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用电镜对CoCr垂直磁化薄膜观察磁畴随温度的变化及居里点检测(英文)

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北京大学学报（自然科学版） 1992年第3期28卷 321-326页

作者：潘国宏王勤堂张晓苹汪裕苹物理学系电镜实验室

本文研究了CoCr垂直磁化薄膜的磁畴随温度的变化。垂直磁化点畴变化为面内磁化羽状畴的转变温度在升温过程中为350℃。本实验测得CoCr膜的居里点T_c约在600℃附近。本文也分析了H_k或K_u随温度的变化要比M随温度的变化更快。这支持了垂... 详细信息

本文研究了CoCr垂直磁化薄膜的磁畴随温度的变化。垂直磁化点畴变化为面内磁化羽状畴的转变温度在升温过程中为350℃。本实验测得CoCr膜的居里点T_c约在600℃附近。本文也分析了H_k或K_u随温度的变化要比M随温度的变化更快。这支持了垂直磁各向异性根源主要来自磁晶各向异性。显微照片也显示了自发磁化点畴的尺寸要比膜表面晶粒或膜断面晶柱的尺寸都要大,并都处在单畴状态。

关键词：磁畴磁各向异性薄膜钴铬合金

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铁磁性阻尼合金中磁畴运动的动态观察

钢铁研究学报 1993年第1期5卷 45-48页

作者：刘效东吴宝榕冶金部钢铁研究总院

在备有拉伸装置的JEM-200CX透射电镜下对Fe-Cr-Al系铁磁性阻尼合金中铁素体内的磁畴结构及畴壁运动进行了动态观察。观察结果表明:磁畴在外力作用下的运动是通过部分原畴壁的消失,新畴壁的形成以及新、旧畴壁的重构来完成的,本文还初步... 详细信息

在备有拉伸装置的JEM-200CX透射电镜下对Fe-Cr-Al系铁磁性阻尼合金中铁素体内的磁畴结构及畴壁运动进行了动态观察。观察结果表明:磁畴在外力作用下的运动是通过部分原畴壁的消失,新畴壁的形成以及新、旧畴壁的重构来完成的,本文还初步探讨了铁素体内磁畴运动的规律。

关键词：铁磁性阻尼合金磁畴动态观察

利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究

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电子显微学报 2011年第2期30卷 97-101页

作者：刘海华车仁超王志峰段晓峰北京电子显微镜实验室北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所北京100190

利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型。

关键词：原位洛仑兹电子显微术链状位移型畴壁磁畴坡莫合金

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洛伦兹显微术及Sm－Co基合金磁畴研究

稀有金属 1996年第2期20卷 84-87页

作者：刘安生邵贝羚北京有色金属研究总院

介绍了用于磁畴观察的散焦和移动光栏法的洛伦兹技术，并且用这种技术观察了永磁材料Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７中的畴壁。研究表明，峰时效的Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７合金磁畸宽度在几百纳米到几微米之间，其畴壁... 详细信息

介绍了用于磁畴观察的散焦和移动光栏法的洛伦兹技术，并且用这种技术观察了永磁材料Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７中的畴壁。研究表明，峰时效的Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７合金磁畸宽度在几百纳米到几微米之间，其畴壁的走向沿Ｓｍ＿２（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿１７（２：１７）相边界，即沿着１：５相，而经８５０℃、１０ｈ的过时效处理后，在２：１７相的基体上１：５相生长成较大的条块状。此时，畴壁的走向不再沿１：５相，畴结构与其组织没有明显的对应关系。

关键词：洛伦兹显微术磁畴钐钴合金

交换偏置多铁异质结中电场调控可逆性磁化反转的矢量分析研究

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Science China Materials 2022年第1期65卷 186-192页

作者：赵星儿胡忠强方婷程宇心施可庆翁一心杜泳君吴金根关蒙萌王志广周子尧刘明潘景业 Electronic Materials Research Laboratory Key Laboratory of the Ministry of Education&International Center for Dielectric ResearchSchool of Electronic Science and EngineeringState Key Laboratory for Mechanical Behavior of MaterialsXi’an Jiaotong UniversityXi’an 710049China Translational Medicine Laboratory the First Affiliated Hospital of Wenzhou Medical UniversityWenzhou 325000China Key Laboratory of Intelligent Critical Care and Life Support Research of Zhejiang Province Department of Intensive Carethe First Affiliated Hospital of Wenzhou Medical UniversityWenzhou 325000China

铁磁与反铁磁层间的交换偏置效应已在自旋电子器件中得到了广泛应用.目前,利用电场调控这一低能耗的方式已经实现了对交换偏置磁性多层膜中如交换偏置场和磁化值等宏观性质的调节.然而,交换偏置体系中磁畴如何随施加电场进行演化却鲜有... 详细信息

铁磁与反铁磁层间的交换偏置效应已在自旋电子器件中得到了广泛应用.目前,利用电场调控这一低能耗的方式已经实现了对交换偏置磁性多层膜中如交换偏置场和磁化值等宏观性质的调节.然而,交换偏置体系中磁畴如何随施加电场进行演化却鲜有报道.本文采用定量磁光克尔效应(MOKE)显微成像系统,实现了原位矢量分析CoFeB/IrMn/PMN-PT(011)交换偏置多铁异质结中电场作用下的可逆磁化反转.在保持偏置磁场于-80 Oe不变的情况下,外加电场驱动磁畴的磁化方向在160°方向与80°-120°方向区间内往复变化,对应磁畴的横向分量也于225°方向与45°方向间来回切换.同时,通过逐像素比对不同电场下的磁畴,进一步证实了电场调节磁化反转的可逆性.此外,在零偏置磁场下也实现了对磁化反转的可逆电场调节.电场调控交换偏置的矢量分析对于理解磁电效应以及发展下一代自旋电子器件具有重要意义.

关键词：矢量分析磁光克尔效应磁性多层膜交换偏置场磁化方向宏观性质磁电效应磁畴

色散旋性材料及磁畴的能带结构与本征模式的厄米矩阵求法

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功能材料与器件学报 2013年第5期19卷 222-226页

作者：张小刚李伟蒋寻涯中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学复旦大学信息科学与技术院光源与照明工程系复旦大学教育部高级光源研究中心

我们把色散、无损耗旋磁材料体模的能带结构看作厄米本征值问题。进一步计算表明,该本征模式是一组正交完备基,并且可以用于严格计算有损耗时此种色散体系的本征模式。我们也给出了存在畴界时的边界模式通过该厄米矩阵来求解的方法,表... 详细信息

我们把色散、无损耗旋磁材料体模的能带结构看作厄米本征值问题。进一步计算表明,该本征模式是一组正交完备基,并且可以用于严格计算有损耗时此种色散体系的本征模式。我们也给出了存在畴界时的边界模式通过该厄米矩阵来求解的方法,表明该模式具有单向传输的特性。

关键词：本征模厄米矩阵旋磁材料能带结构单向传输本征值问题磁畴磁场方向本征方程微扰理论

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准二维铁磁体Cr5Te8的磁畴观测及调控

准二维铁磁体Cr5Te8的磁畴观测及调控

作者：朱旺安徽大学

学位级别：硕士

磁性材料在信息存储领域存在广泛的应用。随着信息时代的发展,高密度存储器件越来越凸显出其应用价值,而理解磁性材料磁化翻转行为是实现磁存储器件的基础。在铁磁性材料内部/表面存在微观磁化单元——磁畴,它是为满足铁磁体内总能量极... 详细信息

磁性材料在信息存储领域存在广泛的应用。随着信息时代的发展,高密度存储器件越来越凸显出其应用价值,而理解磁性材料磁化翻转行为是实现磁存储器件的基础。在铁磁性材料内部/表面存在微观磁化单元——磁畴,它是为满足铁磁体内总能量极小条件而产生的。磁畴内部中的原子磁矩方向一致,不同磁畴中的原子磁矩方向不同。研究铁磁性材料的磁畴对于理解材料的磁化反转行为具有重要意义。二维(2D)van der Waals(vd W)材料具备超薄、柔韧等特点,具有丰富的力、热、电、光、磁学方面的性质。2D vd W磁体在特定温度下(直至原子层厚度)表现出固有的铁磁/反铁磁基态,此类材料的出现开辟了材料科学的新领域,为自旋电子学的发展提供了前所未有的机遇。磁光克尔效应(MOKE)对材料磁性非常敏感。显微MOKE技术是一种无损的、非接触的、简单方便的磁性探测方案,并且具有很高的空间分辨率,能实现微区测量。近年来,在2D磁性材料这个热点下,显微MOKE技术同时发挥着重要的作用。利用显微MOKE技术对2D磁性材料的磁畴及其随磁场的演化进行研究,为理解和控制材料的磁畴提供了微观基础。本论文的主要内容如下:(1)详细介绍了磁光克尔效应的宏观理论以及微观起源,并对宽场显微MOKE实验系统的搭建,测试原理,各部件的功能、选择,测试程序以及数据处理方法做了系统的分类描述。该系统具有很好的稳定性,并能实现～1μm的空间分辨率,可以实现变温变场,实时观察并记录样品面外磁化方向的磁畴结构,研究样品磁畴结构及其演化。(2)利用宽场显微MOKE成像技术,观测了准二维铁磁体CrTe磁畴结构及其随磁场的演化。发现宏观磁畴形态与晶体结构密切相关,这意味着在该准二维晶体中面内磁交换能量的各向异性大。而且样品的表面缺陷会干扰磁畴结构的自由生长,修饰表面磁畴结构,从而阻碍或引导磁畴的生长。(3)开展了准二维铁磁体CrTe磁畴电学调控的相关工作。

关键词：准二维铁磁体Cr5Te8 磁畴显微磁光克尔技术磁畴调控

同方学位论文库评论

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自旋转向相变中的条纹磁畴研究

物理 2005年第2期34卷 104-108页

作者：吴义政加州大学伯克利分校物理系

用光激发电子显微镜研究了Fe/Ni铁磁膜和Co/Cu/Fe/Ni磁耦合膜中的条纹磁畴. 实验发现:在Fe/Ni体系中,条纹磁畴宽度随着铁层厚度趋近于自旋转向相变点呈指数下降;在Co/Cu/Fe/Ni体系中,Fe/Ni层中的条纹磁畴会沿着钴层磁矩的方向排列,其磁... 详细信息

用光激发电子显微镜研究了Fe/Ni铁磁膜和Co/Cu/Fe/Ni磁耦合膜中的条纹磁畴. 实验发现:在Fe/Ni体系中,条纹磁畴宽度随着铁层厚度趋近于自旋转向相变点呈指数下降;在Co/Cu/Fe/Ni体系中,Fe/Ni层中的条纹磁畴会沿着钴层磁矩的方向排列,其磁畴宽度会随着Co-Fe/Ni间的层间耦合强度呈指数下降. 理论上推导出条纹磁畴随着磁各向异性能和层间耦合强度变化的统一公式,而实验结果与理论符合得非常好.

关键词：自旋磁畴磁膜磁矩耦合强度指数相变体系旋转排列

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畴壁共振和磁畴FMR之间的耦合效应

科学通报 1989年第23期34卷 1779-1781页

作者：毕耜云肖呜山山东大学

观察在磁膜中的磁畴磁共振(DR)和畴壁共振(DWR)是研究磁畴动态特性的主要方法之一,尤其是对磁泡材料的研究更是如此,因为一些与磁泡记忆元件特性有关的重要参数,如畴壁的结构和阻尼,可从这样的一些测量中得到。在以往的实验中,DWR和DR... 详细信息

观察在磁膜中的磁畴磁共振(DR)和畴壁共振(DWR)是研究磁畴动态特性的主要方法之一,尤其是对磁泡材料的研究更是如此,因为一些与磁泡记忆元件特性有关的重要参数,如畴壁的结构和阻尼,可从这样的一些测量中得到。在以往的实验中,DWR和DR这两种共振是分别研究的,直到最近人们才开始注意到它们之间的相互干扰和耦合,但是在这方面的详细实验研究报道并不多。本文用制备磁泡记忆元件的柘榴石型单晶薄膜研究了当高频激励磁场居与条畴分别平行和垂直时,DWR和DR两种模式间的相互作用。

关键词：畴壁磁畴共振耦合效应