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  • 1 篇 中国科学院合肥物...
  • 1 篇 上海电子材料一厂
  • 1 篇 中国科学技术大学
  • 1 篇 安徽建筑大学
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作者

  • 1 篇 吴小四
  • 1 篇 郑旭
  • 1 篇 李守仁
  • 1 篇 周九宁
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  • 1 篇 朱银锋
  • 1 篇 蒋建纯
  • 1 篇 mohmmed mun else...
  • 1 篇 黄伯云
  • 1 篇 刘树仁
  • 1 篇 浦保健

语言

  • 6 篇 中文
检索条件"主题词=磁场直拉法"
6 条 记 录,以下是1-10 订阅
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外加磁场直拉法
收藏 引用
中国有色冶金 1985年 第1期 66-66页
作者: 刘树仁
据日本《金属时评》1984年9月№1199报道,日本硅公司和小松电子金属公司采用了在外加磁场情况下用直拉拉制单晶的所谓外加磁场直拉法(MCZ—Magnetic Field
来源: 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
硅单晶制备的磁场直拉法新工艺—MCZ
收藏 引用
电子工业专用设备 1987年 第3期 18-19页
作者: 李守仁 上海电子材料一厂
在硅单晶的各种生产手段中,直拉是最主要的、最普遍采用的方,它是由丘克劳斯基最早发明的,通常用CZ表示。目前世界上大约有70%的硅单晶是用CZ生产的。本文所要介绍的磁场直拉法(MCZ)是近几年国际上新出现的一种硅单晶制备方。... 详细信息
来源: 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
国外简讯
收藏 引用
稀有金属 1983年 第1期 75-97页
美国密执安州的特罗伊能量转换器件公司宣布,他们已研制出一种效率达9.2%的实验室规模的非晶硅太阳能电池。公司总经理 ***补充说,他们与俄亥俄标准石油公司合作,可望获得更高的效率,因为目前的器件不是最佳的。日本国际贸易与工业省允... 详细信息
来源: 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
直拉式单晶硅生长炉超导磁体研究
收藏 引用
安徽建筑大学学报 2022年 第3期30卷 67-73,104页
作者: 吴小四 朱银锋 唐梦雨 郑旭 Mohmmed Mun ELseed Hassaan 安徽建筑大学机械与电气工程学院 安徽合肥230601 中国科学院合肥物质科学研究院等离子体所 安徽合肥230031 中国科学技术大学核科学技术学院 安徽合肥230601
高集成度芯片发展使半导体行业对硅单晶材料提出尺寸与质量的要求。直拉(Cz)可生成大尺寸硅单晶,但生长中产生热对流,边界层不稳定,晶体易生杂质。因磁场对导电熔体内对流有抑制效果,通过外加磁场可提高生成大尺寸晶体的品质。基于... 详细信息
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炭/炭复合材料制造硅晶体生长坩埚初探
收藏 引用
炭素 2004年 第2期 3-7页
作者: 蒋建纯 周九宁 浦保健 黄伯云 中南大学粉末冶金研究院粉末冶金国家重点实验室 长沙410083
多晶硅用直拉(CZ)或磁场直拉法(MCZ)拉制成单晶硅棒。晶体生长炉热场零件中的石墨发热体、坩埚等在机械应力和热应力的综合作用下发生变形或损坏造成失效,更换频繁。选用纯度高的炭纤维制成待制件的多孔坯体,经过增密、纯化处理制成炭... 详细信息
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半导体
收藏 引用
稀有金属 1983年 第4期 89-92页
东芝公司和东芝陶瓷有限公司共同研制一种获得高性能高纯硅单晶的技术。所使用坩埚的表面,用真空化学蒸发蒸镀上一层氮化硅薄膜。研制的坩埚用反应烧结氮化硅或石墨制成,在坩埚的内壁用真空化学蒸发蒸镀一层氮化硅陶瓷。氮化硅坩
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