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硅微尖上金刚石膜的生长

吉林大学自然科学学报 1996年第3期 59-61页

作者：元光金亿鑫金长春宋航张宝林宁永强蒋红周天明李树伟中国科学院长春物理研究所

采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射线衍射方法对金刚石膜进行了研究．

关键词：硅微尖金刚石生长薄膜微波等离子体

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硅微尖的场发射电子能谱

硅微尖的场发射电子能谱

作者：宋翠华中国海洋大学

学位级别：硕士

在信息日益发达的社会里,信息显示器件具有非常重要的地位。阴极射线管(cathode ray tube: CRT)显示是最早的,最成熟的,也是性能价格比最高的信息显示技术,但CRT存在体积庞大,笨重等缺陷。场发射显示技术是能够保留CRT显示质量,并使之... 详细信息

在信息日益发达的社会里,信息显示器件具有非常重要的地位。阴极射线管(cathode ray tube: CRT)显示是最早的,最成熟的,也是性能价格比最高的信息显示技术,但CRT存在体积庞大,笨重等缺陷。场发射显示技术是能够保留CRT显示质量,并使之平板化的重要的平板显示技术。场发射阴极是场发射平板显示的关键,深入理解场发射的机制是开发高效场发射阴极的基础。但是至今为止,只有金属的场发射理论即Fowler-Nordheim理论是人们普遍接受和公认的。其它材料如半导体材料、纳米材料等的场发射过程有时并不遵循Fowler-Nordheim理论。硅材料是人们最为熟悉的半导体材料,研究硅材料的场发射机理有助于深入了解半导体材料的场发射机制。场发射电子能谱是探索场发射机理的重要的工具。本文利用金属的场发射理论,结合半导体能带理论,计算了n型硅的场发射电子能谱,并与n型硅场发射电子能谱的实验测量结果进行比较分析,探讨了半导体硅的场发射机制。首先采用有限元方法求解了金属尖端的电场分布,在此基础上,求得了硅微尖的近似电场分布。根据硅微尖的电场分布,计算了硅的能带弯曲,并结合金属的场发射电子能谱基础,得到了硅的场发射电子能谱。对温度、掺杂浓度、介电常数等因素对硅场发射电子能谱的影响进行了讨论。计算得到的结果基本与实验结果相符合。同时对实验和计算结果的差异进行了分析讨论。

关键词：场发射电子能谱硅微尖有限元能带弯曲

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一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极

发光学报 1999年第1期20卷 81-85页

作者：王维彪金长春梁静秋姜锦秀刘乃康姚劲松赵海峰王永珍范希武中国科学院长春物理研究所中国科学院长春光学精密机械研究所

主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖．通过实验，调整了腐蚀剂的组成。

关键词：微电子硅微尖冷阴极化学刻蚀一步湿法腐蚀

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在硅微尖上生长金刚石膜的研究

Journal of Semiconductors 1997年第1期18卷 1-3页

作者：元光金亿鑫金长春宋航张宝林宁永强蒋红周天明李树伟中国科学院长春物理研究所长春130021

利用微波等离子体方法在硅微尖阵列上生长了金刚石膜，并利用SEM和X射线衍射对金刚石膜进行了研究．

关键词：硅微尖金刚石膜硅生长

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场渗透对n型硅场发射电子能谱的影响

场渗透对n型硅场发射电子能谱的影响

作者：高桂超中国海洋大学

学位级别：硕士

平板显示技术是当今社会发展的趋势,场发射显示是非平板显示-阴极射线管显示(CRT)的平板化,具有分辨率高、色彩再现性好、对比度高、响应速度快、工作温度范围宽、电磁辐射小、易于实现数字化显示等优点。场发射显示的核心技术是场发射... 详细信息

平板显示技术是当今社会发展的趋势,场发射显示是非平板显示-阴极射线管显示(CRT)的平板化,具有分辨率高、色彩再现性好、对比度高、响应速度快、工作温度范围宽、电磁辐射小、易于实现数字化显示等优点。场发射显示的核心技术是场发射电子源,即阴极技术,研究场发射阴极材料是降低其成本的重要途径之一。硅基的场发射电子源可以实现与微电子器件的兼容,研究半导体硅的场发射是非常有意义的。半导体的场发射理论并不成熟,它的场发射要比金属复杂的多。深入理解半导体场发射的机制是开发高效场发射阴极的基础,场发射电子能谱包含着丰富的场发射信息,它是研究场发射机理的最重要的手段。本论文通过数值模拟,计算了n型硅的电场渗透和硅的电子能带结构,讨论了电场渗透对半导体硅的场发射能谱的影响。在本文中,首先利用数值模拟的方法计算了n型硅微尖的场发射尖端内部的电势分布、电场分布以及电荷密度分布,并系统地研究了掺杂浓度、温度变化、栅极电压对电场渗透的影响,进而讨论电场渗透对微尖表面能带弯曲的影响,发现由于电场渗透引起的表面能带弯曲将导致场发射电子能谱向低能一侧偏移,计算得到的能谱偏移基本符合实验结果。其次利用第一原理计算软件Quantum-Espresso软件包中的PWSCF模式模拟硅的能带结构和态密度,并结合电场渗透的结果讨论了半导体硅的场发射能谱结构,发现场渗透现象将引起其他导带的电子产生场发射,导致场发射能谱出现多峰结构。

关键词：场发射硅微尖场渗透电子能谱

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电子器件基础

电子科技文摘 1999年第8期 25-26页

9914973浸渍式阴极电子枪清洗工艺的探讨[刊]/鲍湲/光电子技术.—1999,19(1).—79～82(Y)探讨了使用浸渍式阴极电子枪的清洗(?),通过试验采用了与原来氧化物阴极电子枪清洗的不同方法,从而改善了使用浸渍式阴极电子枪的发射与寄生发射... 详细信息

9914973浸渍式阴极电子枪清洗工艺的探讨[刊]/鲍湲/光电子技术.—1999,19(1).—79～82(Y)探讨了使用浸渍式阴极电子枪的清洗(?),通过试验采用了与原来氧化物阴极电子枪清洗的不同方法,从而改善了使用浸渍式阴极电子枪的发射与寄生发射等性能,并提高了彩管的品质。

关键词：硅微尖多碱光电阴极光谱响应曲线类金刚石薄膜磁偏转系统湿法化学刻蚀电子器件曲率半径真空科学冷阴极场发射

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薄膜材料与器件

中国光学 2002年第6期16卷 52-52页

O484.4 2002064340具有铌化合物薄膜硅微尖 FEA 的场发射性能=Field e-mission characteristics of silicon-tip FEA with Nblayers[刊,中]/季旭东(华东电子集团公司,南京(210028))∥光电技术.—2002,43(2).—46-49介绍了在硅微尖 FEA ... 详细信息

关键词：场发射性能硅微尖铌化合物光电技术发射微尖有限元分析器件集团公司薄膜材料薄膜技术