检索结果-南通市图书馆

光子学报 2013年第1期42卷 1-6页

作者：郭闰达王鹏陈宇岳守振赵毅刘式墉吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区长春130012

在Si/SiO2衬底上生长金属银作为阳极,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)作为空穴注入及传输层,发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl)isoquinoline)iridium(III)acetylanetonate(Ir(piq)2(acac))的结构,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层,阴极为LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(20nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层,有效地改善了复合阴极膜系的透射率,从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性,在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善,这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作发光层,从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)2(acac)(1%,20nm)/CBP:Ir(piq)2(acac)(1%,20nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率,避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高,而双发光层的结构有利于增大激子复合区域,提高辐射复合几率,减少非辐射损耗,实现主客体之间高效的三线态能量传递,相对单发光层顶发射结构,双发光层结构不仅提高了器件的发光效率,而且改善了器件的色坐标.

关键词：红光顶发射有机电致发光器件 CBP覆盖层双发光层色纯度角度依赖特性

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