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南京大学学报(自然科学版) 1988年第4期 653-662页

作者：徐龙道任一涛南京大学物理系

本文用带电粒子在磁场中运动的Landau理论和GL超导电性理论相结合,计算了由不同GL参量（Ki）相区别的、堆积在大块超导填底（K2）上的（1）薄的（K1）和（2）厚的（K1）膜的两种极限情况系统的第三临界场Hc3,以及（3）三薄层超导膜系统... 详细信息

本文用带电粒子在磁场中运动的Landau理论和GL超导电性理论相结合,计算了由不同GL参量（Ki）相区别的、堆积在大块超导填底（K2）上的（1）薄的（K1）和（2）厚的（K1）膜的两种极限情况系统的第三临界场Hc3,以及（3）三薄层超导膜系统（K1—K2—K1）的临界场Hk。结果表明,在情形（1）中,当K=K1/K2=1时,Hc3与半无限空间样品的H°c3相一致。当K1时,Hc3H°c3;而当K时,Hc3H°c3。在情形（2）中,当K=1或K1层厚d→∞时,则Hc3=H°c3。当K1时,Hc3H°c3。当K1时,Hc3H°c3。所得的这些结果对实验结果作了分析。在情形（3）中,当K1时,HKK°,HK°K是同厚度单层薄膜的临界场。当K>>1时,HK=3K°K;而当K1时,HKH°K;当k<<1时,则HK随√K而变化。当K=1时,KK=H°K。与Ginzberg的结果一致。

关键词： GL 参量第三临界场 Landau 半径 Landau 频率 GL 方程

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