检索结果-南通市图书馆

硅基板上Fe掺杂TiO_2氧敏薄膜的制备、结构与性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

无机材料学报 2005年第6期20卷 1467-1474页

作者：张爱芳杜丕一胡岳华翁文剑韩高荣浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 中南大学无机材料系

采用溶胶-凝胶法,以Ti(OC4H9)4为前驱体,用提拉法在硅基板上制备了掺Fe的TiO2氧敏薄膜,对薄膜物相结构进行了X射线衍射(XRD)测定,利用扫描电镜(SEM)对薄膜微结构进行了观察.结果表明:在硅基板上生长的TiO2薄膜中锐钛矿相为均匀小晶粒分... 详细信息

采用溶胶-凝胶法,以Ti(OC4H9)4为前驱体,用提拉法在硅基板上制备了掺Fe的TiO2氧敏薄膜,对薄膜物相结构进行了X射线衍射(XRD)测定,利用扫描电镜(SEM)对薄膜微结构进行了观察.结果表明:在硅基板上生长的TiO2薄膜中锐钛矿相为均匀小晶粒分布结构,金红石相以大尺度团聚结构形貌出现.Fe离子的掺杂对硅基板上制备的TiO2薄膜中金红石相的形成有很大的影响.Fe的掺入降低了金红石相的形成温度约100℃,Fe掺量在6mol% 时,形成金红石相的量达到最大,即析晶能力最强.薄膜中形成晶相的晶格常数在6mol%的高Fe掺量范围内,随Fe掺量的增加,体系缺陷过量增加,晶格结构畸变严重,伴随着畸变能的释放,金红石相的晶格常数c轴逐渐增长,n轴略有下降(或基本不变). TiO2氧敏薄膜的氧敏性能受金红石相含量和氧空位浓度控制.当Fe离子掺杂浓度为6mol% 时,金红石相及相应氧空位达到最大值,TiO2氧敏薄膜的氧敏性能也达到最大值,比刚形成金红石相的薄膜的氧敏性能增加近19倍.

关键词：溶胶-凝胶 Fe离子掺杂 TiO2氧敏薄膜硅基板

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基板表面电沉积法制备HAP涂层及表征

硅酸盐通报 2016年第4期35卷 1188-1191,1197页

作者：岳雪涛田清波张丰庆孙德明孙康宁山东建筑大学材料科学与工程学院济南250101 山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室济南250061

在含有Ca^(2+)和PO_4^(3-)的电沉积液中,以硅基板为阴极,在其表面制备了HAP涂层,并用XRD、SEM、AFM及纳米压痕对涂层进行表征。通过对不同电沉积时间的涂层进行分析,可知加上电压后可以快速的在硅基板表面形成HAP的涂层,随着沉积时间延... 详细信息

在含有Ca^(2+)和PO_4^(3-)的电沉积液中,以硅基板为阴极,在其表面制备了HAP涂层,并用XRD、SEM、AFM及纳米压痕对涂层进行表征。通过对不同电沉积时间的涂层进行分析,可知加上电压后可以快速的在硅基板表面形成HAP的涂层,随着沉积时间延长,晶粒长大,涂层增厚,并在涂层上产生裂纹。由XRD图谱可知在最初阶段形成的HAP晶粒结晶度低,为无定型态状态,随着电沉积时间延长,组成涂层的晶粒结晶程度提高,XRD峰值增大变得尖锐。AFM分析表明晶粒生长均匀,粗糙度较低,纳米压痕测试结果显示涂层的力学性能较低。

关键词：硅基板电沉积 HAP涂层

硅基板上CVD沉积金刚石膜的热扩散率和热导率

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

薄膜科学与技术 1994年第4期7卷 281-288页

作者：顾毓沁余立新

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基板高分子电容湿度传感器

气象水文海洋仪器 1993年第1期10卷 60-63页

作者：山本达夫陆品桢

一、前言最近,湿度传感器不仅在控制环境湿度,追求舒适空间等方面有需求,而且在电气、电子元器件生产、半导体工业、化学、食品工业以及农业等众多产业的生产现场环境控制和产品储存保管环境的湿度管理与控制等方面也都有热切的需求.此... 详细信息

一、前言最近,湿度传感器不仅在控制环境湿度,追求舒适空间等方面有需求,而且在电气、电子元器件生产、半导体工业、化学、食品工业以及农业等众多产业的生产现场环境控制和产品储存保管环境的湿度管理与控制等方面也都有热切的需求.此外,随着微机的价廉与普及,价格低,可靠性高的湿度传感器还可望在家用电器中得到推广应用.

关键词：湿度传感器硅基板高分子电容

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

系统级封装使用的硅基板

今日电子 2005年第10期 56-56,64页

作者：杨建生天水华天科技股份有限公司

近年来,便携式发展和系统小型化的趋势,要求芯片上集成更多不同类型的元器件,如RF IC、各类无源元件、光机电器件、天线、连接器和传感器等.单一材料和标准工艺的SoC受到了限制,在其基础上,快速发展的系统级封装(SiP)在一个封装内不仅... 详细信息

近年来,便携式发展和系统小型化的趋势,要求芯片上集成更多不同类型的元器件,如RF IC、各类无源元件、光机电器件、天线、连接器和传感器等.单一材料和标准工艺的SoC受到了限制,在其基础上,快速发展的系统级封装(SiP)在一个封装内不仅可以组装多个芯片,还可以将上述不同类型的器件和电路芯片叠在一起,构建成更为复杂的、完整的系统.

关键词：系统级封装硅基板电路芯片无源元件元器件小型化便携式电器件 SoC

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

生长碳化硅单晶膜的硅基板

现代化工 2004年第9期24卷 70-70页

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

一种采用硅基板的芯片大小组件封装

集成电路通讯 2004年第4期22卷 12-12页

作者：符正威

新加坡某公司最近宣布可提供一种芯片大小封装组件，这种封装组件采用硅基板，在系统级封装内集成了无源元件和硅集成电路。使用硅基板，一是可以采用薄膜工艺来集成无源元件及增加互连密度，二是可以避免基板与集成电路芯片之间的热胀... 详细信息

新加坡某公司最近宣布可提供一种芯片大小封装组件，这种封装组件采用硅基板，在系统级封装内集成了无源元件和硅集成电路。使用硅基板，一是可以采用薄膜工艺来集成无源元件及增加互连密度，二是可以避免基板与集成电路芯片之间的热胀系数失配。

关键词：硅基板芯片大小组件封装无源元件硅集成电路薄膜工艺

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于硅基板的高速传输线研究

电子工艺技术 2020年第1期41卷 1-4,56页

作者：杨菊李宝霞袁金焕西安微电子技术研究所陕西西安710000

基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S参数表征其传输特性,将设计仿真结果和测试结果进行了对比,其S11曲线吻合较好,但S21曲线差异明显,在2.5 G... 详细信息

基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S参数表征其传输特性,将设计仿真结果和测试结果进行了对比,其S11曲线吻合较好,但S21曲线差异明显,在2.5 GHz,表层传输线S21仿真结果和测试结果相差0.10 dB左右;内层传输线S21仿真结果和测试结果相差最大达1.35 dB。对工艺误差、介质电参数、金属粗糙度等引入传输损耗的因素进行了分析和仿真验证,认为精确控制PI层厚度等工艺参数,是提高传输线性能最关键的方法。

关键词：硅基板传输线 S参数测试

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HEMT用的硅基板

电子材料快报 1998年第1期 1-1页

作者：张忱