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人工晶体学报 2012年第5期41卷 1158-1162页

作者：魏小燕孙晓燕刘长友徐亚东杨睿介万奇西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室西安710072

采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征。紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570～750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收。低温光致发光(PL)谱... 详细信息

采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征。紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570～750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收。低温光致发光(PL)谱分析表明,晶体在530 nm附近和595～630 nm之间出现近带边(NBE)发射和自激活(SA)发射。进一步分析表明,NBE发射由受主束缚激子(A1,X)峰、电子-受主对(e,A)峰和施主-受主对(DAP)发光峰组成。利用Arrhenius公式对变温PL谱上的NBE峰进行拟合,得出样品在低温(50 K)时的热猝灭激活能分别为3.87 meV和59.53 meV。红外荧光谱分析表明,ZnTe∶Cr晶体的室温荧光发射带为2～2.6μm,荧光寿命为1.0×10-6s。

关键词： ACRT-Te溶剂法 ZnTe∶Cr晶体透过光谱可见光致发光谱红外荧光谱

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