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移位寄存器

无线电 2003年第1期 59-60页

作者：宋东生

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移位寄存器控制的流水灯设计

电子技术（上海） 2022年第6期51卷 12-14页

作者：李永际河南技师学院河南450007

阐述由555集成电路构成多谐振荡器产生时钟脉冲,作为流水灯控制电路的脉冲输入信号,移位控制器用74HC164集成电路控制流水灯,74HC164是8位边沿触发式移位寄存器。设计移位寄存器控制流水灯(灯从全亮,到依次全灭)手动复零电路,然后设计... 详细信息

阐述由555集成电路构成多谐振荡器产生时钟脉冲,作为流水灯控制电路的脉冲输入信号,移位控制器用74HC164集成电路控制流水灯,74HC164是8位边沿触发式移位寄存器。设计移位寄存器控制流水灯(灯从全亮,到依次全灭)手动复零电路,然后设计了移位寄存器控制流水灯(灯从全亮,到依次全灭)自动复零电路,在自动复位的流水灯控制电路中,需要使用CD4069反相器集成电路。设计8个灯依次灭和依次亮的右移自动循环控制电路,以及流水灯一亮一灭闪烁右移自动循环的控制电路。

关键词：移位寄存器时序逻辑电路触发器时钟脉冲

混沌序列与一类基于移位寄存器的非线性序列的性能比较

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电子与信息学报 2003年第11期25卷 1475-1481页

作者：米良朱中梁西南电子电信技术研究所成都610041

混沌序列与一类基于移位寄存器的非线性序列—非线性前馈逻辑(Non-Linear Feed-ForwardLogic,NLFFL)序列都具有非线性、宽带类噪声、大的码族、长的周期且容易产生的特性,通过对它们在产生方式、相关性能、多址性能以及抗相关攻击能力... 详细信息

混沌序列与一类基于移位寄存器的非线性序列—非线性前馈逻辑(Non-Linear Feed-ForwardLogic,NLFFL)序列都具有非线性、宽带类噪声、大的码族、长的周期且容易产生的特性,通过对它们在产生方式、相关性能、多址性能以及抗相关攻击能力等方面进行分析和仿真研究,说明混沌序列与该类非线性序列在性能上总体相当,但对于短周期序列(N≤1023),混沌序列的抗相关攻击、抗干扰能力更强,因此更具有实用价值。

关键词：混沌序列移位寄存器非线性序列非线性前馈逻辑

CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法

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原子能科学技术 2012年第B09期46卷 577-581页

作者：孟丽娅刘泽东胡大江王庆祥重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030

电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏... 详细信息

电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏感的节点存在于反相器的输入端,反相器的输入阈值电压和输入节点电容决定了其抗SEU的能力。提出了用施密特触发器代替反相器的加固方案,因施密特触发器的电压传输特性存在一滞回区间,所以有更高的翻转阈值,从而可获得更好的抗SEU能力。仿真结果表明,采用施密特触发器的移位寄存器结构较原电路结构的抗SEU能力提高了约10倍。

关键词： APS 移位寄存器 SEU加固施密特触发器

TI TLC6A598高压大电流8位移位寄存器驱动LED方案

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世界电子元器件 2022年第3期 47-52页

TI公司的TLC6A598是单片高压大电流8位移位寄存器,设计用于需要相对高负载功率如LED的系统.器件包含在输出内置电压钳位,用于感性瞬态保护.功率驱动器应用包括继电器,电磁阀和其它大电流或高电压负载.每个开路漏极DMOS晶体管具有单独的... 详细信息

TI公司的TLC6A598是单片高压大电流8位移位寄存器,设计用于需要相对高负载功率如LED的系统.器件包含在输出内置电压钳位,用于感性瞬态保护.功率驱动器应用包括继电器,电磁阀和其它大电流或高电压负载.每个开路漏极DMOS晶体管具有单独的斩波电流限制电路,以防止在短路情况下出现的危险.器件有一个8位串联进并行出的移位寄存器,给8位D型存储存储器提供信息输出是低边开路漏极DMOS晶体管,输出电压50V和连续沉电流350m A.

关键词：移位寄存器高压大电流漏极 DMOS 输出电压电压钳位负载功率瞬态保护

构造移位寄存器全部序列的方法——质圈合并法和M圈分离法

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西北工业大学学报 1988年第3期6卷 281-288页

作者：谭益智西北工业大学教授

作者提出了移位寄存器循环序列(又称为圈)应分为质圈和复合圈的概念。又证明了n级移位寄存器的全部质圈就是n-1级移位寄存器的全部圈。在分析质圈和复合圈的各种性质的基础上,提出了两种构造移位寄存器全部序列,即全部圈的方法:质圈合... 详细信息

作者提出了移位寄存器循环序列(又称为圈)应分为质圈和复合圈的概念。又证明了n级移位寄存器的全部质圈就是n-1级移位寄存器的全部圈。在分析质圈和复合圈的各种性质的基础上,提出了两种构造移位寄存器全部序列,即全部圈的方法:质圈合并法和M圈分离法。用这两种方法可以构造出目前还没有有效方法构造出的n=5的全部移位寄存器序列。结果表明n=5的序列(圈)共有30176个。这些结果已储存在计算机的软盘中,占900K的存贮空间。并用各种方法验证了它们的正确性。各种长度的循环序列的总数,已列成表附在文中。并用二进制码将各种序列打印成表,合计300页,以备选用。

关键词：移位寄存器序列移位寄存器序列编码

改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真(英文)

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发光学报 2008年第5期29卷 795-799页

作者：丁媛媛司玉娟郎六琪吉林大学通信工程学院吉林长春130022 吉林大学珠海学院电子工程系广东珠海519041 吉林大学珠海学院计算机科学与技术系广东珠海519041

p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,... 详细信息

p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。

关键词：移位寄存器 P沟道技术多晶硅薄膜晶体管有源OLED HSPICE仿真