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主题

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机构

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作者

  • 2 篇 赵元富
  • 1 篇 王方
  • 1 篇 李俊峰
  • 1 篇 王宗畔
  • 1 篇 谷纯芝
  • 1 篇 刘昶时
  • 1 篇 姚伦
  • 1 篇 张玲珊
  • 1 篇 赵颖
  • 1 篇 吾勤之
  • 1 篇 熊绍珍
  • 1 篇 刘显明
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  • 1 篇 高剑侠
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  • 1 篇 李金华
  • 1 篇 周祯华
  • 1 篇 王丽莉
  • 1 篇 桑莉莎
  • 1 篇 雷淼

语言

  • 6 篇 中文
检索条件"主题词=硅栅器件"
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WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析
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固体电子学研究与进展 1996年 第4期16卷 348-351页
作者： 竺士炀 林成鲁 高剑侠 李金华 中国科学院上海冶金研究所 信息功能材料国家重点实验室中国科学院新疆物理研究所江苏石油化工学院功能材料实验室
用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线... 详细信息
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Al:Ti合金栅a-Si TFT研究
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Journal of Semiconductors 1997年 第10期18卷 771-775页
作者： 熊绍珍 赵颖 王宗畔 谷纯芝 王丽莉 李俊峰 周祯华 代永平 姚伦 南开大学光电子所光学信息技术科学开放研究实验室 天津300071
本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐... 详细信息
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硅棚MOS结构的辐射感生界面态
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微电子学与计算机 1989年 第12期6卷 7-11页
作者： 张玲珊 吾勤之 刘昶时 王方 赵元富 甘勇 中科院新疆物理研究所 骊山微电子公司
本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?... 详细信息
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硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究
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半导体技术 1997年 第4期13卷 22-25页
作者： 赵元富 西安微电子技术研究所
详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射偏置下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响。结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主... 详细信息
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3μmSi栅CMOS产品PCM测试方法分析及测试程序开发
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微电子技术 1996年 第1期24卷 57-70页
作者： 桑莉莎 雷淼 中国华晶电子集团公司MOS一厂PCM组 无锡214061
本文介绍了一种分布在划片槽内的PCM结构的测试方法。使用美国Keithley公司的S425参数测试系统，以3μmSi栅CMOS产品为研究对象，建立了一套全新的PCM测试方法并开发成功了完整的测试程序。阐述了在半导体MOS生产线监控中的应用前景及... 详细信息
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先栅氧后场氧化MOS工艺研究
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微电子技术 1996年 第3期24卷 31-34页
作者： 刘显明 中国华晶电子集团公司中央研究所 无锡214035
常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素，使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上改变这种流程，利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层，可明显改善栅介质层质量，简... 详细信息
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