检索结果-南通市图书馆

检索条件"主题词=硒化锑材料"

共 1 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

基于低维Sb2Se3异质结型光电探测器的研究

基于低维Sb2Se3异质结型光电探测器的研究

引用

作者：陈荣鹏江南大学

学位级别：硕士

光电探测器作为最重要的光电器件之一,由于其在火焰传感、臭氧传感、通信转换、环境监测、视频成像、夜视等领域的巨大应用潜力,已引起人们的广泛关注。迄今为止,硅是最重要的无机半导体材料之一,通常用于可见光和近近红外波长的光探测... 详细信息

光电探测器作为最重要的光电器件之一,由于其在火焰传感、臭氧传感、通信转换、环境监测、视频成像、夜视等领域的巨大应用潜力,已引起人们的广泛关注。迄今为止,硅是最重要的无机半导体材料之一,通常用于可见光和近近红外波长的光探测,这为数码相机和其他设备创造了数十亿美元的年市场。然而,硅的有限吸收范围和弱吸收能力极大地限制了硅基光电探测器的进一步发展和实际应用。无机半导体材料中n型为主,p型材料较少,为解决这个问题,基于p型半导体材料的光电探测器受到了广泛的关注。硒化锑(SbSe)是一种带隙约为1.18 e V的p型半导体材料,由于在紫外到近近红外光的波长范围内具有优异的吸收性能,可以应用于光电探测器,然而目前对于SbSe材料光电性能的深入研究较少,也少有相关SbSe复合结构的光电性能研究。因此,我们首先从材料制备出发,通过简单的水热法生长了SbSe纳米线(SbSe-NW)和微米线(SbSe-MW),并将上述结构构筑了光电探测器,研究和对比其光电性能差异。SbSe-MW的光电性能较为优异,为进一步提高在紫外、可见光和近红外波段的光电性能,分别与氧化锌纳米颗粒(Zn O-NP)、硒微米管(Se-MT)和导电高分子(PANI、Ppy、PEDOT)制备异质结的方法,构建自驱动光电探测器,达到光电性能整体的增强,为今后的光电探测器材料与器件的研究提供了新的方法,主要研究结果如下:(1)采用水热法制备了SbSe-NW、SbSe-MW,分别构筑光电探测器并分析对比二者的光电性能得出结论,结果表明两款光电探测器都具备350～1000 nm的宽光谱探测能力;SbSe-MW器件相较于SbSe-NW,在350～1000 nm范围内响应度大小整体提高,开关比从6提升至24,上升和下降时间分别从26 ms和48 ms减少到17 ms和35ms。为了进一步增强SbSe-MW器件在紫外波段的光电性能,采用Zn O-NP修饰SbSe-MW得到新型SbSe-MW/Zn O-NP异质结构并使用叉指电极搭建光电探测器。器件的光响应范围为350～1000 nm,具有自驱动能力,在0 V具有比较好的光电性能,特别是在368 nm处的光响应度达到120 m A W,开关比达到262。(2)采用化学气相沉淀法制备Se-MT,之后采用旋涂的方式将Se-MT与SbSe-MW制备了SbSe-MW/Se-MT异质结,并搭建光电探测器,对器件的光电性能进行研究。结果表明SbSe-MW/Se-MT异质结型光电探测器拥有350～1000 nm的宽光谱探测范围,在0 V偏压下448 nm处响应度达到82 m A W,开关比达到203。为了研究局域表面等离子体共振(LSPR)效应,制备了Se-MT/PEDOT和Se-MT/PEDOT/Ag-NW异质结并构筑光电探测器对比两者的性能,结果表明由于Ag-NW的LSPR在300～380 nm的吸收增强,导致Se-MT/PEDOT/Ag-NW器件的响应度比Se-MT/PEDOT器件在紫外区增强。基于上述结果,为了进一步提高SbSe-MW/Se-MT器件的性能,采用旋涂的方式制备了SbSe-MW/Se-MT/Ag-NW异质结并搭建光电探测器,相比于SbSe-MW/Se-MT,SbSe-MW/Se-MT/Ag-NW器件的响应度大小整体提升,其中0 V偏压下368 nm处的响应度达到228 m A W,开关比达到657,相较于SbSe-MW/Se-MT分别提升了470%和780%。(3)在酸性溶液中通过一步原位聚合法在SbSe-MW上生长了PANI、Ppy和PEDOT薄膜,成功地制备了三种新型SbSe-MW/PANI、SbSe-MW/Ppy和SbSe-MW/PEDOT异质结。所制备的异质结可以直接用作光电探测器,简化了复杂的制造过程,为制备高性能光电探测器提供了一种简单有效的方法。这三种光电探测器都拥有自驱动能力并且有着紫外-近红外宽带响应和超快的响应速度。特别地,具有45 nm厚度PANI层的SbSe-MW/PANI光电探测器在0 V偏压800 nm光源辐照下,开关比达到338,响应度和探测率分别达到135 m A W和1.02×10 Jones。

关键词：光电探测器硒化锑材料异质结导电高分子金属纳米粒子响应度增强自驱动器件

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共1页 << < 1 > >>

回到顶部

执行限定条件

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：