检索结果-南通市图书馆

微电子学 1989年第3期19卷 59-64页

作者： Marc Wittmer 宋湘云

现代的微电子器件,在重掺杂的硅材料上的自对准结构中采用过渡金属。在硅化物生成期间或生成之后的热处理可能使作基础的硅层中的杂质浓度发生很大的变化。本文讨论了自对准硅化物结构中的各种扩散机理及其对器件性能的影响。

关键词：集成电路硅化物硅结构杂质扩散

TiB、TiC和Y_(2)O_(3)增强钛基复合材料的蠕变行为和组织演变

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Transactions of Nonferrous Metals Society of China 2023年第2期33卷 467-480页

作者：徐丽娟郑云飞梁振泉韩世维薛祥肖树龙田竟陈玉勇哈尔滨工业大学金属精密热加工国家重点实验室哈尔滨150001 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨150001

采用感应熔炼法制备(TiB+TiC)和(TiB+TiC+Y_(2)O_(3))增强钛基复合材料。蠕变试验在650℃和120~160 MPa下进行,通过XRD、SEM和TEM对铸态试样和蠕变试样的显微组织演变进行详细表征。结果表明,两种复合材料的铸态组织均为网篮组织。在相... 详细信息

采用感应熔炼法制备(TiB+TiC)和(TiB+TiC+Y_(2)O_(3))增强钛基复合材料。蠕变试验在650℃和120~160 MPa下进行,通过XRD、SEM和TEM对铸态试样和蠕变试样的显微组织演变进行详细表征。结果表明,两种复合材料的铸态组织均为网篮组织。在相同的蠕变条件下,添加Y_(2)O_(3)的复合材料具有更低的稳态蠕变速率。蠕变后,在α/β界面、溶解的β相和增强体周围有硅化物析出,这些硅化物对位错有很强的钉扎作用。因为存在贯穿TiB晶须的层错结构,所以TiB周围的硅化物尺寸明显大于TiC和Y_(2)O_(3)周围的硅化物尺寸。蠕变变形主要受溶质阻力控制,位错运动还受到α/β界面、增强相和硅化物的影响。

关键词：钛基复合材料显微组织蠕变行为硅化物

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PMUF树脂复合硼、硅化物改性杨木的性能

木材工业 2020年第2期34卷 1-5,9页

作者：刘强强柴宇博刘君良吕文华中国林业科学研究院木材工业研究所北京100091 中国林业科学研究院林业新技术研究所北京100091

采用苯酚-三聚氰胺脲醛(PMUF)树脂及其与硼、硅化物的复合改性剂(PMUF-B、PMUF-Si)浸渍处理人工林杨木。结果表明:与未处理材相比,PMUF、PMUF-B及PMUF-Si三种改性材的密度、抗弯性能、硬度均显著提高,吸湿率和吸水率显著降低,抗胀率均在... 详细信息

采用苯酚-三聚氰胺脲醛(PMUF)树脂及其与硼、硅化物的复合改性剂(PMUF-B、PMUF-Si)浸渍处理人工林杨木。结果表明:与未处理材相比,PMUF、PMUF-B及PMUF-Si三种改性材的密度、抗弯性能、硬度均显著提高,吸湿率和吸水率显著降低,抗胀率均在50%以上,冲击韧性略有降低,氧指数均提高1倍以上,甲醛释放量均≤0.3 mg/L,总挥发性有机化合物(TVOC)释放率均≤0.20 mg/(m2·h),耐腐性能显著提高。

关键词：杨木复合改性剂苯酚-三聚氰胺脲醛树脂硼化物硅化物

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Nb/Si多层膜中晶态硅化物的第一形成相

科学通报 1996年第9期41卷 772-775页

作者：张明于文张君张远仪王文魁中国科学院物理研究所北京100080

近几年,由于硅化物的形成问题在电子器件的应用和基础研究中具有重要的地位,尤其是第一晶态相的形成问题,使它始终是本领域科学工作者的研究方向,金属/硅多层膜中的固相反应已经被广泛地研究,虽然有很多关于金属/硅多层膜固相反应的理... 详细信息

近几年,由于硅化物的形成问题在电子器件的应用和基础研究中具有重要的地位,尤其是第一晶态相的形成问题,使它始终是本领域科学工作者的研究方向,金属/硅多层膜中的固相反应已经被广泛地研究,虽然有很多关于金属/硅多层膜固相反应的理论和模型,但界面反应过程中如何预测第一相的形成仍有许多问题没有解决,硅化物第一相的形成问题是当前固相反应研究的前沿问题,虽然在Nb-Si二元平衡相图中存在着其他晶态相,到目前为止,在关于Nb/Si固相反应的研究报告中只有NbSi_2相在较高的退火温度下形成,实际上,虽然热力学参数可以给出固态反应的反应趋势,但在许多金属/硅多层膜中首先形核长大的相不是自由能最小的晶态硅化物相,也就是说,决定首先形核长大相的不一定是通常的热力学因素,动力学因素也起重要作用.本文讨论了不同沉积温度条件下Nb/Si多层膜的初始相形成和相选择问题,采用高分辨透射电子显微镜和X射线衍射研究界面反应,利用动力学和热力学因素解释Nb/Si多层膜的固相反应过程中晶态硅化物的第一形成相问题.

关键词：多层膜硅化物固态反应硅铌晶态相

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金属硅化物的离子溅射修正

真空科学与技术学报 1991年第1期22卷 45-51页

作者：杨得全张韶红范垂祯兰州物理研究所

低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一些实验现象,用我们提出的理论修正模型计算了离子溅射修正因子... 详细信息

低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一些实验现象,用我们提出的理论修正模型计算了离子溅射修正因子,发现得到的理论修正关系能够较好的解释全部实验结果。此外,用本文的理论修正关系讨论了影响离子溅射修正因子的一些因素,给出了溅射修正因子随原子表面升华能的变化曲线,可望用于金属硅化物离子溅射的定量修正。

关键词：修正因子硅化物半导体器件离子轰击表面偏析俄歇电子谱工艺过程升华热文献报道离子辐照

亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究

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微电子学 2002年第5期32卷 355-356,361页

作者：王万业徐征刘逵无锡微电子科研中心江苏无锡214035

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择... 详细信息

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进 ,有效地解决了问题。

关键词：亚微米集成电路 VLSI制造自对准硅化物硅化物 CMOS器件 IC工艺

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强脉冲金属离子注入制备硅化物

高技术通讯 1993年第9期3卷 1-6页

作者：张通和陈俊孙贵如吴瑜光魏富忠张荟星张孝吉北京师范大学低能核物理研究所有色金属研究总院

用大束流密度金属离子（Ti、Mo、W、Fe、Y、V）注入硅,由于原子间激烈碰撞和靶子温升效应,从而得到性能优良的金属硅化物,包括难熔金属硅化物。实验结果表明:随着束流密度的增大,靶子温度升高,硅化物的生成变得容易。当束流密度为25～50... 详细信息

用大束流密度金属离子（Ti、Mo、W、Fe、Y、V）注入硅,由于原子间激烈碰撞和靶子温升效应,从而得到性能优良的金属硅化物,包括难熔金属硅化物。实验结果表明:随着束流密度的增大,靶子温度升高,硅化物的生成变得容易。当束流密度为25～50μA/cm;时,金属原子与硅原子比约为2/3～1.0,易于生成硅化物M;Si;、MSi和MSi;。而束流密度为75～100μA/cm;注入时,该原子比为1/3～1/2,硅化物的主要成分则为MSi;。用电子显微镜观察所形成的硅化物薄层,发现硅化物的晶粒细小密集。随着束流密度的增大,晶粒长大。薄层电阻测量表明,在50μA/cm;束流密度下注入,薄层电阻值最低。薄层电阻最低已达;数量级。讨论了制备硅化物新方法的特点,这种新技术完全适合于大规模集成电路浅结工艺的要求。

关键词：金属离子注入单晶硅化物

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离子束混合生成钼硅化物的生长动力学

华中师范大学学报（自然科学版） 1991年第3期25卷 285-290页

作者：黄致新华中师范大学物理系

离子束混合(IM)形成铝硅化物的过程中,相的生成及相结构的转变与注入及后退火过程中外界给系统所提供的激活能有关。衬底加温IM时,钼硅化物的生长厚度与注入剂量的平方根成正比(x∝(?)^(1/2));理论分析表明,其生长规律与注入过程的能量... 详细信息

离子束混合(IM)形成铝硅化物的过程中,相的生成及相结构的转变与注入及后退火过程中外界给系统所提供的激活能有关。衬底加温IM时,钼硅化物的生长厚度与注入剂量的平方根成正比(x∝(?)^(1/2));理论分析表明,其生长规律与注入过程的能量淀积密度Δ_v有关,当Δ_v很大时x∝(?)^(1/2),当Δ_v较小时x∝(?)。而且,扩入Mo膜中的氧杂质会明显降低铝硅化物的生长速率。

关键词：钼硅化物生长动力学硅化物 IM

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硅化物高温结构材料的主要进展

稀有金属快报 2001年第3期20卷 17-18页

作者：张德尧西北有色金属研究院西安710016

现代科学技术,尤其是军事科学技术的发展,不断地提高了对高温氧化环境下工作材料的苛刻要求.目前,工作在1000℃以下的高温抗氧化材料主要有镍基、钴基超合金和金属间铝化物材料,而能工作在1000℃以上的材料,具有优良的抗氧化和高温强度... 详细信息

现代科学技术,尤其是军事科学技术的发展,不断地提高了对高温氧化环境下工作材料的苛刻要求.目前,工作在1000℃以下的高温抗氧化材料主要有镍基、钴基超合金和金属间铝化物材料,而能工作在1000℃以上的材料,具有优良的抗氧化和高温强度结合的材料,必须瞄准先进的硅基陶瓷材料、金属间化合物材料和硅化物材料,下表列出了MoSi2硅化物材料和结构陶瓷材料的优缺点,表明了这两类材料巨大的应用潜力及存在的缺陷.

关键词：高强结构材料硅化物二硅化钼硅基陶瓷

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化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物

微电子学 1990年第3期20卷 13-20页

作者：于宗光无锡微电子科研中心

本文综述了化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物研究方面的最新进展,并对它们进行了讨论。

关键词：化学汽相淀积耐熔金属硅化物