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主题

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  • 4 篇 腐蚀速率
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  • 2 篇 光致抗蚀剂
  • 2 篇 离子束光刻
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  • 2 篇 衍射光学元件
  • 1 篇 抗腐蚀
  • 1 篇 锚杆锚固体
  • 1 篇 离子束腐蚀
  • 1 篇 油田采出水
  • 1 篇 渗锌碳钢
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  • 1 篇 各向异性腐蚀
  • 1 篇 循环冷却器
  • 1 篇 磁控
  • 1 篇 粘接剂
  • 1 篇 耐盐固化
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机构

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  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 辽宁石油化工大学
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  • 1 篇 中国矿业大学
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作者

  • 3 篇 杜春雷
  • 3 篇 王永茹
  • 3 篇 张锦
  • 3 篇 周礼书
  • 2 篇 冯伯儒
  • 2 篇 林大键
  • 2 篇 侯德胜
  • 1 篇 黄子伦
  • 1 篇 赵杉林
  • 1 篇 李萍
  • 1 篇 郭勇邱
  • 1 篇 李建中
  • 1 篇 何滨
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检索条件"主题词=离子腐蚀"
14 条 记 录,以下是1-10 订阅
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采用CH_4/H_2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究
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Journal of Semiconductors 1991年 第4期12卷 231-237页
作者: 李建中 陈纪瑛 中国科学院半导体研究所 北京100083
CH_4/H_1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀.由于腐蚀反应过程产生一定的淀积物,有利于增加图形侧墙腐蚀的钝化保护,实现垂直腐蚀,并能提高掩模的掩蔽作用.实验结果说明这是比较实用的一种腐蚀气体系统.对这个腐蚀系统进行了系... 详细信息
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采用反应性离子腐蚀使SiO2腐蚀速率为Si的25倍以上
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微电子学 1979年 第3期 115-116页
作者: 黄子伦
日本东京芝浦电气综合研究所研制成功了一种使用C2F6气体反应性高子腐蚀装置,可使SiO2的腐蚀速率为硅的25倍以上。 这种离子腐蚀装置不同于平行电极型于腐蚀装置,它采用反应性气体。对日本电子研制的冷阴极磁控管离子枪进行了改良,用希... 详细信息
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硅中薄窗口的离子腐蚀
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微纳电子技术 1975年 第9期 49-51页
作者: E、G、Spencer 张慕义
采用离子腐蚀在硅片上制作5~10微米厚、约1厘米直径的薄窗口。这个方法允许所用离子源的变化范围很宽,并在直径为1厘米的面积上提供每小时20微米的腐蚀速度。窗口的表面是平坦而光滑的镜面。窗口的边缘是陡峭的并为离子束的方向所确定... 详细信息
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溅射腐蚀(离子腐蚀)
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微纳电子技术 1972年 第2期 78-79页
作者: 何滨
溅射制取薄膜的过程是把薄膜基片置于靶侧,由于离子的轰击,薄膜就飞散消失了。用此原理,若把绘有抗蚀剂图形的薄膜置于靶侧,因此也完全能够形成薄膜图象。在溅射腐蚀中,一般采用射频(RF)法。而直流(DC)法,由于光致抗蚀剂带电导致不能形... 详细信息
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离子腐蚀改善粘接接头的强度
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新技术新工艺 1983年 第6期 49-49页
作者: 易万龙
离子腐蚀工艺可使塑料件粘接接头强度显著提高,因离子处理产生密集的“茅草”状结构(即微小尖顶),这种结构能在塑料表面上得到较大的粘接剂浸湿面积和粘接面积。“茅草”状尖顶的长度范围为几十到几百微米,取决于离子束的能量、离子... 详细信息
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油田采出水中主要腐蚀离子对渗锌碳钢的腐蚀
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石油化工高等学校学报 2011年 第3期24卷 31-34页
作者: 高楠 王婵 张凤华 李飞 赵杉林 李萍 辽宁石油化工大学石油化工学院 辽宁抚顺113001 辽宁石油化工大学化学与材料科学学院 辽宁抚顺113001 辽宁石油化工大学环境与生物工程学院 辽宁抚顺113001
采用静态腐蚀挂片失重方法,研究了胜利油田采出水中主要腐蚀离子成份(Cl-,Ca2+,HCO-3)对20#碳钢和渗锌碳钢的腐蚀行为,并对腐蚀原因做出了分析。研究表明,20#碳钢及渗锌碳钢的腐蚀速率随腐蚀介质中Cl-质量浓度的增加而呈现上升趋势;Ca2... 详细信息
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砂浆锚杆锚固体耐腐蚀性试验研究
砂浆锚杆锚固体耐腐蚀性试验研究
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作者: 王明明 中南大学
学位级别:硕士
针对锚固结构的耐久性问题,本文聚焦砂浆锚杆锚固体的抗压性能、粘结性能、腐蚀特性和显微结构,利用室内加速腐蚀的试验方法,获得了锚固体的宏观力学特性和微观结构形态,揭示了锚固体的耐腐蚀性规律。取得主要成果如下:(1)通过长期浸泡... 详细信息
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滨海相软土水泥土强度劣化机理及耐盐固化技术研究
滨海相软土水泥土强度劣化机理及耐盐固化技术研究
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作者: 张凯翔 中国矿业大学
学位级别:硕士
滨海相软土中含有大量的腐蚀盐类,如硫酸盐、镁盐和氯盐,其软土固化工程不可避免要遇到离子腐蚀问题,使水泥土产生劣化效应,进而导致水泥土结构的破坏和强度的降低。本文以滨海相软土水泥土为研究对象,采用无侧限抗压强度试验、质量变... 详细信息
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制作石英二元衍射光学元件工艺研究
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光电工程 1997年 第S1期24卷 53-57,63页
作者: 周礼书 杜春雷 张锦 王永茹 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
介绍在微电子加工工艺设备的基础上研究制作8位相台阶衍射光学元件(DOE)的工艺方法。对光刻曝光、反应离子刻蚀(RIE)等关键工艺进行了实验,得到有实用价值的工艺参数和数据。
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反应离子刻蚀工艺因素研究
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光电工程 1997年 第S1期24卷 47-52页
作者: 张锦 冯伯儒 杜春雷 王永茹 周礼书 侯德胜 林大键 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
通过大量的实验研究,介绍了反应离子刻蚀的原理,分析了不同材料反应离子刻蚀的机理和关键的工艺因素,给出了工艺参数结果。
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