检索结果-南通市图书馆

基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

华东理工大学学报（自然科学版） 2017年第2期43卷 248-253页

作者：龚道辉汪鹏君康耀鹏张会红宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;... 详细信息

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;其次结合输入输出信号分离方法,提高放大差分信号速度;然后利用使能信号控制电路状态,降低三值灵敏放大器功耗。采用32nm CNFET标准模型库进行HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确;芯片成品率高达96.48%,具有较强的稳定性,且与利用CMOS设计的二值灵敏放大器相比工作速度提高64%,功耗降低83.4%。

关键词：碳纳米场效应晶体管三值灵敏放大器成品率高速低功耗

基于CNFET的单端口三值SRAM单元设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子技术应用 2016年第7期42卷 34-37页

作者：龚道辉汪鹏君康耀鹏宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和多值存储原理的研究,提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器,并采用交叉耦合方式实现三值数据的... 详细信息

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和多值存储原理的研究,提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器,并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储;其次结合读写共用的单端口方法,减少互连线数量;然后采用隔离和切断交叉耦合技术,增强三值数据存储的稳定性;最后通过HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确,且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%。

关键词：碳纳米场效应晶体管单端口三值SRAM 多值逻辑

基于碳纳米晶体管的高密度及高良率单体三维集成SRAM设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于碳纳米晶体管的高密度及高良率单体三维集成SRAM设计

作者：蒋家琛上海交通大学

学位级别：硕士

静态随机存取存储器（static random access memory,SRAM）作为高速缓存（cache）,是芯片上不可或缺的组件。随着芯片技术的不断发展,SRAM的容量不断增加,其占据的片上面积不断增多。另一方面,随着半导体器件的特征尺寸不断减小,工艺扰... 详细信息

静态随机存取存储器（static random access memory,SRAM）作为高速缓存（cache）,是芯片上不可或缺的组件。随着芯片技术的不断发展,SRAM的容量不断增加,其占据的片上面积不断增多。另一方面,随着半导体器件的特征尺寸不断减小,工艺扰动导致SRAM的良率下降,严重降低芯片的可靠性。因此提高SRAM的密度和良率对降低芯片的面积和提高芯片的可靠性至关重要。近年来,碳纳米场效应晶体管（carbon nanotube MOSFET,CN-MOSFET）由于其良好物理尺寸收缩性及功耗延时积优势,受到了学界的重点关注;另一方面,由于CN-MOSFET的低温制造工艺,使CN-MOSFET技术与单体三维集成（monolithic 3D,M3D）技术具有良好的兼容性。针对已有的6管和8管CN-MOSFET SRAM单元在M3D集成下面临着严重的层间面积偏斜和M3D CN-MOSFET电路中的金属型碳纳米管导致的良率下降的问题,本文旨在设计出高密度及高良率的M3D碳基SRAM电路。本文的主要研究内容与成果如下:1、通过分析M3D CN-MOSFET电路中各个CN-MOSFET的空间相关性,结合金属型碳纳米管的统计概率分布,本文提出了适用于M3D CN-MOSFET电路的功能良率模型。在此基础上,本文提出了金属型碳纳米管免疫的高良率M3D CN-MOSFET SRAM的设计方法。基于此设计方法,本文提出的M3D 3N3,4N4P-PRD和4N4P-PAX SRAM的128×128-bit阵列功能良率分别达到了97.92%,96.87%和96.87%。1000次蒙特卡罗仿真结果表明,本文提出的高良率M3D SRAM中不会出现短路和开路,因而能实现较高的功能良率。2、通过平衡SRAM单元中N型与P型CN-MOSFET的数目偏斜与尺寸偏斜,本文设计的M3D 3N3P,4N4P-PRD和4N4P-PAX SRAM的16K-bit阵列集成密度相比于已有的M3D CN-MOSFET SRAM阵列分别提高了38.24%,46.11%和46.11%。通过Hspice仿真表明,本文设计的M3D 4N4P-PRD和4N4P-PAX SRAM单元相比于传统6管SRAM单元,读静态噪声容限提升了2.03倍,写电压容限提高了8.91%。

关键词： SRAM 单体三维集成碳纳米场效应晶体管功能良率高集成密度

基于CNFET的三输入Majority门电路设计

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

无线通信技术 2018年第2期27卷 57-62页

作者：汪扬杰夏银水宁波大学信息科学与工程学院宁波315211

Majority(MAJ)运算和反相(INV)运算组成完备集,数字逻辑电路可以用基于"MAJ/INV"的MI(Majority-Inverter)逻辑来实现。三输入MAJ门是MI逻辑电路的一种基本门电路单元。本文设计了一种基于碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Ef... 详细信息

Majority(MAJ)运算和反相(INV)运算组成完备集,数字逻辑电路可以用基于"MAJ/INV"的MI(Majority-Inverter)逻辑来实现。三输入MAJ门是MI逻辑电路的一种基本门电路单元。本文设计了一种基于碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的三输入MAJ门电路,并用所设计的MAJ门实现三个多输入组合逻辑电路。实验结果表明,在采用相同的器件和工艺的条件下,与现有的设计相比,所设计的MAJ门在功耗和功耗延时积上的改进最高分别达到32.5%和45.3%。

关键词： Majority-Inverter逻辑 Majority门碳纳米场效应晶体管功耗功耗延时积

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于CNFET的低功耗三值门电路设计

宁波大学学报（理工版） 2014年第3期27卷 43-49页

作者：唐伟童汪鹏君郑雪松宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导... 详细信息

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导,设计基于CNFET的三值反相器、与非门、或非门等单元门电路,最后利用HSPICE对所设计的电路进行仿真.结果表明:所设计电路具有正确的逻辑功能,与传统三值门电路相比,三值CNFET门电路平均传输速度提高52.7%,平均能耗节省54.9%.

关键词：低功耗碳纳米场效应晶体管多值逻辑门电路

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

前沿科技动态

科技中国 2020年第7期 103-106页

美国麻省理工学院证实碳纳米场效应晶体管已接近商业化应用据TechXplore网2020年6月1日消息,美国麻省理工学院(MIT)研究人员证实,碳纳米场效应晶体管已接近商业化应用。碳纳米场效应晶体管由微小的碳纳米管组合而成,体积比硅晶体管小100... 详细信息

美国麻省理工学院证实碳纳米场效应晶体管已接近商业化应用据TechXplore网2020年6月1日消息,美国麻省理工学院(MIT)研究人员证实,碳纳米场效应晶体管已接近商业化应用。碳纳米场效应晶体管由微小的碳纳米管组合而成,体积比硅晶体管小100倍,且具备更高的能源效率,但一直以来都停留在实验室阶段,无法大规模量产。MIT研究人员对碳纳米管沉积制造技术进行优化,将碳纳米晶体管的制造速率提升了超过1100倍,同时降低了生产成本。

关键词：碳纳米场效应晶体管商业化应用纳米晶体管前沿科技实验室阶段能源效率速率提升硅晶体管