检索结果-南通市图书馆

信息记录材料 1980年第1期 46-64页

作者：习振刚日本东京索尼公司

发明的背景 1.发明的范围本发明是关于一个磁记录介质,它具有一个非磁性带基和一个磁性层,在这个磁性层上含有可磁化的粒子,此磁性粒子分散在一个含有润滑剂的树脂粘合剂中。

关键词：磁记录介质磁记录材料硅氧碳原子磁性碱原子磁带计算机外围设备硅原子

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硅中电离杂质的扩散问题

南昌大学学报(理科版) 1980年第2期 63-69页

作者：曾庆城江西大学物理系

采用“电解水氧化显微法”,以大约270埃的精度检测了硼、磷杂质通过掩膜窗口在硅中扩散的纵向和横向的深度。讨论了杂质在硅中电离扩散的理论问题,在双扩散工艺的基础上,提出了新生表面层原子的氧化模型,同时给出了显微考证的实验照片。

关键词：掩膜离位有效扩散系数图象自建电场硅原子扩散问题

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用XPS来测量SiO2中辐射引起的损伤

微电子学 1984年第5期 22-27页

作者： F.J.Gruthanger,李荣强喷气推进实验室

在就地XPS测量时采用0～20eV的电子来对生长在硅〈100〉衬底上的器件优质栅氧化物(～850（?）)进行辐射。由于采用了湿纯化学深度剖面法,因此这些结构已被逐渐减薄到25～60（?）。根据氧化物/衬底密度比分析法,推导出了这些结构原子密度... 详细信息

在就地XPS测量时采用0～20eV的电子来对生长在硅〈100〉衬底上的器件优质栅氧化物(～850（?）)进行辐射。由于采用了湿纯化学深度剖面法,因此这些结构已被逐渐减薄到25～60（?）。根据氧化物/衬底密度比分析法,推导出了这些结构原子密度（D）和电子平均自由程（λ）的乘积是深度的函数。也验证了空穴捕获系数变化范围宽的样品。另外,Si+3形式是在Si/SiO2界面处形成,并且只有在它们衰减和消失过程中才能观察到。这些形成物和呈现在界面处的被损伤的Si-O-Si键有关。对硬结构与软结构的辐射在界面处表现出不同的损伤键分布。这些样品的键分离和健损伤变化率的直观现象被用来扩展硅的不透明性,从而解释了固定氧化物和界面态电荷的产生。表明了这个键损伤变化率（BSG）模型是与种种实验性EPR以及离子辐射而产生的空穴、电子陷阱的电观察结果相一致。

关键词：二氧化硅硅原子键合界面态平均自由程电子轻子 SiO2 晶格匹配化学计量基片衬底无定型 XPS

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化学科

中国考试(高考版) 1996年第6期 45-52页

作者：张家登江西省高考化学阅卷组

8.把三氯化铁溶液蒸干灼烧,最后得到的固体产物是（A）无水三氯化铁（B）氢氧化铁（C）氧化亚铁（D）三氧化二铁错例1 错选A。简析:考生单纯从溶液蒸发的角度考虑,认为三氯化铁溶液蒸干灼烧最后得到的固体产物是无水三氯化铁。没有... 详细信息

8.把三氯化铁溶液蒸干灼烧,最后得到的固体产物是（A）无水三氯化铁（B）氢氧化铁（C）氧化亚铁（D）三氧化二铁错例1 错选A。简析:考生单纯从溶液蒸发的角度考虑,认为三氯化铁溶液蒸干灼烧最后得到的固体产物是无水三氯化铁。没有考虑到三氯化铁是强酸弱碱的盐,它在水溶液中全发生水解反应: FeCl2+3H2O Fe（OH）3+3HCl 加热蒸发有利水解反应的进行,在蒸发灼烧过程中生成的HCl挥发。Fe（OH）3灼烧会发生分解反应:2Fe（OH）3Fe2O3+3H2O 因此FeCL3溶液蒸于灼烧,最后得到的固体产物是Fe2O3,而不是无水三氯化铁。

关键词：托盘天平化学式化合物实验现象硅原子氧原子结构简式

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铂在硅中引进的深能级

固体电子学研究与进展 1986年第3期 204-210页

作者：李涵秋陆栋复旦大学现代物理研究所复旦大学现代物理研究所南京固体器件研究所

本文用点群方法分析了铂在硅单晶中引起的晶格畸变,在此基础上对杂质能级作了EHT计算.计算结果与有关的实验数据进行了比较.

关键词：晶格畸变深能级电子能态硅原子定域能级铂原子电子态弛豫杂质原子晶面面(晶体) 晶种正四面体填隙点缺陷不可约表示群表示

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无定形二氧化硅的表面结构

石油化工 1984年第3期 205-212页

作者：高月英顾惕人北京大学化学系

地壳的60％是二氧化硅,因此二氧化硅对人类的重要意义是不言而喻的。它是世界上最古老的一些工业的基础,其中包括玻璃和陶瓷工业、燧石工业等。石油的形成、生命的起源也都与它密切相关。在这些问题中,二氧化硅的表面性质常常起着重要... 详细信息

地壳的60％是二氧化硅,因此二氧化硅对人类的重要意义是不言而喻的。它是世界上最古老的一些工业的基础,其中包括玻璃和陶瓷工业、燧石工业等。石油的形成、生命的起源也都与它密切相关。在这些问题中,二氧化硅的表面性质常常起着重要的作用。特别是近代化学工业和实验室经常用到的多孔硅胶(也是无定形的二氧化硅),就是利用它的表面吸附性质。要想了解表面性质,自然要从表面结构的

关键词：晶面面(晶体) 晶种无定形二氧化硅方石英硅氧矿物硅原子吸附分子水分子氢键化学键化学反应表面结构

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消息

光学仪器 2006年第3期 7-7页

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科技新闻摄影要有新突破

中国记者 1987年第1期 42-43页

作者：刘庆云

科学技术是促进人类社会生活向前发展的最活跃、最积极的因素,人类社会发展的每一个重要进程,无不以科学上的重大发明创造为推动力。邓小平同志在1986年10月18日会见意大利和美国物理学家时说道,实现人类的希望要靠科学,第三世界摆脱贫... 详细信息

科学技术是促进人类社会生活向前发展的最活跃、最积极的因素,人类社会发展的每一个重要进程,无不以科学上的重大发明创造为推动力。邓小平同志在1986年10月18日会见意大利和美国物理学家时说道,实现人类的希望要靠科学,第三世界摆脱贫困要靠科学,维护世界和平也要

关键词：新闻领域发明创造创造发明摄影记者系列照片摄影通讯员舌味蕾硅原子

系列有机硅化合物在297±2K温度下与OH、NO_3根及O_3的气态反应的动力学

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河南广播电视大学学报 1994年第1期9卷 11-14页

作者：郭先怀小楷

目前已确定了［（ＣＨ３）４Ｓｉ）、［（ＣＨ３）３ＳｉＯＳｉ（ＣＨ３）３ＳｉＯ－）］、［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）３）、［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－４）及［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）５］在２９７±２Ｋ温度下与ＯＨ、ＮＯ３... 详细信息

目前已确定了［（ＣＨ３）４Ｓｉ）、［（ＣＨ３）３ＳｉＯＳｉ（ＣＨ３）３ＳｉＯ－）］、［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）３）、［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－４）及［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）５］在２９７±２Ｋ温度下与ＯＨ、ＮＯ３根及Ｏ３的气态反应的速度常数。它们与ＯＨ根ＮＯ３根及Ｏ３的气态反应的速度常数分别为（单位为ｃｍ３／克分子·秒）：［（ＣＨ３）４Ｓｉ］：１．００±１０－１２，＜８×１０－１７，＜７×１０－２１；［（ＣＨ３）３ＳｉＯ（ＣＨ３）３〕：１．３８×１０－１２，＜８×１０－１７，＜７×１０－２１；［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）３］：５．２×１０－１３，＜２×１０－１６，＜３×１０－２０；［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）４］：１．０１×１０－１２，＜２×１０－１６，＜３×１０－２０；［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）５〕：１．５５×１０－１２，＜３×１０－１６，＜３×１０－２０。对于这些化合物的对流层迁移过程，它们与ＮＯ３根及Ｏ３的反应是无关紧要的。在对流层中，这些易挥发的有机硅化合物因与ＯＨ根反应而引起的计算寿命的变化范围为从［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）５）的１０天到［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－〕３］的３０天。

关键词： NO3 有机硅化合物 OH 速度常数迁移过程反应次数硅原子环已烷上限值正庚烷

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世界上最细微的技术

大科技(科学之谜) 1999年第1期 20-20页

作者：薛允连

能将普通的2000份杂志的内容浓缩在一个不足1毫米的小句号里,这恐怕是你想都想不到的。但是,最细微的技术令你大开眼界,你将看到最小的微电子元件,最小的电动机,而最小的火箭发动机只有2.5厘米长。

关键词：微型激光器火箭发动机微电子元件金字塔硅原子扫描隧道显微镜