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激光刻蚀硅表面的形貌及其对浸润性的影响

化学学报 2005年第10期63卷 880-884,i001页

作者：管自生张强南京工业大学材料科学与工程学院南京210009

利用脉冲激光在Si表面刻蚀具有不同宽度和深度的微槽形貌,通过测量接触角的大小研究其浸润特性,并分析了形貌与浸润性的关系.结果表明,在Si表面刻蚀微槽深度一定的条件下,刻蚀微槽宽度越宽,接触角越小;在Si表面刻蚀微槽宽度一定的条件下... 详细信息

利用脉冲激光在Si表面刻蚀具有不同宽度和深度的微槽形貌,通过测量接触角的大小研究其浸润特性,并分析了形貌与浸润性的关系.结果表明,在Si表面刻蚀微槽深度一定的条件下,刻蚀微槽宽度越宽,接触角越小;在Si表面刻蚀微槽宽度一定的条件下,刻蚀微槽越深,接触角越大,最高可达165°.而且Si表面上刻蚀后产生的细微尖峰结构对其浸润特性有显著的影响.因此,利用激光刻蚀表面方法可以在一定程度上调控固体表面的润湿性能.

关键词：激光刻蚀浸润性形貌硅表面表面刻蚀接触角脉冲激光尖峰结构 Si表面润湿性能固体表面微槽宽度

美国北卡罗来纳大学开发利用光电技术将CO_(2)高效转化为CO的技术

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石油炼制与化工 2024年第7期55卷 98-98页

作者：燕春晖(译) 不详

美国北卡罗来纳大学教堂山分校化学系的吉利安·登普西(Jillian Dempsey)团队在光电技术方面取得了突破性发现,成功地使用甲基封端反应(Methyl Termination)改进了p-型硅表面,能够利用太阳光将CO_(2)高效地转化为CO,同时不产生H2等副产... 详细信息

美国北卡罗来纳大学教堂山分校化学系的吉利安·登普西(Jillian Dempsey)团队在光电技术方面取得了突破性发现,成功地使用甲基封端反应(Methyl Termination)改进了p-型硅表面,能够利用太阳光将CO_(2)高效地转化为CO,同时不产生H2等副产品。该研究成果发表于《ACS能源快报》(ACS Energy Letter)。

关键词：北卡罗来纳大学光电技术硅表面开发利用 CO

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硅表面直接化学镀镍研究

科学通报 2004年第17期49卷 1711-1715页

作者：胡光辉吴辉煌杨防祖厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室厦门361005

演示了n-Si(100)不经预先活化处理, 可在碱性镀液中直接进行化学镀镍. 考察了镀液pH值和温度对镀层中金属颗粒尺寸的影响, 并运用能量耗散谱(EDS)分析了硅表面上化学镀层的元素组成. 发现温度的提高或镀液pH值的降低会使沉积层中的金属... 详细信息

演示了n-Si(100)不经预先活化处理, 可在碱性镀液中直接进行化学镀镍. 考察了镀液pH值和温度对镀层中金属颗粒尺寸的影响, 并运用能量耗散谱(EDS)分析了硅表面上化学镀层的元素组成. 发现温度的提高或镀液pH值的降低会使沉积层中的金属颗粒尺寸增大. 根据半导体电化学原理讨论了镍离子在硅表面还原的可能机理, 化学镀镍晶种的形成主要归因于在碱性溶液中Si表面上水分子捕获半导体电子而产生原子氢.

关键词：化学镀镍碱性镀液化学镀层晶种直接活化处理 pH值硅表面电子水分子

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甲烷在多孔硅表面物理吸附特征研究(英文)

原子与分子物理学报 2014年第4期31卷 555-559页

作者：闫东芝炎正馨龚安陈倩廖谦西安科技大学理学院西安710054

在密度泛函理论耦合超软贋势第一性原理的平台上,研究了甲烷在Si(111)表面的物理吸附特性.通过建立硅晶胞的不同吸附位置(top、bridge、fcc)模型,对比分析了甲烷在相应位置吸附界面变化的键结构、吸附能和态密度,获得了相应吸附点的吸... 详细信息

在密度泛函理论耦合超软贋势第一性原理的平台上,研究了甲烷在Si(111)表面的物理吸附特性.通过建立硅晶胞的不同吸附位置(top、bridge、fcc)模型,对比分析了甲烷在相应位置吸附界面变化的键结构、吸附能和态密度,获得了相应吸附点的吸附特征.对比分析的结果表明,甲烷只有在fcc位置物理吸附状态较为理想.分析态密度、键长及键角等数据揭示fcc位甲烷吸附对体系硅晶胞有很大的影响,其体系的键能最低,即此时体系结构最稳定.本文所得研究成果可用于Si表面对甲烷气体的敏感性分析及气体传感器领域.

关键词：甲烷硅表面物理吸附密度泛函理论

扫描速率对硅表面分子沉积膜纳米摩擦特性的影响

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化学研究与应用 2003年第5期15卷 734-736页

作者：高芒来聂时春张嗣伟石油大学化工学院北京102249 中国石化长城润滑油集团有限公司北京100085 石油大学机电学院北京102249

The change of frictional force was studied with the increase of scan rate on different Si surface by atomic force microscopy.The results showed that frictional force had different effect with the increasement of scan rate on different surface.To Si surface and hydroxylate silicon surface,it became bigger.It first decreased and then increased on aminopropylsilanixed(APS)silicon surface,taking on conic section relation.It declined on monolayer copper phthalocyaninetetrasulfonic,tetrasodium salt(CuTsPc)molecular deposition film.In the process of scan,frictional heat greatly affected friction and may even change the shape of the film so that plastic flow arouse.

关键词：扫描速率硅表面分子沉积膜纳米摩擦特性磺化酞菁铜

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一种硅表面化学清洗方法

真空科学与技术学报 2007年第4期27卷 322-326页

作者：王科范刘金峰邹崇文张文华徐彭寿徐法强中国科学技术大学国家同步辐射实验室

本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法,它主要包括H2SO4∶H2O2溶液清洗和HF:C2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RHEED)等技术进行表征。结果表明,运用此方法能... 详细信息

本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法,它主要包括H2SO4∶H2O2溶液清洗和HF:C2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RHEED)等技术进行表征。结果表明,运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染,我们提出用无水乙醇(C2H5OH)来保护H-Si表面。300℃除气前后XPS的对比结果表明,清洗后的Si表面不存在B,但吸附少量F,以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据Si 2p芯能级的同步辐射光电子能谱(SRPES),可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层,经1000℃退火25 min后,XPS和SRPES的结果表明Si表面已经非常清洁,并且出现了两个Si的表面态。

关键词：硅表面化学清洗光电子能谱同步辐射

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硅表面光学互联

激光与光电子学进展 2007年第8期44卷 12-12,14页

作者： Silicon(编译)

欧洲PICMOS小组利用纳米硅线波导实现了集成电抽运微激光器。PICMOS称这为在下一代CMOS芯片上实现全光学互联迈开了重要的一步。

关键词：光学互联硅表面 CMOS芯片微激光器纳米硅线抽运波导

界面微分电容法单晶硅表面单分子膜质量的检测

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应用化学 2002年第6期19卷 539-543页

作者：孙乔玉,Catherine Henry de Villeneuve,力虎林,Philippe Allongueb 兰州大学化学化工学院 Laboratoire de Physiquedes Liquideset Electrochimie CNRS-UPR15conventionnéeaveclUniversitéP&MCurie 4placeJussieu Tour22 75005Paris France Laboratoire de Physiquedes Liquideset Electrochimie 兰州大学化学化工学院 Laboratoire de Phys

用界面电容分析法 ,研究了影响烯烃类分子在氢结尾的硅 (1 1 1 )表面上通过 Si— C键嫁接有机单分子膜的某些因素和有机单分子膜对硅表面氧化的钝化作用 .指出嫁接反应条件或嫁接分子的反应活性的差异都会影响所形成的单分子膜的质量 ;... 详细信息

用界面电容分析法 ,研究了影响烯烃类分子在氢结尾的硅 (1 1 1 )表面上通过 Si— C键嫁接有机单分子膜的某些因素和有机单分子膜对硅表面氧化的钝化作用 .指出嫁接反应条件或嫁接分子的反应活性的差异都会影响所形成的单分子膜的质量 ;在所选择的反应条件下 ,由于烯烃修饰的硅表面上嫁接分子所占的体积分数约为 0 .90 ,故只能对硅表面的氧化产生有限的钝化作用 .另外 ,系统测量了不同链长的烯烃分子形成的有机单分子膜的电容特性参数

关键词：硅表面有机嫁接单分子膜界面微分电容分析

硅表面图案化银微纳米结构的制备及其表面增强拉曼性质的研究

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硅表面图案化银微纳米结构的制备及其表面增强拉曼性质的研究

作者：贾雪梅南京大学

学位级别：硕士

应用嵌段共聚物PS-P4VP胶束作为模板,通过化学刻蚀法在硅基表面实现了图案化并制备出沉积有银纳米粒子或银纳米簇的多孔硅纳米孔洞结构,实现了硅表面银微纳米结构的图案化,并以R6G为探针分子考察了此类基底的SERS效应。本论文的主要研... 详细信息

应用嵌段共聚物PS-P4VP胶束作为模板,通过化学刻蚀法在硅基表面实现了图案化并制备出沉积有银纳米粒子或银纳米簇的多孔硅纳米孔洞结构,实现了硅表面银微纳米结构的图案化,并以R6G为探针分子考察了此类基底的SERS效应。本论文的主要研究内容如下：1.硅基表面图案化及图案化银微纳米结构的制备用嵌段共聚物PS-P4VP胶束模板在硅表面制备出了图案化的多孔硅纳米孔洞(PSi-NH)结构。并通过化学沉积法在共聚物模板上制备了图案化的银微纳米结构,即沉积有银纳米粒子或银纳米簇的多孔硅纳米孔洞结构(AgNCs/PSi-NH),该方法可以将银纳米粒子/银纳米簇选择性沉积在PVP胶束核的位置,从而可以制备出排列有序的银微纳米结构。我们制备出的AgNCs/PSi-NH基底纳米粒子沉积位置可控,粒径范围较小,且易于制备,成本低,具有良好的重现性和稳定性,可广泛应用于表面分析或表面增强测量方面。2.R6G分子在图案化银微纳米结构上的SERS效应的研究使用罗丹明6G(R6G)作为探针分子,研究了不同反应时间的AgNCs/PSi-NH基底的SERS效应,实验结果发现反应15min的AgNCs/PSi-NH基底具有良好的SERS效应,其SERS增强因子可达103倍;研究了不同浓度的R6G分子在该基底上的SERS效应,实验证明该基底可以检测到1μmol/L R6G,并对R6G分子在基底上的吸附取向和吸附方式做出了合理解释;本论文还对比了AgNCs/PSi-NH基底与硅表面普通沉银基底(AgNCs/PSi)的SERS效应,证明该基底与连续银膜基底的SERS增强因子相当,均在103-104范围内,文章详细归属了每一个SERS峰位,并对SERS机理做出了一定的解释。

关键词：微纳米结构图案化 SERS 银纳米粒子硅表面金属纳米粒子拉曼嵌段共聚物基表面银膜