检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉晶体生长炉自主设计与控温性能实验

红外技术 2022年第1期44卷 73-78页

作者：罗亚南陈亦忻郭关柱李照存许聪云南农业大学机电工程学院云南昆明650201 昆明物理研究所云南昆明650223 昆明沃特尔机电设备有限公司云南昆明650204 云南沅丰祥机电设备有限责任公司云南昆明650224

针对直径4英寸碲锌镉单晶材料生长的需求,在研究国外碲锌镉晶体材料生长取得的成果基础上,自主设计了一种基于移动炉体技术的碲锌镉晶体生长炉。炉体由4种规格的六段温控加热单元组成,采用工控机控制伺服电机来驱动滚珠丝杆直线导轨实... 详细信息

针对直径4英寸碲锌镉单晶材料生长的需求,在研究国外碲锌镉晶体材料生长取得的成果基础上,自主设计了一种基于移动炉体技术的碲锌镉晶体生长炉。炉体由4种规格的六段温控加热单元组成,采用工控机控制伺服电机来驱动滚珠丝杆直线导轨实现炉体升降,炉体内腔设置有刚玉陶瓷管及高温金属热管组成的加热炉管,通过高精度铂铑铂热电偶、欧陆、变压器及可控硅控制加热单元,基于模糊+PID控制算法和策略来控制加热炉温的温度分布。开展了加热温度稳定性和加热控温性能实验,结果表明:炉体内腔加热温度持续控温200 h,相同位置的温度波动±0.005℃,加热温度偏差≤±0.1℃;炉腔上、下部恒温区长度分别为400 mm和240 mm,中部温度梯度区长度约136 mm,加热温度1098℃附近的温度梯度为0.92℃·mm^(-1)。上述参数满足碲锌镉晶体生长炉的自主设计与控温性能要求。

关键词：移动炉体加热法碲锌镉晶体晶体生长炉温控性能远红外探测器

碲锌镉晶体生长温度梯度与界面形状稳定性关系的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2024年第4期53卷 641-648页

作者：曹聪刘江高范叶霞李振兴周振奇马启司牛佳佳华北光电技术研究所北京100015

碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器。在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关。本文结合数值模拟技术控制碲锌镉晶体生长过程中温度场分布,设计了垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固... 详细信息

碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器。在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关。本文结合数值模拟技术控制碲锌镉晶体生长过程中温度场分布,设计了垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固法微凸固液界面的晶体生长程序,并根据实际晶体生长实验,分析了晶体生长方法差异与碲锌镉晶体单晶率之间的关系。通过光致发光谱进行成分测试获得了碲锌镉晶体等径段纵截面中Zn值分布谱图,以研究固液界面温度场分布与晶体Zn值宏观偏析之间的关系。结果表明,在晶体生长过程中固液界面两侧温场梯度分布对界面的形状选择和稳定性有重要影响,更大的固相侧温度梯度有助于实现稳定的凸界面晶体生长,从而提高晶体成晶率。

关键词：碲锌镉晶体数值模拟晶体生长界面形状界面稳定性宏观偏析

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉晶体中夹杂问题的实验研究

激光与红外 2020年第4期50卷 446-449页

作者：范叶霞刘江高徐强强吴卿周立庆华北光电技术研究所北京100015

采用红外透射显微镜检测和研究了热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉晶体(CdZnTe)中的缺陷—夹杂,并对夹杂的影响因素进行了分析。研究发现:不同原料的化学配比、自由空间体积、饱和蒸汽压、晶体生长温场对晶体中夹杂的种类、形状、密度和... 详细信息

采用红外透射显微镜检测和研究了热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉晶体(CdZnTe)中的缺陷—夹杂,并对夹杂的影响因素进行了分析。研究发现:不同原料的化学配比、自由空间体积、饱和蒸汽压、晶体生长温场对晶体中夹杂的种类、形状、密度和尺寸都存在着影响,通过一系列工艺的改进可以获得夹杂合格的碲锌镉晶体。

关键词：碲锌镉晶体 PBN坩埚 Te夹杂 Cd夹杂

碲锌镉晶体生长全局热传递模拟模型准确度研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

激光与红外 2018年第3期48卷 343-347页

作者：刘江高吴卿华北光电技术研究所北京100015

在碲锌镉晶体生长技术开发方面,数值模拟软件发挥着越来越重要的作用。以全局热传递模型为基础进行晶体生长模拟能够极大的提高模拟结果的实用性,缩短晶体生长设备及生长工艺的开发周期。但其前提是采用的全局热传递模型的准确度较高。... 详细信息

在碲锌镉晶体生长技术开发方面,数值模拟软件发挥着越来越重要的作用。以全局热传递模型为基础进行晶体生长模拟能够极大的提高模拟结果的实用性,缩短晶体生长设备及生长工艺的开发周期。但其前提是采用的全局热传递模型的准确度较高。因此,本文主要研究了几何模型、物性参数、边界控温条件等对模型准确度的影响,并根据模型计算值与炉体中心测温比较结果,修正了上述模型各参数,获得了在多种温度设定条件下,计算结果都能与实际过程很好的吻合的全局热传递模型。采用修正后的模型应用于碲锌镉晶体生长过程模拟,最终晶体生长模拟结果的温度与实际监测温度差距在2℃以内。

关键词：碲锌镉晶体晶体生长模拟全局热传递模型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉晶体的In、Cd双源气氛退火研究

四川大学学报（自然科学版） 2011年第2期48卷 421-424页

作者：丁群赵北君朱世富邱春丽何知宇陈宝军刘勇四川大学材料科学与工程成都610064

采用改进的垂直Bridgman法生长出尺寸为Φ20 mm×40 mm、外观完整无裂纹的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)单晶体.沿晶体解理面切割晶片,在In、Cd气氛下进行退火热处理,经973K退火140 h后,采用能量色散谱仪(EDS)、ZC36型高阻仪和傅里叶红外分... 详细信息

采用改进的垂直Bridgman法生长出尺寸为Φ20 mm×40 mm、外观完整无裂纹的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)单晶体.沿晶体解理面切割晶片,在In、Cd气氛下进行退火热处理,经973K退火140 h后,采用能量色散谱仪(EDS)、ZC36型高阻仪和傅里叶红外分光光度计等研究了退火对晶片的成分、电学、光学性能的影响.实验结果表明:在In、Cd双源气氛下退火后:晶体的晶格完整性得到改善,电阻率提高了2～3个数量级,红外透过率显著提高.

关键词：碲锌镉晶体 In Cd双源气氛退火电阻率 EDS IR透过谱

碲锌镉晶体VGF法生长温场的梯度区高度设计研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

激光与红外 2023年第8期53卷 1222-1226页

作者：刘江高范叶霞侯晓敏折伟林王丛吴卿曹聪中电科光电科技有限公司北京100015

本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度... 详细信息

本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度变化率正相关。非稳态模拟结果显示,现有变温条件下,晶体生长过程中固液界面凸度存在先增大后减小的趋势,趋势转变点接近梯度区高度中点;界面形状的变化趋势受固液界面上生长速度分布直接影响;对比而言,10 cm高的梯度区更容易实现前中期固液界面凸界面的获得,利于形成高单晶率CdZnTe晶体。

关键词：碲锌镉晶体垂直梯度凝固法温场设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究

激光与红外 2022年第5期52卷 730-733页

作者：刘江高李轩徐强强范叶霞侯晓敏刘铭吴卿华北光电技术研究所北京100015

针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题,Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术。本文结合模拟仿真与实际测温调温,对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性。在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二... 详细信息

针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题,Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术。本文结合模拟仿真与实际测温调温,对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性。在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响。VB法中,Cd源处控制温度快速下降,晶体尾端出现三角形Te夹杂缺陷。VGF法中,在Cd源控制温度达到820~790℃范围内时,虽然晶体头部中心部分二次相缺陷问题改善效果一般,但晶体边缘及尾部二次相缺陷问题能够得到了极大改善。

关键词：碲锌镉晶体 Cd源控制晶体生长

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉晶体生长及加工工艺研究

碲锌镉晶体生长及加工工艺研究

作者：滕东晓山东理工大学

学位级别：硕士

碲锌镉晶体以其优异的室温核辐射探测与红外探测性能,受到了越来越多的科研工作者的重视。其中以摩尔比为:0.96:0.04:1的碲锌镉晶体被用于制造高性能红外长波甚长波碲镉汞探测器的外延衬底材料而尤为受重视。但由于碲锌镉晶体制作成本高... 详细信息

碲锌镉晶体以其优异的室温核辐射探测与红外探测性能,受到了越来越多的科研工作者的重视。其中以摩尔比为:0.96:0.04:1的碲锌镉晶体被用于制造高性能红外长波甚长波碲镉汞探测器的外延衬底材料而尤为受重视。但由于碲锌镉晶体制作成本高,单晶率低、体积小等问题一直制约高性能探测器的使用及普及。目前国内外大都采用布里奇曼法进行碲锌镉晶体生长,该种方法容易造成碲锌镉晶体中Cd空位缺陷,位错密度大等问题。移动加热器法(Travelling heater method简称THM)是一种理论比较先进,可以明显降低碲锌镉晶体中的Cd空位、位错数量,并提高晶体的纯度的方法。但THM法生长碲锌镉晶体也存在一定的技术困难,比如籽晶安放、建立稳定溶解-生长界面困难等。本文主要研究内容如下:研究了化学气相沉积法镀膜参数,即在1100℃,通气量3ml无水乙醇,真空压强3～6Pa,镀膜时间4～5h,降温20h时,镀膜质量及重复性较佳。分析了温度梯度与生长速率的关系,建立了简单的一维模型。研究了垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体过程中的温度场的建立和校准、Cd补偿控制、多晶料合成等工艺参数。研究了垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺参数,即在温度梯度为6.7℃/cm,生长速率1mm/h时能够获得电阻率较高的碲锌镉晶体。研究了籽晶THM法生长碲锌镉晶体的工艺,设计了THM法生长晶体用的坩埚,解决籽晶安放问题,并进行了实验,最终获得了THM法生长的晶体锭,通过红外透过率的测定,证实了THM法获得的碲锌镉晶体结晶质量要优于垂直布里奇曼法获得的碲锌镉晶体,THM法生长的碲锌镉晶体平均红外透过率达45%。本文中的主要创新点有:1、研究出一种方法即通过控制无水乙醇消耗量来控制无水乙醇挥发速率,提高镀膜质量及成功率。2、发现了一种提高温度测量精度的新方法,即通过MMB对温度场数据进行校准,提高了炉体测温精度。3、针对籽晶THM法制备碲锌镉晶体的不足,研究了一系列工艺参数。通过T形坩埚设计成功进行碲锌镉晶体的生长,为以后籽晶THM法生长高质量晶体提供了参考依据。

关键词：碲锌镉晶体垂直布里奇曼法 THM 温度场坩埚红外透过率

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉晶体组分的辉光放电质谱分析

质谱学报 2004年第B10期25卷 19-20页

作者：荣百炼唐利斌赵增林黄晖黄蓓姬荣斌昆明物理研究所，云南昆明650223

The major and trace level elements in cadmium zinc telluride (CZT) were detected by used of glow discharge mass spectrometry (GDMS). Results show that GDMS is a powerful tool for analyzing trace level elements in solid sample. The semi quantitative analysis can be carried out in the situation of having no standard sample. However, standard sample with the same (or similar) composition must be provided if the major elements want to be known. Only after getting the special relative sensitivity factors (RSF) can the accurate compositions of major elemental be calculated.

关键词：碲锌镉晶体组分分析辉光放电质谱红外焦平面探测器材料碲镉汞衬底