检索结果-南通市图书馆

作者：席义方山东大学

学位级别：硕士

在人类社会近五十年的发展历程中,半导体技术发挥了举足轻重的作用,它推动着人类社会快速步入信息化时代,是现代人类社会的基石技术之一。在过去五十多年,半导体器件尺寸一直沿着摩尔定律按比例缩小,单个微处理器芯片上场效应晶体管的... 详细信息

在人类社会近五十年的发展历程中,半导体技术发挥了举足轻重的作用,它推动着人类社会快速步入信息化时代,是现代人类社会的基石技术之一。在过去五十多年,半导体器件尺寸一直沿着摩尔定律按比例缩小,单个微处理器芯片上场效应晶体管的数量从最早的几千个增长到今天的几百亿个,高集成度的半导体器件深刻地改变了整个人类的发展历史和每一个人的生活方式。场效应晶体管作为实际应用中最常见的半导体器件,是静态随机存取存储器、动态随机存取存储器、中央处理器芯片中的核心器件。随着半导体技术在新材料、新结构、新原理上的发展,场效应晶体管尺寸不断减小,但同时也出现了更多的可靠性问题,一些微小的器件特性扰动就会使半导体芯片失效。在纳米场效应晶体管中存在非常多的可靠性问题,例如漏电、偏压温度不稳定、热载流子注入和随机电报噪声等。本文所聚焦的是纳米场效应晶体管可靠性问题中的随机电报噪声现象。国际上在上世纪八十年代末就已经开始了对随机电报噪声的研究,近年来随着器件尺寸的进一步减小,场效应晶体管相关的参数,例如源漏电流,阈值电压等都会对扰动变得更加敏感。场效应晶体管中栅极介质层中缺陷所引起的沟道电荷俘获和放出会带来沟道电流的瞬态变化,即随机电报噪声,会对电路正常运行造成巨大的影响。本文系统研究了纳米场效应晶体管中随机电报噪声的基本性质,并利用其物理随机性提出了一种基于随机电报噪声的真随机数生成方案。本文的第一部分工作是对纳米场效应晶体管中的随机电报噪声在固定栅极电压测量方式下的基本性质进行了系统研究,包括随机电报噪声的时间常数统计分布特性、栅极电压依赖特性、源漏电压依赖特性、温度依赖特性、缺陷分布特性、频率依赖特性,并对测试结果进行了深入分析和理解。本文的第二部分工作是通过两种非固定栅极电压测量方法（两点法和周期交流电压法）对随机电报噪声性质进行了拓展研究。由于固定栅极电压测试随机电报噪声存在观测窗口,无法获得在比较广的栅极电压范围内的随机电报噪声性质,这限制了对随机电报噪声机理的进一步探索。本文基于两点法研究了观测窗口外较大栅极电压范围内的随机电报噪声的电流幅值波动特性,并采用了周期交流电压法研究随机电报噪声在观测窗口外的时间常数特性。本文的第三部分工作是基于随机电报噪声在非固定栅极电压下的随机性提出了一种真随机数生成方案。在研究周期交流电压对随机电报噪声的影响过程中,本文发现在测量电压前施加的前置电压会让缺陷的状态发生明确的变化,如果前置电压是低值,缺陷在测量电压刚开始施加的时候会处于释放状态,即随机电报噪声的幅值会首先处于高值,之后经过一段时间下降,这个时间跟该器件在施加测量电压后的时间常数紧密相关,并且其值是随机的。基于这种随机性,在特定条件下通过判定测量电流值的高低可以生成真随机数。本文通过对纳米场效应晶体管中随机电报噪声性质的系统研究,为厘清随机电报噪声机理和探索抑制缺陷噪声策略提供了基础核心数据,为深入研究纳米晶体管随机电报噪声提供了重要的测试技术;同时,本文利用随机电报噪声的物理随机性提出了一种基于噪声的真随机数生成方案,为拓展随机电报噪声的应用提供了一种新型思路。

关键词：纳米场效应晶体管可靠性问题随机电报噪声真随机数发生器

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

一维硅锗纳米复合材料的制备及在场效应晶体管中的应用

引用

功能材料 2007年第A6期38卷 2323-2326页

作者：裴立宅赵海生谭伟俞海云安徽工业大学材料科学与工程学院安徽省金属材料与加工重点实验室安徽马鞍山243002 汉高华威电子有限公司江苏连云港222006

一维硅锗纳米复合材料，主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管，具有优异的电学、光学等性能，易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容，所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。总结了一维硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法，重点... 详细信息

一维硅锗纳米复合材料，主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管，具有优异的电学、光学等性能，易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容，所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。总结了一维硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法，重点评述了在纳米场效应晶体管中的应用，并对其研究前景做了展望。

关键词：硅锗一维纳米复合材料制备纳米场效应晶体管应用

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米场效应晶体管生物传感器在肿瘤早期检测中的应用

引用

武汉大学学报（医学版） 2019年第4期40卷 586-591页

作者：尹长青许壁榆罗振钊熊阿莉郑超华中科技大学同济医学院附属武汉市中心医院检验科湖北武汉430014 南方医科大学附属东莞人民医院血液内科广东东莞523000

肿瘤的早期检测对于肿瘤的早期发现、诊断及治疗具有重要意义。基于硅纳米线、石墨烯、二硫化钼的纳米场效应晶体管生物传感器,由于灵敏度高和特异性好、分析速度快、免标记、廉价、能够微型化和一体化等优点,能够检测肿瘤相关标志物微... 详细信息

肿瘤的早期检测对于肿瘤的早期发现、诊断及治疗具有重要意义。基于硅纳米线、石墨烯、二硫化钼的纳米场效应晶体管生物传感器,由于灵敏度高和特异性好、分析速度快、免标记、廉价、能够微型化和一体化等优点,能够检测肿瘤相关标志物微RNA和蛋白质等,在肿瘤的早期检测中可以发挥重要作用。

关键词：纳米场效应晶体管生物传感器肿瘤早期检测

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一维硅锗纳米复合材料的制备及在场效应晶体管中的应用

一维硅锗纳米复合材料的制备及在场效应晶体管中的应用

引用

第六届中国功能材料及其应用学术会议

作者：裴立宅赵海生谭伟俞海云安徽工业大学材料科学与工程学院安徽省金属材料与加工重点实验室汉高华威电子有限公司

一维硅锗纳米复合材料,主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管,具有优异的电学、光学等性能,易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容,所以在纳米器件等领域得到了广泛重视．总结了一雏硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法,重点评述... 详细信息

一维硅锗纳米复合材料,主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管,具有优异的电学、光学等性能,易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容,所以在纳米器件等领域得到了广泛重视．总结了一雏硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法,重点评述了在纳米场效应晶体管中的应用,并对其研究前景做了展望。

关键词：硅锗一维纳米复合材料制备纳米场效应晶体管应用

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

量子场效应晶体管中THz等离子体波的不稳定性研究

量子场效应晶体管中THz等离子体波的不稳定性研究

引用

作者：刘晨晓兰州理工大学

学位级别：硕士

随着太赫兹科技的高速发展,介于远红外波与毫米波之间的太赫兹波被广泛应用于各个领域,太赫兹波的广泛应用促进了太赫兹辐射源器件的迅速崛起。在1993年,物理学家Michel Dyakonov和Michel Shur提出了基于矩形弹道场效应晶体管的不稳定理... 详细信息

随着太赫兹科技的高速发展,介于远红外波与毫米波之间的太赫兹波被广泛应用于各个领域,太赫兹波的广泛应用促进了太赫兹辐射源器件的迅速崛起。在1993年,物理学家Michel Dyakonov和Michel Shur提出了基于矩形弹道场效应晶体管的不稳定理论,即Dyakonov-Shur不稳定性理论。为太赫兹辐射源的研究提供了理论依据。基于Michel Dyakonov和Michel Shur提出的Dyakonov-Shur不稳定理论,人们做了一系列的研究,但是仍然有许多亟待解决的问题。总体来说,以往的科学研究只关注场效应晶体管中等离子体波在理想边界条件下的传播情况,但是随着半导体器件集成化的发展,半导体器件进入了纳米时代。此时纳米器件的量子效应占据了举足轻重的地位,它的作用不容小觑。本论文的主要内容如下:(1)现如今,半导体器件的研究已经进入到了纳米时代,这时量子效应就显得尤为重要。基于Dyakonov-Shur不稳定性理论,研究纳米矩形场效应晶体管沟道中太赫兹等离子体波的传播特性。在考虑量子效应影响的情况下,建立描述二维电子气运动行为的量子流体力学方程组。在非理想边界条件下,研究太赫兹等离子体波在场效应晶体管沟道中的振荡和不稳定性。研究结果表明,当栅源极电容大于栅漏极电容时,太赫兹等离子体波不稳定,增加栅源极电容或降低栅漏极电容可以增加不稳定增益;随着栅漏极电容的增加,太赫兹振荡的频率增加。当栅源极电容小于栅漏极电容时,太赫兹等离子体波稳定。这为太赫兹辐射源的研究提供了理论依据。(2)由于受到电磁场的作用,当二维电子气在场效应晶体管的沟道中运动时,电子自旋效应对沟道中二维电子气体的集体行为有着非常重要的影响。在场效应晶体管的源漏极加上二维情况下的非对称边界条件,利用带有自旋效应的量子流体力学方程组描述场效应晶体管中二维电子气的运动行为,研究等离子体波在场效应晶体管中的振荡和不稳定性。研究结果表明自旋效应的存在扩大了电子漂移速度的不稳定性范围,增强了不稳定增益,使太赫兹等离子体波的频率变大。这项研究为太赫兹波的发射和检测提供了新的理论基础。

关键词：量子效应边界条件量子流体力学方程纳米场效应晶体管自旋效应

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

基于可控掺杂ZnS一维纳米结构高性能传感器的研究

基于可控掺杂ZnS一维纳米结构高性能传感器的研究

引用

作者：江鹏合肥工业大学

学位级别：硕士

一维半导体纳米材料展现出不同与薄膜和体材料优越的电学和光电特性，基于纳米结构构建的纳米传感器件的研究引起广泛的关注。ZnS是重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体，禁带宽度为3.7eV，广泛用于平板显示、紫外发光二极管和紫外传感器等领域... 详细信息

一维半导体纳米材料展现出不同与薄膜和体材料优越的电学和光电特性，基于纳米结构构建的纳米传感器件的研究引起广泛的关注。ZnS是重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体，禁带宽度为3.7eV，广泛用于平板显示、紫外发光二极管和紫外传感器等领域。近年来对于一维ZnS纳米结构研究发现，它们具有高的晶体质量和良好的光学特性，这为制备高性能传感器奠定了基础。但由于本征ZnS纳米材料的高绝缘性，限制了其在纳米器件中的广泛应用，纳米材料掺杂是制备高性能器件的重要环节。本文将运用化学气相沉积方法系统研究一维ZnS纳米结构的合成及掺杂工艺，利用扫描电子显微镜(FESEM)、X射线能谱分析(EDX)、透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、光致发光能谱仪(PL)等对合成纳米结构进行表征，进一步优化工艺，实现n、p型一维ZnS纳米结构可控的合成。同时基于单根n-ZnS纳米线和p-ZnS纳米带运用光刻等微纳加工手段制备了底栅场效应器件(Back-gate FETs)和结型场效应器件(JFETs)，并对器件的电学、光学以及传感特性进入了深入详细的研究，发现n型ZnS纳米线具有高性能的紫外传感器和湿度传感器特性，p型ZnS纳米带能够制备高速节能的光探测器，综合起来取得以下有意义的成果： 1．以Al单质为Al元素掺杂源，通过控制蒸发源中掺杂源与ZnS的质量比获得不同掺杂浓度的n型ZnS：Al纳米线(NWs)，进一步形貌和结构分析表明，ZnS：Al纳米线尺寸均匀、表面平滑，直径在300nm范围，长度能够达到几百微米，为高质量的单晶纤锌矿结构，生长方向为[1010]。同时基于单根ZnS:Al纳米线的电学测试发现随着掺杂浓度的升高，ZnS纳米线的电导明显提高，且能在3个数量级内调控，电子浓度最高达1.3×10cm。以高纯Cu2S为Cu元素为掺杂源，合成了尺寸均匀、形貌良好单晶六角纤锌矿结构的p型ZnS:Cu纳米带(NRs)，空穴浓度高达1.4×10cm。 2.对基于n、p掺杂ZnS纳米结构制备的场效应晶体管研究发现，ZnS:Al纳米线Back-gate FETs表现出n沟道场效应晶体管特性，随着掺杂浓度升高，栅极的控制能力减弱，阈值电压变小，电子迁移率0.16cmVs增加到18.8cmVs，呈逐渐增大的变化趋势;ZnS:Cu纳米带FETs输出特性为典型的p沟道场效应特性，空穴迁移率达23.6cmV1s1，制备的p-ZnS:Cu NR/n-CdS的p-n结的理想因子为1.3，JFET的亚阈值摆幅为65mV dec。 3.以ITO为欧姆接触电极制备了n型可控掺杂ZnS:Al NWs的紫外传感器，发现器件只对波长小于335nm的紫外光有明显的响应，并且随着掺杂浓度的提高，器件响应度和增益逐渐增加，最高分别达4.7×106AW)和2.3×10，增益带宽积高达.1GHz，具备了能够进行单光子探测应用的条件;p-ZnS:Cu NR/n-Sip-n结光电探测器在零偏压下开关比达到105以上，响应速度为毫秒级。 4.研究了基于n型ZnS:Al NWs制备的场效应器件对湿度传感特性，发现在环境相对湿度在50%以下时，随着湿度的增大电流略微减小，这归咎于纳米线表面吸附水分子，夺取内部电子形成OH，使得纳米线表面能带向上弯曲而形成空穴积累，与内部电子复合导致电导率下降;在湿度大于50%以后，随着湿度增加，纳米线电流呈线性增大趋势，且湿度从50%增加到90%时，电流增加了两个数量级，这主要原因来自于水分子的物理吸附。可控掺杂ZnS纳米结构的实现为进一步制备高性能纳米电子器件、纳米光电子器件及纳米传感器件奠定了良好的研究和应用基础，n-ZnS:Al NWs将在紫外弱光探测及单光子探测和高敏感湿度传感器中具有很大的应用前景，p-ZnSNR/n-Si p-n结具有制备高速光电探测器的应用潜力。

关键词：一维ZnS纳米结构 n、p型可控掺杂纳米场效应晶体管 p-n结紫外光电探测器湿度传感器

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：