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  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
  • 1 篇 工学
    • 1 篇 化学工程与技术

主题

  • 2 篇 碳硅化合物
  • 1 篇 高能离子
  • 1 篇 碳化硅涂层
  • 1 篇 熔化作用
  • 1 篇 缺陷结构
  • 1 篇 石墨
  • 1 篇 放射性
  • 1 篇 稻谷壳

机构

  • 1 篇 centerforadvance...

作者

  • 1 篇 liujie
  • 1 篇 jinyunfan
  • 1 篇 songyin
  • 1 篇 wangzhiguang
  • 1 篇 yaocunfeng
  • 1 篇 徐振民
  • 1 篇 zhaozhiming
  • 1 篇 wangying
  • 1 篇 houmingdong
  • 1 篇 zhangchonghong
  • 1 篇 t.shibayama
  • 1 篇 sunyoumei
  • 1 篇 duanjinglai

语言

  • 1 篇 英文
  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=碳硅化合物"
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用稻谷壳制取石墨碳化硅涂层及碳硅化合物
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引用
中外技术情报 1994年 第10期 23-23页
作者： 徐振民 发明人
本发明的目的是提供一种用稻壳制取石墨SiC涂层,同时产生β—SiC晶须、β—SiC细粉的技术。 所用原料为稻壳。先将稻壳作焦化处理(或用发电厂烧过的焦稻壳)。焦化处理温度为600～650℃,时间1～1.5小时,温度不得超过700℃,以防稻壳焦化后。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Defect Structures in 4H-SiC Irradiated with Highly-energetic ^(20)Ne^(4+) and ^(129)Xe^(26+) Ions
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引用
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2003年 第1期 62-63页
作者： ZhangChonghong SunYoumei T.Shibayama LiuJie WangZhiguang SongYin DuanJinglai ZhaoZhiming YaoCunfeng WangYing HouMingdong JinYunfan 不详 CenterforAdvancedResearchofEnergyTechnology HokkaidoUniversitySapporoJapan.
The study of damage evolution in silicon carbide bombarded with energetic helium ions is important for the use of this material in future fusion reactors. Heavier inert gas atoms like Ne and Xe have similar behavior o... 详细信息
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