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文献类型

  • 5 篇 期刊文献
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  • 7 篇 电子文献
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  • 7 篇 理学
    • 7 篇 物理学
  • 4 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程(可...
    • 3 篇 电子科学与技术(可...
    • 1 篇 核科学与技术

主题

  • 7 篇 符合多普勒展宽
  • 3 篇 正电子湮没
  • 3 篇 缺陷
  • 1 篇 正电子
  • 1 篇 慢正电子束
  • 1 篇 氧化锌
  • 1 篇 电子偶素
  • 1 篇 金属多层膜
  • 1 篇 正-仲转换
  • 1 篇 不锈钢
  • 1 篇 电子辐照
  • 1 篇 化学猝灭
  • 1 篇 催化剂
  • 1 篇 gasb
  • 1 篇 正电子湮没寿命谱
  • 1 篇 抗辐照
  • 1 篇 性能研究
  • 1 篇 mo分散
  • 1 篇
  • 1 篇 moo3/al2o3催化剂

机构

  • 5 篇 武汉大学
  • 2 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 烟台大学
  • 1 篇 institute of app...
  • 1 篇 中国科学院研究生...
  • 1 篇 核固体物理湖北省...
  • 1 篇 四川大学
  • 1 篇 中国石化抚顺石油...
  • 1 篇 中国科学院高能物...

作者

  • 3 篇 王柱
  • 3 篇 陈志权
  • 2 篇 王少阶
  • 2 篇 赵有文
  • 2 篇 张宏俊
  • 1 篇 唐方圆
  • 1 篇 章志明
  • 1 篇 邵云东
  • 1 篇 王宝义
  • 1 篇 祁宁
  • 1 篇 庞锦标
  • 1 篇 张兰芝
  • 1 篇 柯君玉
  • 1 篇 罗锡辉
  • 1 篇 钟玉荣
  • 1 篇 akira uedono
  • 1 篇 魏龙
  • 1 篇 王丹妮
  • 1 篇 戴益群
  • 1 篇 任峰

语言

  • 7 篇 中文
检索条件"主题词=符合多普勒展宽"
7 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
符合多普勒展宽测量系统的性能研究
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核技术 2008年 第8期31卷 577-582页
作者: 王丹妮 王宝义 张兰芝 钟玉荣 章志明 李道武 魏龙 张天保 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室 北京100049 中国科学院研究生院 北京100049 烟台大学光电信息学院 山东264005
研制了一套具有外触发和内触发两种工作模式的高性能符合多普勒展宽测量系统(Coincident Doppler Broadening,CDB),其中外触发模式具有更好的时间分辨(FWHM〈7ns)和更高的峰谷比(〉10^6),适于强源高计数率测量(符合计数率〉20... 详细信息
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符合多普勒展宽谱(CDB)研究不锈钢中氢与缺陷的相互作用
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核技术 2006年 第4期29卷 249-252页
作者: 陈叶清 吴奕初 王柱 武汉大学物理科学与技术学院 武汉430072
采用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI304不锈钢中氢与缺陷的相互作用。PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多。进一步地,通过比较CDB实验的商... 详细信息
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MoO3/Al2O3催化剂中Mo分散的正电子研究
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物理学报 2008年 第11期57卷 7333-7337页
作者: 张宏俊 王栋 陈志权 王少阶 徐友明 罗锡辉 武汉大学物理科学与技术学院 武汉430072 中国石化抚顺石油化工研究院 抚顺113001
用浸渍法制备了一系列不同Mo含量的MoO3/Al2O3催化剂.测量了这些样品的正电子湮没寿命谱(PALS)与符合多普勒展宽(CDB)谱,以研究其孔洞结构以及Mo分散.正电子寿命测量结果表明,Al2O3载体中存在两种不同尺寸的孔洞.掺入MoO3之后,Mo原子主... 详细信息
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用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷
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武汉大学学报(理学版) 2006年 第1期52卷 35-39页
作者: 邵云东 王柱 赵有文 唐方圆 武汉大学物理科学与技术学院 湖北武汉430072 中国科学院半导体研究所 北京100083 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室 成都610065
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符... 详细信息
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用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷
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武汉大学学报(理学版) 2008年 第3期54卷 305-308页
作者: 王柱 柯君玉 李辉 庞锦标 戴益群 赵有文 武汉大学物理科学与技术学院 湖北武汉430072 中国科学院半导体研究所 北京100083
利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应.经900℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型... 详细信息
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Al2O3催化剂的孔洞结构及化学环境的正电子探测
Al2O3催化剂的孔洞结构及化学环境的正电子探测
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第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会
作者: 张宏俊 陈志权 王少阶 武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省实验室
将NiO、Fe2O3、CuO三种活性成分分别与γ-Al2O3载体按不同质量比混合,制成NiO/Al2O3、Fe2O3/Al2O3、CuO/Al2O3三种催化剂。利用正电子寿命和符合多普勒展宽测量
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V/Ag纳米金属多层膜的慢正电子束研究
V/Ag纳米金属多层膜的慢正电子束研究
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第十二届全国正电子谱学会议
作者: 祁宁 任峰 Akira Uedono 陈志权 核固体物理湖北省重点实验室 武汉大学物理科学与技术学院 Institute of Applied Physics University of Tsukuba. Tsukuba 305-8573Japan
核能在未来的能源结构中将起着越来越重要的作用。然而,核反应堆中的各种材料长期处于核辐射环境中,导致材料的结构变化和性能恶化,影响了反应堆的安全。设计和制备具有优异抗辐照性能的材料已成为当前急剧解决的问题。纳米金属多层膜... 详细信息
来源: cnki会议 评论