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稀有金属 1993年第4期17卷 288-294页

作者：杨遇春金红北京有色金属研究总院 100088

综述了稀土在集成电路用陶瓷基片、超导陶瓷、电容器陶瓷、压电陶瓷和导电陶瓷等五种电子陶瓷中的作用、开发现状、发展趋向和面临的问题。指出高技术陶瓷中电子陶瓷的市场规模最大,其中以稀土为生成份的 YSZ 作为传感器和燃料电池用固... 详细信息

综述了稀土在集成电路用陶瓷基片、超导陶瓷、电容器陶瓷、压电陶瓷和导电陶瓷等五种电子陶瓷中的作用、开发现状、发展趋向和面临的问题。指出高技术陶瓷中电子陶瓷的市场规模最大,其中以稀土为生成份的 YSZ 作为传感器和燃料电池用固态电解质和以稀土为添加剂的 AlN 作为电子工业的基片材料,有可能形成巨大的潜在市场,急待开发。

关键词：电子陶瓷稀土功能陶瓷

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稀土材料La-Ba-(Mn,Fe)-O的磁电输运特性探讨

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稀有金属材料与工程 2000年第6期29卷 374-377页

作者：胡季帆秦宏伟赵文瑾季成杰梅良模王亦忠王震西山东大学济南250100 中国科学院物理研究所北京100080

研究制备了 L a0 .6 7Ba0 .3 3Mn1 - x Fex O3(x=0 ,0 .0 5 ,0 .1)材料。结果表明 :铁替换锰降低了材料的饱和磁化强度及居里温度 ,主要是因为 Fe离子不参加双交换作用 ,同时 Mn3+ - O2 - - Mn4+ 的作用对随铁离子替代 Mn3+ 而数量减少 ... 详细信息

研究制备了 L a0 .6 7Ba0 .3 3Mn1 - x Fex O3(x=0 ,0 .0 5 ,0 .1)材料。结果表明 :铁替换锰降低了材料的饱和磁化强度及居里温度 ,主要是因为 Fe离子不参加双交换作用 ,同时 Mn3+ - O2 - - Mn4+ 的作用对随铁离子替代 Mn3+ 而数量减少 ,材料的铁磁作用随之减弱。铁替换锰降低了金属 -半导体转换峰温度 ,相应提高了材料的零场电阻值。值得注意的是铁掺杂提高了大磁阻材料 L a0 .6 7Ba0 .3 3Mn1 - x Fex O3的低温性能 ,5 K下磁阻比 [R(6 T) - R(0 ) ]/ R(0 )从 x=0时的- 40 %增加到 x=0 .1时的 - 6 0 %。本文同时利用迪尼模型对材料大磁阻效应进行了计算分析 ,发现理论计算曲线可以较好的反映实验上出现的金属 -半导体转换峰现象 ,同时负的大磁阻效应现象也可从理论计算上得到证实。

关键词：稀土功能陶瓷大磁阻效应 La-Ba-(Mn,Fe)-O

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