纳米存储器的研究进展和技术现实,展望了微电子技术及纳米存储器的前景。
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电荷直接隧穿特征时间的计算模型
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计算物理 2007年 第1期24卷 71-77页
作者: 杨红官 李晓阳 刘全慧 湖南大学应用物理系 湖南长沙410082
在分析硅基纳米存储器的势结构和价带混合效应对直接隧穿过程影响的基础上,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,发展了电子和空穴直接隧穿时间的计算模型.利用该模型数值计算了硅基纳米存储器的编程时间和保留时间,讨论了结构参数和... 详细信息
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石墨烯在金属防护中的应用与展望
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表面技术 2017年 第3期46卷 202-208页
作者: 付红丽 赵继鹏 方露 胡吉明 浙江大学化学系 杭州310027
石墨烯(类)材料作为明星材料,是诸多应用领域的研究热点。主要从两个方面综述了石墨烯材料在金属腐蚀防护中的应用研究现状,简要概述了单纯的石墨烯薄膜用于金属防护的发展历程,并对该防护手段的弊端进行了分析与讨论,得出石墨烯薄膜不... 详细信息
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诠释新一代工匠精神的年轻人——小记2016启明星、上海华虹宏力半导体工程师杨光军
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世界科学 2016年 第11期 28-31页
作者: 顾姚星
杨光军,1981年生,安徽马鞍山人,清华大学电子工程系本科毕业,清华大学微电子学与固体电子学专业硕士毕业,上海华虹宏力半导体有限公司工程师跟着江老师采访启明星已有大半年,这次他因在新加坡逗留一个月时间,就把这一期的启明星采写任... 详细信息
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科学之窗
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世界科学 2005年 第7期 47-48页
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高年级阅读题
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语文教学与研究 2001年 第8期 22-23页
作者: 陈和 张丽君
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高密度数据存储技术新突破
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大众硬件 2000年 第6期 2-2页
以色列魏茨曼科学研究院日前公布。该院材料部沙戈乌教授领导的研究小组应用独特的分子处理技术为高密度.长期数据存储开辟了一条新路。同时为纳米存储器的诞生提供了技术依据。科学家认为,利用这一技术可开发存储更多音乐的CD盘。
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