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Journal of Semiconductors 1991年第7期12卷 435-440页

作者：高维滨中国科学院半导体研究所北京100083

用XROI(X-Ray/Optics Interferometry)法测得高精度的Si(220)面间距,22.5℃为192015.902±0.019 fm.并发展了晶格常数超高精度测量传递方法.本文根据传递测量的原理及测量技术阐明了对标准晶体制备的要求.文中给出了我们的标准晶体的尺... 详细信息

用XROI(X-Ray/Optics Interferometry)法测得高精度的Si(220)面间距,22.5℃为192015.902±0.019 fm.并发展了晶格常数超高精度测量传递方法.本文根据传递测量的原理及测量技术阐明了对标准晶体制备的要求.文中给出了我们的标准晶体的尺寸,一个样品晶体的测量曲线.

关键词：硅晶格测量标准晶体制造

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Reduction and compensation of lattice stress in high energy P^+ and P+Sb implanted silicon

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Nuclear Science and Techniques 2000年第2期11卷 85-90页

作者： WU Yu-Guang ZHANG Tong-He ZHAO Shou-Nan ZHU Zhong-Hua(Key Laboratary for Radiation Beam Technology and Materials Modification,Institute of Low Energy Nuclear Physics (Beijing Radiation Center), Beijing Normal University, Beijing 100875 South China Uni Key Laboratary for Radiation Beam Technology and Materials Modification Institute of Low Energy Nuclear Physics Beijing Radiation Center Beijing Normal University Beijing 100875 South China University of Technology Guangzhou 510064

The relations of variation of lattice stress to shape, peak concentrations of the P atom depth profile and Sb doses of P+Sb dual implantation were studied in high energy P implantation silicon. The experimental results show that the lattice stress in P-implanted silicon obviously increases with increasing ion dose. The stress of P-implanted silicon with the dose of 2×1013/cm2 is 2.2 times greater than at a dose of 3.6×1012/cm2. The stress decreases rapidly as the annealing time *** is very interesting that the stress has a negative value when the concentration of P atoms in the implanted layer is below 6×1016/cm3, whereas the stress becomes positive when the concentration is greater than 6×16/cm3. The stress increases rapidly with increasing Sb ion dose after P implantation. The stress has a positive value before annealing. If the Sb dose is below 1 ×1016/cm2, the stress is negative after annealing,and it is positive when the Sb dose is higher than 1×1016/cm2. The stress is close to zero for a Sb implantation dose of 1×1016/cm2. The best compensation dose of Sb to P implantation dose of 3×1016/cm2 is 1×1016/cm2.

关键词：双重掺杂半导体缺陷离子掺杂硅晶格磷铅

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