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等离子体沉积制造光波导评述

光通信技术 1986年第2期 42-51页

作者： Peter Bachmann 朱清文中国科学院力学所副研

本文对应用高气压和低气压等离子体沉积法制造光波导作了评述。首先概略地讨论了光波导的工作原理、类型及其制造要求,接着叙述了光纤制造的各种方法。详细阐明和比较了等离子体外沉积(POD)、等子体增强化学汽相沉积(PMCVD)和低气压等... 详细信息

本文对应用高气压和低气压等离子体沉积法制造光波导作了评述。首先概略地讨论了光波导的工作原理、类型及其制造要求,接着叙述了光纤制造的各种方法。详细阐明和比较了等离子体外沉积(POD)、等子体增强化学汽相沉积(PMCVD)和低气压等离子体活化化学汽相沉积(PCVD)方法。

关键词：光波导单模等离子体沉积不可约模激光模光纤光导纤维折射率分布

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等离子体沉积金刚石薄膜

等离子体应用技术快报 1996年第3期 5-6页

作者：乐天

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等离子体沉积TiN涂层的组织特性

国外金属热处理 1994年第3期15卷 22-24页

作者：彭文屹江西省科学院

本文研究了将TiCl_4,N_2,H_2混合气体在钢和玻璃等基体表面进行等离子体辅助化学气相沉积的TiN涂层。结果表明:TiN涂层的密度和晶性受射频放电功率密度的影响;且X射线衍射显示,随着射频放电功率密度的增加而增强薄膜的(200)取向;用扫描... 详细信息

本文研究了将TiCl_4,N_2,H_2混合气体在钢和玻璃等基体表面进行等离子体辅助化学气相沉积的TiN涂层。结果表明:TiN涂层的密度和晶性受射频放电功率密度的影响;且X射线衍射显示,随着射频放电功率密度的增加而增强薄膜的(200)取向;用扫描电镜观察薄膜显示此时的TiN薄膜的粒状组织更加致密。随着射频放电功率密度的增加,涂层显微硬度增加到最大值后下降,这种影响可归结于薄膜中氯化物含量;当氯化物含量最低时,显微硬度最大。

关键词：覆层等离子体沉积氮化钛

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射频等离子体沉积类金刚石膜微结构的表征

Journal of Semiconductors 1993年第1期14卷 6-12页

作者：杨伟毅华东工学院光电技术系南京210014

利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子能量轰击和低CH_4压强下所形成的DLC膜内以sp^3C-C键为主,并且sp^3碳成分随V/Pa^(1/2) 增加而增加,与退火温度从200℃ 到800℃... 详细信息

利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子能量轰击和低CH_4压强下所形成的DLC膜内以sp^3C-C键为主,并且sp^3碳成分随V/Pa^(1/2) 增加而增加,与退火温度从200℃ 到800℃无关,DLC膜具有好的热稳定性。DLC膜密度研究指出:膜密度与沉积参量和基底材料有关。

关键词：类金刚石膜 α-C:H膜等离子体沉积

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非晶碳氧化硅纳米线的合成与光致发光

Chinese Journal of Chemical Physics 2015年第2期28卷 184-188,I0001,I0002页

作者：王秋实张伟钟敏马晋文吴志颖王桂强渤海大学新能源学院锦州121000

利用直流电弧放电合成非晶碳氧化硅（SiCO）纳米线，不使用催化剂和模板，独立的SiCO纳米线沉积在石墨锅的表面．通过XRD、SEM、TEM、XPS、FTIR等对SiCO纳米线进行了表征．结果表明，纳米线长度为20~100μm，直径为10~100nm，Si原子同C... 详细信息

利用直流电弧放电合成非晶碳氧化硅（SiCO）纳米线，不使用催化剂和模板，独立的SiCO纳米线沉积在石墨锅的表面．通过XRD、SEM、TEM、XPS、FTIR等对SiCO纳米线进行了表征．结果表明，纳米线长度为20~100μm，直径为10~100nm，Si原子同C原子和氧原子分享成键组成SiCO单元．SiCO纳米线的光致发光谱在454和540nm呈现了强而稳定的白色发光峰．SiCO纳米线的生长机制为等离子辅助气一固生长机制．

关键词：非晶材料等离子体沉积纳米线光致发光