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传感技术学报 1989年第1期2卷 1-6页

作者：沈瑜生张俊颖相承宗中国科学技术大学

本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。

关键词：薄膜 TiO2 等离子体化学气相淀积气敏元件

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等离子体化学气相淀积SnO2气敏材料

无机材料学报 1987年第2期 134-139页

作者：张俊颖小林健吉郎沈瑜生中国科学枝术大学应用化学系日本长岗技术科技大学工学部中国科学技术大学应用化学系合肥

用等离子体激活的化学气相淀积（PCVD）方法在比表面大的多孔玻璃上淀积纯 SnO2,得到稳定性好、工作温度低及选择性较好的气敏薄膜元件。研究了该元件对 H2、C2H5OH、LPG（液化石油气）等气体的气敏效应,对元件的检测机理作了一些探讨,... 详细信息

用等离子体激活的化学气相淀积（PCVD）方法在比表面大的多孔玻璃上淀积纯 SnO2,得到稳定性好、工作温度低及选择性较好的气敏薄膜元件。研究了该元件对 H2、C2H5OH、LPG（液化石油气）等气体的气敏效应,对元件的检测机理作了一些探讨,并与用烧结法制备的元件的气敏性能进行了比较。

关键词：气敏半导体等离子体化学气相淀积薄膜二氧化锡

等离子体化学气相淀积法(PCVD)生长氧传感器薄膜材料

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材料研究学报 1987年第1期7卷 55-56页

作者：方起彭定坤胡克鳌孟广耀中国科学技术大学应用化学系

稳定化 ZrO2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来[1]。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压... 详细信息

稳定化 ZrO2是目前已实用化的氧离子导体材料。由于工业过程自化的要求,传性感器的小型化、集成化、智能化已成为当前发展的趋势,各种薄膜型氧传感器元件的研制开始活跃起来[1]。在众多的薄膜工艺中,PCVD 法优点突出,控制方便,尤其低压等离子体在低温所具有的高内能和活化能（其电子温度104～105K）。

关键词：薄膜材料等离子体化学气相淀积 PCVD 氧传感器 λ传感器

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺

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中国集成电路 2007年第2期16卷 65-67,61页

作者：应用材料(中国)公司应用材料(中国)公司

随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制... 详细信息

随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离（Shallow—Trench—Isolation），金属前绝缘层（Pre—Met—al—Dielectric），金属层间绝缘层（Inter—Metal—Dielec—tric）等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0．25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。

关键词：等离子体化学气相淀积制造工艺高密度超大规模集成电路 Metal 半导体技术晶体管数量半导体器件

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衬底材料对石墨烯薄膜生长影响研究

电子元件与材料 2022年第7期41卷 680-685页

作者：刘姗王伟蒋志伟樊瑞祥杨玉帅王凯河北工业大学电子信息工程学院天津300401 天津市电子材料与器件重点实验室天津300401

石墨烯薄膜在集成电路领域有着光明的前景,为提高石墨烯原位生长质量,研究了石墨烯薄膜分别在Ni、SiO_(2)以及HfO_(2)衬底上的生长情况与成膜机理。采用电子束蒸镀制备了金属Ni与HfO_(2)高K介质薄膜,利用等离子体化学气相淀积(PECVD)法... 详细信息

石墨烯薄膜在集成电路领域有着光明的前景,为提高石墨烯原位生长质量,研究了石墨烯薄膜分别在Ni、SiO_(2)以及HfO_(2)衬底上的生长情况与成膜机理。采用电子束蒸镀制备了金属Ni与HfO_(2)高K介质薄膜,利用等离子体化学气相淀积(PECVD)法在温度为450℃、衬底偏压为100 V、射频功率为100 W的条件下,分别以Ni、SiO_(2)和HfO_(2)薄膜为衬底制备石墨烯薄膜。测试表明,Ni、SiO_(2)和HfO_(2)衬底均沉积了石墨烯薄膜,其中Ni衬底石墨烯薄膜样品最厚、缺陷最高;SiO_(2)和HfO_(2)石墨烯样品缺陷低,但石墨烯薄膜在HfO_(2)衬底的覆盖率低;通过Ni、SiO_(2)和HfO_(2)薄膜的表面能入手分析得出,碳原子在Ni表面以溶解-析出方式形成连续薄膜,以直接沉积模式在绝缘衬底上生长,高表面能导致石墨烯薄膜在HfO_(2)表面覆盖率低。

关键词：石墨烯薄膜等离子体化学气相淀积 HfO2薄膜表面能碳原子沉积

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低温等离子体化学及其进展

世界科学 1992年第9期 12-14页

作者：裴晋昌

等离子体,是物质存在的第四态。物质被电离后,其中电子和正离子密度几乎相等,故称之为等离子体。在浩瀚的宇宙中,以等离子体状态存在的物质占90％以上,如各类恒星、星际空间,包覆在地球表面的电离层等等,均是以物质第四态存在着。在我... 详细信息

等离子体,是物质存在的第四态。物质被电离后,其中电子和正离子密度几乎相等,故称之为等离子体。在浩瀚的宇宙中,以等离子体状态存在的物质占90％以上,如各类恒星、星际空间,包覆在地球表面的电离层等等,均是以物质第四态存在着。在我们这个得天独厚的地球上,等离子体的存在就颇为稀罕,如难得见到的极光、闪电等。以人工方法可获得等离子体,如以光、X射线或γ射线的辐照,产生较低电荷密度的电离,也可从直流到微波频率的放电生成不同的等离子体,其他如冲击波,激光辐照、燃烧等等,都可产生各种

关键词：等离子体淀积高分子材料改性等离子体应用高聚物非金属材料等离子体聚合膜等离子体化学气相淀积

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低温等离子体在刻蚀和无机合成上的应用

化学通报 1983年第12期 34-37页

作者：张酣沈瑜生中国科学技术大学应用化学系中国科学技术大学应用化学系合肥

等离子体化学发展二十多年来,在化学的许多领域里取得了重大进展。由于等离子体化学反应有许多优于普通化学反应的特点,所以引起了化学界的普遍重视。本文对低温等离子体在刻蚀和无机合成上的应用做一简略介绍。

关键词：刻蚀蚀刻水蚀等离子体化学气相淀积低温等离子体无定形刻蚀速率晶体等离子体法化学反应等离子体合成无机合成

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基于SiOC低k介质及其掺杂薄膜的研究

基于SiOC低k介质及其掺杂薄膜的研究

作者：郭好文复旦大学

学位级别：硕士

随着超大规模集成电路的发展,互连RC延迟越来越大,严重制约了芯片的运行速度。为了降低RC延迟,0.13μm的工艺技术开始采用低介电常数(k)介质与金属铜相结合的先进铜互连工艺。这就要求互连介质不仅需要有足够低的k值,还需要有较大的机... 详细信息

随着超大规模集成电路的发展,互连RC延迟越来越大,严重制约了芯片的运行速度。为了降低RC延迟,0.13μm的工艺技术开始采用低介电常数(k)介质与金属铜相结合的先进铜互连工艺。这就要求互连介质不仅需要有足够低的k值,还需要有较大的机械强度、良好的电学特性和足够的热稳定性等。因此,本论文采用目前两大主流技术——旋涂和等离子体增强化学气相淀积(PECVD),制备了低k介质薄膜,并对其相关特性进行了研究。主要内容如下: 基于正硅酸乙脂(TEOS)水解和聚合的原理,采用旋涂的方法,制备了低kSiCOH薄膜。研究发现,其k值随着薄膜中的有机基团(CH)含量的减少而降低。同时,退火之后的薄膜中的羟基(-OH)含量明显减少。本实验在500℃退火下,制备的低k介质的k值为2.53,漏电为1×10A/cm(在外加偏压为1MV/cm下)。为了改进旋涂低k薄膜的性质,论文研究了NH等离子体表面处理对低k薄膜化学性质的影响。在不同的NH等离子体处理时间中,5min处理下的笼状硅氧结构的含量最高,且吸水性的SiOH含量在不同处理时间下基本不变。在不同温度的处理中,薄膜的SiOH含量在180℃等离子体处理下比在室温等离子体处理下少。因此,为了保持薄膜的性质,NH等离子体处理应在较高温度下进行。以SiH,NO,CF为反应前驱体,用等离子体增强化学气相淀积方法制备低k薄膜SiCONF。研究表明,当CF/SiH气体流量比为2:1时,低k薄膜中不含F。此时由于CF流量较小,F易与等离子体中的H,Si结合,形成挥发性气体被排出去。随着CF气体流量的增大,低k薄膜中的C,F含量增大,同时N的含量减小。低k薄膜的介电常数随着Si-C键含量的增加而呈现减小的趋势。当Si-C键含量为8.4%时,薄膜的k值为2.64。这说明Si-C键的形成有利于减小薄膜的k值。Si-C化学键的存在降低了薄膜的密度和极化强度,从而减小了薄膜的介电常数。SiCONF的漏电性能良好,在1MV/cm的电场强度下,薄膜的漏电小于2×10A/cm。低k薄膜的硬度≥8.0 GPa,杨氏模量≥137.9 GPa。这表明氮的掺入保证了低k介质薄膜具有足够强的机械性能。

关键词：低k介质旋涂等离子体化学气相淀积傅立叶变换红外光谱 X射线光电子能谱

TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO2和P-SiON薄膜的研究

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TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO2和P-SiON薄膜的研究

作者：闻黎合肥工业大学

学位级别：硕士

本文是利用等离子体化学气相淀积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，在低温低压下，使用有机物TEOS(正硅酸四乙脂，Tetraethylorthosilicate，Si(CHO))为反应源在硅片表面上生长P-SiO介质膜以及P-SiON钝化膜，利用制程参数(RF功率、基板温度、气体流量以及反应压力)的改变，来探讨对薄膜的生长特性、硬度、应力、附着性及折射率的影响。实验结果显示，用PECVD法淀积的P-SiO膜是一表面平坦且致密的非晶质结构的薄膜，与硅片衬底之间有良好的附着性;在中心条件时生长速率可控制在2600A/min左右;在基板温度410℃时有最大的硬度可达16Gpa;其应力为压缩应力，可达-75Mpa;薄膜的临界荷重为46.5uN。在不同条件下所得的薄膜，其折射率在1.46左右。 PECVD所淀积的P-SiON薄膜亦是平坦且致密的非晶质结构，与硅片衬底之间有良好的附着性;在中心条件时生长速率可达2100A/min左右;薄膜硬度最大硬度值为18Gpa;P-SiON薄膜亦承受-60Mpa的压缩应力;薄膜的临界荷重可达45uN;在不同条件下所得的薄膜，其折射率在1.65左右。通过实验研究可以看出，与传统的SiH系SiO介质膜和SiON钝化膜相比，TEOS系薄膜作为介质膜和表面钝化膜具有膜质优良、可控性好的特点。其次，在大生产上，具有安全性好、成本低廉的优点。可广泛推广应用于IC的制造工艺中。

关键词：等离子体化学气相淀积正硅酸四乙脂二氧化硅氮氧化硅

Y2O3稳定的 ZrO2薄膜材料的制备和电导性质的研究

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无机材料学报 1987年第2期 124-133页

作者：方起彭定坤胡克鳌孟广耀林祖纕中国科学技术大学应用化学系中国科学院上海硅酸盐研究所合肥

以金属有机螯合物为源物质,采用低压等离子体化学气相淀积工艺（PCVD）,成功地生长了 Y2O3稳定的 ZrO3氧离子导体薄膜,对薄膜的化学组成、结构以及电导性能进行了研究。通过实验测量了等离子体条件下不同淀积参数对淀积速率的影响,探讨... 详细信息

以金属有机螯合物为源物质,采用低压等离子体化学气相淀积工艺（PCVD）,成功地生长了 Y2O3稳定的 ZrO3氧离子导体薄膜,对薄膜的化学组成、结构以及电导性能进行了研究。通过实验测量了等离子体条件下不同淀积参数对淀积速率的影响,探讨了各种参数对淀积过程的控制作用,进而为改进化学气相淀积工艺提供依据。

关键词：等离子体化学气相淀积薄膜氧离子导体氧化锆氧化钇