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场致发射硅尖阵列的研制

北京理工大学学报 2003年第5期23卷 638-640页

作者：吴海霞仲顺安李文雄邵雷鲁雪峰北京理工大学信息科学技术学院电子工程系北京100081

研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀... 详细信息

研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性.

关键词：真空微电子器件湿法腐蚀场致发射阴极阵列硅尖

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硅尖的制备及在传感器技术中的应用

传感器技术 2003年第6期22卷 58-61页

作者：王艳华王明亮孙道恒马海阳厦门大学机电系福建厦门361005

介绍了硅尖的制备及其在传感器技术中的应用。硅尖的制备方法可与现代IC工艺兼容且易削尖,故比其它材料微尖更实用。硅尖的应用随着制备工艺的改进与其它相关技术的进步必将得到新的开发。

关键词：硅尖刻蚀微加工技术传感器

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硅尖上纳米金刚石膜场发射性质的研究

真空科学与技术 2002年第B12期22卷 23-25,29页

作者：王蜀霞重庆大学数理学院，重庆400044

本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜，并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质，实验结果表明，硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平面上生长的多晶金刚石膜比较，有了极大的提高，硅尖上纳米金刚石膜场发射开启电场最小... 详细信息

本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜，并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质，实验结果表明，硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平面上生长的多晶金刚石膜比较，有了极大的提高，硅尖上纳米金刚石膜场发射开启电场最小为2.7V/μm，而多晶金刚石膜为4.5V/μm。利用电子隧穿模型对实验结果进行了理论分析，研究表明实验结果与理论分析相符合。

关键词：纳米金刚石膜场发射性质电子场发射 CVD 硅尖热灯丝

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硅尖的制备及应用

微电子技术 2003年第5期31卷 60-64页

作者：王艳华马海阳孙道恒厦门大学机电系 2000研厦门361005

本文介绍了硅尖的制备及其在不同领域的应用。硅尖的制备方法可与现代IC工艺兼容且易削尖 ,故比其它材料微尖更实用。

关键词：硅尖刻蚀微加工技术

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硅尖上纳米金刚石膜场发射性质的研究

硅尖上纳米金刚石膜场发射性质的研究

沉积在硅尖上的氮化硼薄膜的场发射特性(英文)

中国真空学会五届三次理事会暨学术会议

作者：王蜀霞王万录廖克俊朱亚波方亮王必本重庆大学数理学院

本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜,并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质。实验结果表明,硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平面上生长的多晶金刚石膜比较,有了极大的提高。硅尖上纳米金刚石膜场发射开启电场最小为2... 详细信息

本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜,并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质。实验结果表明,硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平面上生长的多晶金刚石膜比较,有了极大的提高。硅尖上纳米金刚石膜场发射开启电场最小为2.7 V/μm,而多晶金刚石膜为4.5 V/μm。利用电子隧穿模型对实验结果进行了理论分析,研究表明实验结果与理论分析相符合。

关键词：纳米金刚石电子场发射 CVD 硅尖

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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延边大学学报（自然科学版） 2009年第1期35卷 36-39,85页

作者：姜坤李媛顾广瑞延边大学理学院物理系吉林延吉133002

利用射频磁控溅射方法,在硅尖上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,与沉积在硅片上的BN薄膜比较,沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射特性... 详细信息

利用射频磁控溅射方法,在硅尖上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,与沉积在硅片上的BN薄膜比较,沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射特性明显提高.开启电场为8 V/μm,最高发射电流为300μA/cm2.沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射FN曲线为两段直线,这可能是由于电子发射源于硅尖的尖部和根部造成的.

关键词： BN薄膜场发射硅尖

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各向异性腐蚀制备纳米硅尖

微纳电子技术 2008年第12期45卷 724-728页

作者：石二磊崔岩夏劲松王立鼎大连理工大学微纳米技术及系统辽宁省重点实验室辽宁大连116023 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连116023

采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇(IPA)对硅尖形状的影响。设计了硅尖制作的工艺流程,制备了形状不同、纵横比值为0.52～2.1的硅尖,并结合晶面相交模型,提出了硅尖晶面... 详细信息

采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇(IPA)对硅尖形状的影响。设计了硅尖制作的工艺流程,制备了形状不同、纵横比值为0.52～2.1的硅尖,并结合晶面相交模型,提出了硅尖晶面的判别方法,讨论了实验中出现的{411}和{331}晶面族两种硅尖晶面类型,实验结果和理论分析相一致。通过分析腐蚀溶液的质量分数和添加剂对{411}、{331}晶面族腐蚀速度的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数。实验结果表明:当正方形掩模边缘沿晶向时,在78℃、质量分数40的KOH溶液中腐蚀硅尖,再经980℃干氧氧化3h进行锐化削尖,可制备出纵横比大于2、曲率半径达纳米量级的硅尖阵列。

关键词：硅尖各向异性氧化削尖晶面掩模

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掩模偏转方向对硅尖形状的影响

光学精密工程 2009年第8期17卷 1865-1869页

作者：崔岩石二磊夏劲松王立鼎大连理工大学微纳米技术及系统辽宁省重点实验室辽宁大连116023 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连116023

为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅... 详细信息

为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅尖形状的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数。实验结果表明:当腐蚀溶液浓度和温度一定时,正方形掩模的方向并不影响快腐蚀晶面的类型,利用正方形掩模的偏转,可以制备出八面体和四面体的硅尖。当正方形掩模边缘沿〈110〉晶向时,在78℃、浓度为40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,经980℃干氧氧化3h进行削尖,可制备出纵横比>2的八面体纳米硅尖阵列,硅尖侧壁由与(100)面夹角为76.37°的{411}晶面组成。

关键词：硅尖各向异性氧化削尖掩模

含添加剂的各向异性腐蚀液中实现小掩膜下高硅尖的腐蚀

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电子器件 2008年第5期31卷 1550-1552,1558页

作者：卢少勇韩建强李青王疆英陈志强中国计量学院MEMS器件研究室杭州310018

各向异性KOH溶液腐蚀硅尖具有简单、易于实现、成本低廉、(100)晶面腐蚀速率均匀等优点。然而在40%KOH溶液中削角速率和(100)晶面的腐蚀速率之比约为1.6～1.9,并且该比值随着KOH浓度的减小而增大。如此高的削角速率会给AFM探针的制作带... 详细信息

各向异性KOH溶液腐蚀硅尖具有简单、易于实现、成本低廉、(100)晶面腐蚀速率均匀等优点。然而在40%KOH溶液中削角速率和(100)晶面的腐蚀速率之比约为1.6～1.9,并且该比值随着KOH浓度的减小而增大。如此高的削角速率会给AFM探针的制作带来技术上的困难。而对腐蚀场发射器件和隧道式传感器的硅尖阵列来说,高的削角速率会减少单位面积内的硅尖数量。本文通过在氢氧化钾(KOH)或者四甲基氢氧化胺(TMAH)溶液中添加适当的添加剂(如异丙醇(IPA)、1,5戊二醇或碘)降低了削角速率,在较小直径的掩膜下腐蚀出高硅尖。实验结果还表明:在TMAH基腐蚀液中每个硅尖的八个快腐蚀面的削角速率几乎相等,硅尖直径偏差较KOH溶液中腐蚀的硅尖直径偏差更小,因此成品率得到了提高。

关键词： AFM探针削角硅尖无掩膜腐蚀