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In掺杂CdO透明导电薄膜的研究

太阳能学报 2018年第3期39卷 769-774页

作者：冯绍文刘少煜祝巍中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心

通过磁控射频溅射的方法分别在石英玻璃基底上和硅〈111〉基底上沉积In掺杂CdO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪测试薄膜的结构、光学和电学性能。一定量的In掺杂可将CdO的光学吸收边从2．2eV提高至3．4eV，... 详细信息

通过磁控射频溅射的方法分别在石英玻璃基底上和硅〈111〉基底上沉积In掺杂CdO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪测试薄膜的结构、光学和电学性能。一定量的In掺杂可将CdO的光学吸收边从2．2eV提高至3．4eV，甚至更高。同时适量的In掺杂可明显改善CdO薄膜的电学性能，在提高其电子浓度的同时也降低电阻率，获得最低5．8×10-5Ω·cm的电阻率，同时吸收边为3．24eV的透明导电薄膜。In掺杂的CdO薄膜作为一种性能良好的薄膜材料有较好的发展前景。

关键词： CdO薄膜透明导电薄膜磁控射频溅射 XRD 霍尔效应

利用钛保护层在ITO电极上直接制备大面积的超薄氧化铝膜(英文)

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物理化学学报 2011年第3期27卷 749-753页

作者：肖立新段来强柴俊一王芸陈志坚曲波龚旗煌北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

通过磁控溅射并引入钛保护层,利用在0.3mol·L-1硫酸中20V电压下二次阳极氧化,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上直接制备了超薄(约140nm,为阳极氧化前Al厚度的一半)、大面积(约4cm2)的多孔阳极氧化铝(AAO).扫描电子显微镜结果表明生成的... 详细信息

通过磁控溅射并引入钛保护层,利用在0.3mol·L-1硫酸中20V电压下二次阳极氧化,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上直接制备了超薄(约140nm,为阳极氧化前Al厚度的一半)、大面积(约4cm2)的多孔阳极氧化铝(AAO).扫描电子显微镜结果表明生成的微孔与衬底垂直,孔径和孔间距分别约为30和60nm.我们发现钛保护层的作用是提高了Al层的附着性并且防止ITO被腐蚀,在此体系中钛不能被其它的金属如铬、金、银或铜代替.紫外-可见光谱透过率结果显示在阳极氧化过程中Ti被氧化成为透明的TiO2,利用10-20nm的钛保护层以及二次阳极氧化过程,能够保证高透明度.在ITO上直接制备的这种透明、有序的AAO纳米结构在光子学、光伏领域和纳米制备等方面具有潜在应用.

关键词：阳极氧化铝薄膜氧化铟锡透明电极钛保护层磁控射频溅射

退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响

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功能材料 2006年第2期37卷 219-221页

作者：黄树来姜永超盖凌云徐进栋王雨生马瑾莱阳农学院理学院山东莱阳265200 莱阳农学院教育技术中心山东莱阳265200 山东大学物理与微电子学院山东济南250100

首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O... 详细信息

首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O∶Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10-2Ω.cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×1019cm-3,8cm2.V-1.s-1。薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%。薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性。

关键词：磁控射频溅射透明导电膜 Zn-Sn-O:Sb

Zn掺杂CdO薄膜的溅射法制备和光电性能研究

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表面技术 2017年第10期46卷 72-75页

作者：刘少煜祝巍中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心合肥230026

目的通过向CdO薄膜中掺杂ZnO,在尽量不影响其电学性质的前提下,拓宽禁带宽度并改善性能。方法通过磁控射频溅射分别在玻璃基底和硅基底上沉积了一系列Cd_(1-x)Zn_xO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪,测试了... 详细信息

目的通过向CdO薄膜中掺杂ZnO,在尽量不影响其电学性质的前提下,拓宽禁带宽度并改善性能。方法通过磁控射频溅射分别在玻璃基底和硅基底上沉积了一系列Cd_(1-x)Zn_xO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪,测试了薄膜的结构、光学和电学性能。结果随着Zn掺杂含量的增加,薄膜结构会发生变化:x0.5时,薄膜结构变成了纤锌矿相。掺杂Zn后,薄膜吸收边可以提升到3eV左右,同时其电阻率为6.69×10^(-4)?·cm,载流子浓度为7.92×10^(20) cm^(-3),与纯CdO薄膜电学性质相近。结论对CdO薄膜进行一定量的ZnO掺杂,可以在不影响其电学性质的前提下提高禁带宽度,从而使薄膜具有良好的光电性能。

关键词： CdO ZnO 薄膜磁控射频溅射霍尔效应吸收边

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无机压电薄膜及其应用概况

压电与声光 1983年第3期 1-7页

作者：余承杰四川压电与声光技术研究所

本文主要叙述无机压电薄膜的发展概况和最近的进展.同时简单地介绍了这些薄膜的特性,主要制备技术以及它们在声体波和声表面波器件方面的最新应用.

关键词：压电薄膜 AIN 电介质薄膜磁控射频溅射 ZnO 器件磁控溅射体电阻率

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PLZT薄膜的溅射沉积和热处理

上海工程技术大学学报 1999年第4期13卷 243-246页

作者：雷永明徐梅娣郭懋端上海冶金研究所上海200050

用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态，所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相... 详细信息

用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态，所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相和钙钛矿相的转变，实验表明氧气氛下由常规退火（LFA）和快速退火（RTA）可形成钙钛矿相PLZT薄膜。

关键词：溅射沉积热处理 PLZT薄膜磁控射频溅射钙钛矿相退火锆钛酸铅镧陶瓷薄膜铁电薄膜

Cu层厚度对NiFe/Cu/Co的巨磁电阻效应影响

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华中理工大学学报 1999年第1期27卷 47-49页

作者：郑远开李佐宜于军谢基凡华中理工大学电子科学与技术系

用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ多层膜；研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系．在适当的Ｃｕ层厚度下（大约为２ｎｍ），制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜．研究表明，在弱磁场下，薄膜的磁电... 详细信息

用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ多层膜；研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系．在适当的Ｃｕ层厚度下（大约为２ｎｍ），制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜．研究表明，在弱磁场下，薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关。

关键词：多层膜巨磁电阻效应磁控射频溅射薄膜铜钴