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空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响

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Journal of Semiconductors 2005年第1期26卷 78-83页

作者：郑代顺张旭钱可元清华大学深圳研究生院深圳518055 甘肃联合大学数信学院兰州730000

采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的... 详细信息

采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度 ,改善了器件的性能 ;而对于蓝色OLED ,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入 ,导致器件性能恶化 .这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响。

关键词：空穴缓冲层 CuPc 绿色和蓝色OLED 注入势垒空间电荷

V_2O_5空穴缓冲层对绿色磷光OLED性能的影响

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半导体技术 2016年第9期41卷 684-689页

作者：杜帅张方辉陕西科技大学理学院西安710021

采用真空热蒸发的方法制备了V_2O_5薄膜,将其引入有机发光二极管(OLED)器件中用作空穴缓冲层,制备了以4,4'-N,N'-二咔唑基联苯(CBP)为主体材料,Ir(ppy)2acac为绿光磷光掺杂染料的OLED器件,结构为ITO/V_2O_5/NPB/TCTA/CBP∶Ir(ppy)2acac/BCP/Alq3/Li F/Al。研究了不同厚度的V_2O_5作为空穴缓冲层对绿色磷光OLED器件发光性能的影响。结果表明,当V_2O_5薄膜的厚度为30 nm时,器件的性能最佳,其最大电流效率和最大功率效率分别为54.36 cd/A和48.77 lm/W,比未加入缓冲层的常规器件均提高了34%。在驱动电压为11 V时,亮度可达到28 990 cd/m2,且在电压从5 V上升至10 V的过程中,对应的色坐标仅从(0.36,0.60)变化为(0.36,0.61),具有很高的稳定性。分析认为适当厚度的V_2O_5薄膜降低了发光层中空穴的浓度,提高了空穴和电子载流子的复合效率。

关键词：空穴缓冲层 V2O5 绿色磷光有机发光二极管(OLED) 性能

空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响

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液晶与显示 2008年第6期23卷 680-683页

作者：牟强王秀峰张麦丽陕西科技大学电气与信息工程学院陕西西安710021 陕西科技大学材料科学与工程学院陕西西安710021

在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发... 详细信息

在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。

关键词：空穴缓冲层 2T-NATA 发光效率

用C_(60)为空穴缓冲层的高效率有机电致发光器件

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发光学报 2002年第3期23卷 269-272页

作者：朱文清郑新友张步新吴有智蒋雪茵张志林许少鸿上海大学材料学院电子信息材料系上海201800

以富勒烯C60 作为空穴注入缓冲层 ,在结构为ITO/C60 /TPD/Alq3 /LiF/Al的器件中 ,改善了器件的发光效率。研究了C60 厚度对器件发光特性的影响。当C60 厚度为 1 6nm时 ,器件发光效率最高。在电流密度为 10 0mA/cm2 时。

关键词： C60 空穴缓冲层有机电致发光器件载流子平衡发光效率碳60 发光特性

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ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

发光学报 2006年第6期27卷 877-881页

作者：仲飞叶勤刘彭义翟琳吴敬张靖垒暨南大学物理系广东广州510632

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度... 详细信息

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。

关键词：有机发光二极管 ZnS超薄膜空穴缓冲层电流效率

磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件

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功能材料与器件学报 2005年第4期11卷 461-465页

作者：仲飞刘彭义任思雨暨南大学物理系广州510632

采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密... 详细信息

采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。

关键词： TiO2超薄膜磁控溅射有机发光二极管空穴缓冲层

空穴缓冲层的厚度对有机电致发光器件性能的影响

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吉林师范大学学报（自然科学版） 2007年第2期28卷 16-18页

作者：王洪梅姜文龙王静韩强丁桂英王立忠赵晓红吉林师范大学信息技术学院吉林四平136000

本文利用有机发光材料4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)作为空穴缓冲层,制备了结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件.在器件的制备过程中通过改变空穴缓冲层2T-NATA的厚度使器件的亮度和效率得到了改善.当2T-NATA的厚度为15 nm时,器件的性能最好.在电流密度为623mA/cm2时最大亮度达到16530cd/m2,对应的电流效率为2.65cd/A,器件的色坐标为(0.23,0.36),属于蓝绿光发射.

关键词：空穴缓冲层有机电致蓝光器件性能

用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文)

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电子器件 2008年第1期31卷 40-43页

作者：张靖磊仲飞刘彭义暨南大学物理学系广州510632

用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓... 详细信息

用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。

关键词：有机发光二极管 ZnS薄膜空穴缓冲层电流效率

PrF_3阳极缓冲层对OLED器件性能的影响

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发光学报 2011年第9期32卷 929-933页

作者：廖亚琴陈红刘星元中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院研究生院北京100039

使用真空热蒸镀法制备的OLED器件,利用不同厚度的PrF3作阳极缓冲层,并和未加缓冲层的器件进行了对比。实验结果表明:0.5 nm厚的PrF3阳极缓冲层可以有效增强OLED器件的空穴注入能力,增强电子和空穴的浓度平衡,优化器件的电致发光特性。... 详细信息

使用真空热蒸镀法制备的OLED器件,利用不同厚度的PrF3作阳极缓冲层,并和未加缓冲层的器件进行了对比。实验结果表明:0.5 nm厚的PrF3阳极缓冲层可以有效增强OLED器件的空穴注入能力,增强电子和空穴的浓度平衡,优化器件的电致发光特性。器件的最大电流效率为4.9 cd/A,最大亮度为33 600 cd/m2,分别是未加入缓冲层的常规器件(3.7 cd/A,最大亮度为12 230 cd/m2)的1.3倍和2.75倍。

关键词：有机电致发光器件 PrF3 空穴缓冲层功函数