检索结果-南通市图书馆

作者：訾亚丽西安电子科技大学

学位级别：硕士

Ⅲ族氮化物材料有着优良性能,其制备的器件用途广泛,在照明领域、通信领域、激光探测领域都有其身影。Ⅲ族氮化物材料不能像Si一样采用拉制单晶的方法制备,而获得高质量和低缺陷的薄膜材料是器件应用的基础,所以近年来对低缺陷Ⅲ族氮化... 详细信息

Ⅲ族氮化物材料有着优良性能,其制备的器件用途广泛,在照明领域、通信领域、激光探测领域都有其身影。Ⅲ族氮化物材料不能像Si一样采用拉制单晶的方法制备,而获得高质量和低缺陷的薄膜材料是器件应用的基础,所以近年来对低缺陷Ⅲ族氮化物材料的外延生长有很多的研究。为了减少缺陷位错密度,研究人员采用了一些有效的生长方法:横向外延生长法、图形化衬底外延生长法等,但这些方法采用的大多是微米级别的图形,在微米图形化上外延生长需要的生长温度较高,图形化合并的厚度较厚,这对很多Ⅲ族氮化物材料尤其对AlN材料是很难实现的。在纳米图形化上外延生长则可以很好的弥补上述缺点。而纳米图形化上外延生长Ⅲ族氮化物材料的研究还处于较浅显的阶段,特别是内部机理的分析领域几乎还是空白。为了找到更好的制备Ⅲ族氮化物材料外延生长的方法,本文选择纳米图形化作为研究重点,引入新的外延生长法:在纳米图形化上外延低缺陷的Ⅲ族氮化物材料。本文主要使用两种方法:纳米球掩膜法制备纳米图形化,并实现GaN的外延生长;电子束曝光法制备纳米图形化,并实现AlN的外延生长。主要研究内容和成果如下:1)单层纳米球的涂布研究。通过氧等离子体处理提高GaN基片的亲水性。加入SDS表面活性剂,使得纳米球在气液自组织界面的排布更紧密均匀,由此来提拉得到更均匀紧密的单层自组装纳米球薄膜。2)不同直径二氧化硅纳米球掩膜刻蚀的纳米图形化上GaN的外延生长的研究。首先,在GaN的外延片上依次制造直径300nm、400nm、500nm的自组装单层二氧化硅纳米球。其次,设置3000?的理论刻蚀深度。最后,进行外延过生长。实验结果表明,相比平面蓝宝石衬底上外延生长的GaN,纳米图形化上外延生长的GaN的（102）、（002）面的半高宽均下降。三种尺寸的纳米球中,直径为500nm的纳米球作为掩膜时,GaN（002）面半高宽从270arcsec下降到248arcsec,（102）面半高宽从390arcsec下降到236arcsec。3)电子束光刻法制备纳米图形的研究。研究电子束光刻的工艺流程包括光刻掩膜版的设计、纳米图形的设计、电子束光刻的实现工艺、ICP刻蚀等,最终得到设计的纳米图形。4)阵列式圆孔状纳米图形化上AlN的外延生长的研究。首先,设计理论直径为300nm周期600nm的圆形阵列式图形。其次,根据工艺流程制备纳米图形。最后,在制备的纳米图形化的AlN上继续外延生长AlN。实验结果表明,纳米图形化上AlN的外延生长温度为1050℃,远低于文献中采用的1300℃的生长温度。XRD测试结果表明,纳米图形化上外延的AlN的（102）面半高宽从890arcsec降低到470arcsec,而（002）面的半高宽相对增大,在AlN晶体中刃型位错占据的比例更大,而刃型位错和（102）面的半高宽有关,因此纳米图形化上AlN的外延生长的整体位错密度是降低的。5)实验结果得出三种缺陷减少机制:纳米尺度图形化模式下的横向外延生长;位错弯曲诱导终止于局部介质界面;残留的纳米气孔提供了一种附加的位错减少机制。

关键词： GaN AlN 纳米图形化晶体质量横向外延

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超微细柔性透明导电电路制作方法研究

超微细柔性透明导电电路制作方法研究

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作者：包悦苏州大学

学位级别：硕士

随着新一轮国际柔性印刷电子技术的发展,电路线宽要求越来越细,对印刷电子材料及应用技术提出了更高的要求。其关键是如何在更大幅面的柔性基板上,以更低的成本实现特征尺寸更小的柔性电子器件。随着器件尺寸进一步缩小,要求交联导电网... 详细信息

随着新一轮国际柔性印刷电子技术的发展,电路线宽要求越来越细,对印刷电子材料及应用技术提出了更高的要求。其关键是如何在更大幅面的柔性基板上,以更低的成本实现特征尺寸更小的柔性电子器件。随着器件尺寸进一步缩小,要求交联导电网络的线宽达纳米量级。因此电路线宽特征尺寸在亚微米、甚至纳米级的柔性导电电路的研制成为必然。本论文结合纳米压印技术和低维纳米材料填充技术,制作图形化超微细柔性透明导电电路。首先利用课题组激光图形化设备i Grapher,制作图形化柔性透明基底。并采用低温等离子体表面处理技术,改变柔性透明基材UV胶表面特性。然后采用纳米涂布及刮涂技术,使低维纳米材料填充至网络沟槽中,获得微细金属网格型透明导电薄膜。并对不同深宽比网络沟槽的填充特性进行了实验研究。另外,在刮涂填充技术的基础上,提出利用附加电场实现低维纳米材料的可控性填充。实验表明,电场驱动填充可明显改善低维纳米材料填充的方向选择性,使得任意取向的沟槽结构均获得均匀填充,从而获得导电性较高的超微细透明导电电路。本论文对超微细柔性透明导电电路的制作方法进行研究,系统阐述了制作工艺流程,并提出利用电场驱动填充网络沟槽。为更高要求的柔性印刷电子的研制提供了技术工艺基础。

关键词：印刷电子柔性透明导电膜纳米图形化纳米压印

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占空比可调的氮化镓纳米圆台阵列的制备及其光致发光效率的研究

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激光与光电子学进展 2016年第7期53卷 230-236页

作者：陈湛旭万巍陈耿炎何影记陈泳竹广东技术师范学院电子与信息学院广东广州510665 广东技术师范学院机电学院广东广州510665

实验中在p-Ga N层制备单层密排的聚苯乙烯(PS)纳米球作为掩模,通过改变纳米球掩膜的直径,制作了周期性的占空比不同的Ga N纳米圆台阵列结构。实验结果表明,在归一化激发光功率后,p-Ga N层制备纳米圆台阵列的LED出光效率最高增加到参考... 详细信息

实验中在p-Ga N层制备单层密排的聚苯乙烯(PS)纳米球作为掩模,通过改变纳米球掩膜的直径,制作了周期性的占空比不同的Ga N纳米圆台阵列结构。实验结果表明,在归一化激发光功率后,p-Ga N层制备纳米圆台阵列的LED出光效率最高增加到参考样品的3.8倍。三维时域有限差分方法计算表明,周期性纳米结构破坏了p-Ga N表面的全反射,增大了LED结构的光输出临界角,从而提高LED的光致发光效率。此外,利用可变的纳米球掩模刻蚀技术,可以在同一个周期下优化纳米圆台的尺寸从而进一步提高LED的出光效率,这可以用等效折射率与薄膜透射率理论来解释,计算结果与实验结果比较一致。

关键词：光学设计发光二极管纳米图形化纳米球刻蚀光致发光

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