检索结果-南通市图书馆

材料导报 2017年第22期31卷 21-25页

作者：赵晨贾伟樊腾仝广运李天保翟光美马淑芳许并社太原理工大学新材料工程技术研究中心太原030024 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原030024

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在非掺杂gan层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状gan微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 07... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在非掺杂gan层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状gan微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 075℃时,所生长的gan呈现出类金字塔状微米锥结构;当生长时间由3 min延长至20 min时,微米锥的底面直径由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×10~3cm^(-2)降低至0.8×10~3cm^(-2);压力及Ⅴ/Ⅲ比共同决定该结构顶部的微观形貌(锥状或截顶锥状)。本工作的研究结果为gan微钠米结构的原位可控生长奠定了一定基础,并有助于三维gan基LED器件的进一步发展。

关键词：类金字塔状gan微米结构金属有机化学气相沉积原位生长SiNx掩模层三维gan基LED器件

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