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化学进展 2005年第3期17卷 459-467页

作者：周传健关瑞芳冯圣玉山东大学材料学院济南250061 济南大学材料科学与工程学院济南250022 山东大学化学与化工学院济南250100

本文根据碳硅烷树枝状化合物功能基的种类及反应特性,介绍了有关含硅树枝状化合物的功能化的方法,并对功能化含硅树枝状化合物的用途做了相应评述。

关键词：碳硅烷树枝状化合物功能化大分子

一代树状碳硅烷液晶研究——端基含12个4-硝基偶氮苯介晶基元

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化学学报 2003年第9期61卷 1478-1483页

作者：张其震盛昕殷晓颖季怡萍李光赵晓光山东大学化学化工学院济南250100 中国科学院长春应用化学研究所长春130022

用发散法合成了以四碳硅烷为核心 ,周边含 12个 4 硝基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基的新的一代树状碳硅烷 (D1)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸离子化飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热... 详细信息

用发散法合成了以四碳硅烷为核心 ,周边含 12个 4 硝基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基的新的一代树状碳硅烷 (D1)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸离子化飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和X射线衍射法 (WAXD)表征 .介晶基元化合物 (M 5 )显示向列相 ,树状物D1显示胆甾相和SE 相 .D1的液晶相相行为是K70Ch188I185Ch5 8SE48K .

关键词：树枝状化合物碳硅烷液晶端基 4-硝基偶氮苯介晶基元胆甾相合成

一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

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化学学报 2002年第12期60卷 2232-2237页

作者：张其震刘建强殷晓颖张静智赵晓光李光季怡萍山东大学化学化工学院济南250100 中国科学院长春应用化学研究所长春130022

用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状... 详细信息

用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1相行为:K82N13 3I13 2N67K,D1熔点比M5降低 3 0～ 43℃,D1清亮点比M5增加 9～ 11℃,D1介晶相区比M5加宽 3 9～ 5 4℃,观察到 8条黑刷的树状物的高强向错(S =+ 2),D1清亮焓值略低于通常液晶n i相变清亮焓值。

关键词：丁氧基偶氮苯介晶基元树状化合物液晶向列相高强向错碳硅烷发散法合成

二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元

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高等学校化学学报 2003年第9期24卷 1704-1707页

作者：张其震刘建强殷晓颖张静智赵晓光李光季怡萍山东大学化学化工学院济南250100 中国科学院长春应用化学研究所长春130022

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征。D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K... 详细信息

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征。D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低26～33℃,D2清亮点比M3降低3～15℃,D2液晶态温区比M3加宽11～30℃。D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定。D2熔点比D1降低2～3℃。D2清亮点比D1降低11～21℃,D2液晶态温区比D1减少8～19℃。

关键词：碳硅烷树状化合物液晶向列相碳硅烷端基已氧基偶氮苯介晶单元

以液态碳硅烷为先驱体制备CVD SiC涂层

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材料科学与工艺 2007年第6期15卷 848-850页

作者：李斌张长瑞胡海峰国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室湖南长沙410073

合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析,以液态碳硅烷为先驱体在900℃、低压的条件下采用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层.实验结果表明,液态碳硅烷是以Si-C键为主链的数种低分子聚合物的混合物,分子组成中不含氧和腐蚀性元素,可通过分... 详细信息

合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析,以液态碳硅烷为先驱体在900℃、低压的条件下采用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层.实验结果表明,液态碳硅烷是以Si-C键为主链的数种低分子聚合物的混合物,分子组成中不含氧和腐蚀性元素,可通过分馏得到具有合适沸点的先驱体.涂层表面光滑且质硬,沉积产物为较纯的部分结晶的β-SiC.

关键词：碳硅烷化学气相沉积碳化硅先驱体

二代光致变色液晶树枝状碳硅烷的光化学研究——端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

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化学学报 2004年第3期62卷 317-323页

作者：张其震刘建强张静智山东大学化学化工学院济南250100

研究了新的含 3 6个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷 (D2 )在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强 ,吸收光强 ,摩尔消光系数 ,最大吸收波长 ,量子产率 ,活化能 ,异构转换率 ,光回复异构化反应平衡常数 ,反 -顺光异构化反应... 详细信息

研究了新的含 3 6个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷 (D2 )在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强 ,吸收光强 ,摩尔消光系数 ,最大吸收波长 ,量子产率 ,活化能 ,异构转换率 ,光回复异构化反应平衡常数 ,反 -顺光异构化反应速率常数 ,光回复异构化正

关键词：光致变色液晶树枝状大分子碳硅烷光化学端基丁氧基偶氮苯介晶基元反顺光异构化光回复异构热回复异构活化能

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

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化学学报 2003年第3期61卷 416-421页

作者：张其震刘建强殷晓颖张静智季怡萍赵晓光李光山东大学化学化工学院济南250100 中国科学院长春应用化学研究所长春130022

用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液... 详细信息

用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液晶态相行为是K85N10 7I10 3N69K ,其熔点比M 5降低 2 7～ 41℃ ,清亮点比M 5降低 17～ 18℃ ,液晶态温区比M 5加宽 10～ 2 3℃ .二代碳硅烷 (D2 )与一代碳硅烷 (D1)相比熔点增加 2～ 3℃ ,清亮点降低 2 6～ 2 9℃ ,液晶态温区减少 2 9～ 31℃ .在二代树状物中观察到S

关键词：丁氧基偶氮苯介晶基元树状化合物液晶向列相高强向错碳硅烷发散法合成

三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元

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化学学报 2005年第10期63卷 941-946,i004页

作者：张其震殷晓颖王艳山东大学化学化工学院济南250100 山东大学化学环境科学与工程学院济南250100

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp,光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc,热回复异构化反应速率常数kH,光化学回复异构化反应平衡常... 详细信息

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp,光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc,热回复异构化反应速率常数kH,光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc,活化能E,异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比.D3的光致变色反应速率常数为10-1s-1,而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10-8s-1,因此,D3的光响应速度比后者快107倍.

关键词：光致变色液晶树状物丁氧基偶氮苯介晶基元碳硅烷化学研究端基三代反应速率常数反应平衡常数液晶聚硅氧烷异构化反应光异构化新化合物光化学回复活化能异构体转换率速度比光响应溶液

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一代碳硅烷树枝状大分子钯配合物的液晶性

化学学报 2005年第10期63卷 934-940,i003页

作者：张其震殷晓颖李爱香王艳山东大学化学化工学院山东大学环境与工程学院济南250100

合成了新的周边含12个4-硝基偶氮苯端基一代碳硅烷树枝状大分子的钯(II)配合物(G1Pd),并用元素分析、核磁共振氢谱、碳谱、红外、紫外-可见光谱、能量色散X射线分析(EDXRA)、偏光显微镜、差示扫描量热法和广角X射线衍射法对其结构和液... 详细信息

合成了新的周边含12个4-硝基偶氮苯端基一代碳硅烷树枝状大分子的钯(II)配合物(G1Pd),并用元素分析、核磁共振氢谱、碳谱、红外、紫外-可见光谱、能量色散X射线分析(EDXRA)、偏光显微镜、差示扫描量热法和广角X射线衍射法对其结构和液晶性质进行了表征.配合物G1Pd的相行为是K122ch189I166ch90K.给出一种具有新的结构特点的液晶性树枝状大分子,它兼有配位金属和介晶基元.在液晶和液晶高分子界观察到首例胆甾相的高强向错和首例树枝状大分子配合物的高强向错现象.

关键词：树枝状大分子碳硅烷钯配合物一代钯(Ⅱ)配合物 4-硝基偶氮苯紫外-可见光谱差示扫描量热法核磁共振氢谱 X射线衍射法高强向错 X射线分析偏光显微镜液晶高分子元素分析能量色散液晶性质结构特点介晶基元相行为

端基含108个己氧基偶氮苯介晶基元三代树状碳硅烷液晶研究

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高等学校化学学报 2004年第1期25卷 170-173页

作者：张其震殷晓颖王大庆李光季怡萍赵晓光山东大学化学化工学院济南250100 山东师范大学测试中心济南250014 中国科学院长春应用化学研究所长春130022

用发散法合成以四碳硅烷为核心 ,周边含 10 8个己氧基偶氮苯介晶基元 ( M3)端基的三代树状碳硅烷( D3)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热 ( DSC)和 X射线衍射法 (... 详细信息

用发散法合成以四碳硅烷为核心 ,周边含 10 8个己氧基偶氮苯介晶基元 ( M3)端基的三代树状碳硅烷( D3)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热 ( DSC)和 X射线衍射法 ( WAXD)进行表征 .D3为向列相液晶 ,与 M3相同 ,三代 ( D3)、二代( D2 )和一代 ( D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定 .D3的液晶态相行为是 K79N136 I132 N,D3的熔点比 M3的低 19℃ ,D3的清亮点比 M3的增加 16℃ ,D3液晶态温区比 M3宽 35℃ .

关键词：树状化合物向列相液晶碳硅烷 4-已氧基偶氮苯合成