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  • 1 篇 硅基应变与弛豫材...
  • 1 篇 生长速率模型
  • 1 篇 生长动力学
  • 1 篇 grove理论

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 金国强

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=硅基应变与弛豫材料"
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硅基应变与弛豫材料的CVD生长动力学模型研究
硅基应变与弛豫材料的CVD生长动力学模型研究
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引用
作者： 金国强 西安电子科技大学
学位级别：硕士
SiGe/Si异质材料的应用越来越广泛,质量良好的SiGe薄膜成为其应用的基础。目前生长SiGe薄膜的方法有多种,其中CVD法的使用较为常见。SiGe薄膜的生长过程非常复杂,与多个因素相关,如温度、压强、气源、流量等,很多研究者都对其生长过程... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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