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文献类型

  • 3 篇 期刊文献
  • 1 篇 学位论文

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  • 4 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程(可...
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    • 1 篇 电气工程
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    • 1 篇 物理学

主题

  • 4 篇 硅外延材料
  • 3 篇 均匀性
  • 2 篇 化学气相沉积
  • 1 篇 快速恢复外延二极...
  • 1 篇 多晶硅材料
  • 1 篇 质量管控
  • 1 篇 厚度
  • 1 篇 纳米半导体
  • 1 篇 单晶硅
  • 1 篇 氮化镓
  • 1 篇 产能
  • 1 篇 半导体材料
  • 1 篇 超快软恢复二极管
  • 1 篇 碳化硅
  • 1 篇 电阻率
  • 1 篇 硅基材料
  • 1 篇 量子阱
  • 1 篇 现状

机构

  • 2 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 中国电子材料行业...

作者

  • 2 篇 李明达
  • 1 篇 李普生
  • 1 篇 陈召萍
  • 1 篇 管丕恺
  • 1 篇 陈涛
  • 1 篇 薛兵
  • 1 篇 张臣

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=硅外延材料"
4 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
快速恢复外延二极管用150mm高均匀性硅外延材料的制备
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2017年 第5期37卷 366-374页
作者: 李明达 李普生 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220
利用PE3061D型平板式外延炉,在150mm的重掺As的单晶衬底上采用化学气相沉积(CVD)方法制备参数可控且高均匀性的外延层,通过聚光灯、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg CV)等测试设备分别研... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
120 V超快软恢复二极管用大尺寸硅外延材料工艺研究
收藏 引用
材料导报 2017年 第A2期31卷 88-92,106页
作者: 李明达 陈涛 薛兵 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220
硅外延材料具有厚度和电阻率能精确调控、结晶完整性良好的优势,能够有效降低功耗,改善击穿电压,广泛应用于半导体分立器件。外延层厚度、电阻率、均匀性、晶格质量等参数指标直接决定了所制分立器件的良率和性能。通过研究平板式外延... 详细信息
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P型外延材料生长工艺优化设计
P型外延材料生长工艺优化设计
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作者: 陈召萍 东南大学
学位级别:硕士
当前,硅外延材料作为第一大电子功能材料,是集成电路制造的基础和核心,支撑着信息产业和微电子产业的持续发展。其中,P型外延材料广泛应用于超大规模集成电路和分立器件中,是制备多种器件的关键基础材料,直接影响着器件的性能。然而,在... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
半导体材料现状与发展
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中国集成电路 2003年 第46期12卷 99-104页
作者: 管丕恺 张臣 中国电子材料行业协会
前言21世纪,人类将进入'三太'纪元,信息的传输、运算和存储将以以太(1万亿)比特进行。要实行信息技术这一飞跃,半导体产业必须先行。半导体材料是半导体产业的基础。作为第一代半导体材料材料是半导体材料的主流,已有四十余年的历史。
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