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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 等离子体纯化
  • 1 篇 离子刻蚀
  • 1 篇 阴极鞘层
  • 1 篇 硅粉粒

机构

  • 1 篇 华中科技大学
  • 1 篇 广西工学院

作者

  • 1 篇 陈正强
  • 1 篇 许淑慧
  • 1 篇 王敬义
  • 1 篇 冯信华

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=硅粉粒"
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排序:
硅粉在鞘区内的纯化速率模型
收藏 引用
华中科技大学学报(自然科学版) 2006年 第5期34卷 53-55,67页
作者: 许淑慧 王敬义 冯信华 陈正强 广西工学院电子信息与控制工程系 广西柳州545006 华中科技大学电子科学与技术系 湖北武汉430074
分析了粉粒在反应区的沉降过程,导出了沉降的最大速度及时间的公式,给出了离子在不同位置上的平均动能及粒子通量.还对高能中性粒子在鞘区内的行为进行了详细的分析并得出在不同位置上的平均动能和通量.它可用于计算空间不同位置处包括... 详细信息
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