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物理学报 2009年第9期58卷 6530-6533页

作者：李卫青天津大学理学院现代材料物理研究所天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072

利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微镜照片对o-BN薄膜进行了表征.通过红外光谱(FTIR)得到o-BN薄膜的红外峰特征峰值为1189 cm-1,1585 cm-1和1... 详细信息

利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微镜照片对o-BN薄膜进行了表征.通过红外光谱(FTIR)得到o-BN薄膜的红外峰特征峰值为1189 cm-1,1585 cm-1和1450 cm-1;由XRD谱得到o-BN薄膜的(111),(020),(021),(310)和(243)各晶面的衍射峰,特别是(310)和(243)晶面的衍射峰非常强;通过原子力显微镜照片清楚看到BN薄膜具有尖状突起的表面形貌.

关键词：等离子体增强脉冲激光沉积氮化硼薄膜 X射线衍射谱

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