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  • 1 篇 纳米材料

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  • 1 篇 天津大学

作者

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语言

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检索条件"主题词=神经网络活动"
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短暂性脱髓鞘导致长期认知障碍、髓鞘改变和神经网络同步缺陷
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神经损伤与功能重建 2024年 第3期19卷 F0003-F0003页
作者: Océane Mercier Pascale P Quilichini Karine Magalon Florian Gil Antoine Ghestem Fabrice Richard Thomas Boudier Myriam Cayre Pascale Durbec 杜一星(编译) UMR7288 after IBDM Aix Marseille UnivCNRSIBDMMarseilleFrance U1106 after INS Aix Marseille UnivINSERMINSInst Neurosci SystMarseilleFrance Aix Marseille Univ Turing Centre for Living SystemsMarseilleFrance 不详
在成年大脑中,活动依赖性髓鞘可塑性是正确学习和记忆巩固所必需的。因此,髓鞘的丢失、改变,甚至细微的结构变更都会损害神经网络活动,导致功能障碍。在多发性硬化症中,虽然自发的髓鞘修复过程是可能的,但患者之间存在异质性。髓鞘修复... 详细信息
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纳米材料对神经系统电生理特性的影响
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纳米技术与精密工程 2015年 第1期13卷 41-49页
作者: 杨佳佳 万柏坤 明东 天津大学精密仪器与光电子工程学院 天津300072
随着纳米技术迅速发展及纳米材料(含纳米颗粒和纳米管等)在神经系统疾病的诊断、治疗、康复中的广泛应用,纳米材料对神经系统的生物安全性研究已成为热点.纳米材料本身的特殊性使之能够轻易通过血脑屏障进入神经系统,然而关于纳米材料... 详细信息
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