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硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究

四川师范大学学报（自然科学版） 2011年第3期34卷 352-354页

作者：赵国良顾建军孙会元河北民族师范学院教务处河北承德067000 河北师范大学物理科学与信息工程学院河北石家庄050016

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀... 详细信息

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性.

关键词：硬磁泡垂直布洛赫线直流偏场

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硬磁泡参数测量

山西师范大学学报(自然科学版) 1988年第1期 36-38页

作者：王丽琴张亮孙慧玲唐贵德河北师范大学山西师范大学

本文介绍硬磁泡的几个参数及其测量方法,具体介绍了普通硬磁泡最大缩灭场Homax、Ⅰ、Ⅱ类哑铃畴崩灭场H~Ⅰ和H~Ⅱ的测量方法。

关键词：磁泡硬磁泡哑铃畴

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温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

河北师范大学学报（自然科学版） 1997年第2期21卷 140-142页

作者：孙会元张文羽李志青聂向富河北师范大学物理系河北工业大学应用数理系

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕。

关键词：硬磁泡磁畴壁磁泡薄膜温度垂直布洛赫线链

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普通硬磁泡温度特性的进一步研究

河北轻化工学院学报 1996年第4期17卷 10-12页

作者：李志青孙会元聂向富河北工业大学应用数理系河北师范大学物理系

实验研究了经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下的温度特性，通过与未经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下温度特性的对比，发现：在非压缩状态下，在Ｔ和Ｔ（Ｔ和Ｔ０是两个与样品参数有关的临界温度）之间，经温度作用后，所有的普通硬磁... 详细信息

实验研究了经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下的温度特性，通过与未经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下温度特性的对比，发现：在非压缩状态下，在Ｔ和Ｔ（Ｔ和Ｔ０是两个与样品参数有关的临界温度）之间，经温度作用后，所有的普通硬磁泡畴壁中的垂直布洛赫线都要丢失，且含有垂直布洛赫线少的普通硬磁泡最先被软化为软泡。

关键词：硬磁泡垂直布洛赫线磁畴壁温度磁学

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枝状畴的形成及分形维数计算

物理学报 1999年第S1期48卷 250-256页

作者：李丹郑德娟周雁韩宝善中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100080 中国科学院低温实验技术中心北京100080

对于石榴石磁泡薄膜，提出了产生单个枝状畴（ＭＢＤ）的“低静态偏磁场法”．ＭＢＤ的形成是与其畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的形核相联系的．随着静态偏磁场Ｈｂ从“枝状膨胀的临界偏磁场”Ｈ［ｄ］的降低，相应的ＭＢＤ的... 详细信息

对于石榴石磁泡薄膜，提出了产生单个枝状畴（ＭＢＤ）的“低静态偏磁场法”．ＭＢＤ的形成是与其畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的形核相联系的．随着静态偏磁场Ｈｂ从“枝状膨胀的临界偏磁场”Ｈ［ｄ］的降低，相应的ＭＢＤ的畴形变得越来越复杂，伴随有几类硬磁泡的相继形成．对ＭＢＤ进行了分形研究，把线结构维数的计算应用于ＭＢＤ极其弯曲的畴壁结构，定量地描述了它们的弯曲和分枝程度，并与其畴壁内ＶＢＬ的形核联系起来．

关键词：枝状畴偏磁场分形硬磁畴线结构计盒维数双边界法垂直布洛赫线硬磁泡磁畴壁

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立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响

河北科技大学学报 2009年第3期30卷 193-196页

作者：尹世忠孙会元邢台学院物理系河北邢台054001 河北师范大学物理科学与信息工程学院河北石家庄050016

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴(普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ID)和第Ⅱ类哑铃畴(IID))畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化... 详细信息

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴(普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ID)和第Ⅱ类哑铃畴(IID))畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。

关键词：临界面内场硬磁泡垂直布洛赫线