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硅二极管对高功率微波的非线性响应计算
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强激光与粒子束 2000年 第3期12卷 324-326页
作者： 余稳 蔡新华 周传明 方中华 常德师范学院电子学研究所 湖南415000 中国工程物理研究院应用电子学所 绵阳919信箱621900 中国科学院长春光机与物理研究所 长春130022
考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素 ,利用自行研制的半导体器件模拟程序 m PND1 D,对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算 ,结果显示出硅二极管对微波信号响应的非线性。
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纳米硅二极管的电输运特性
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电子学报 1997年 第11期25卷 72-74页
作者： 刘明 余明斌 何宇亮 江兴流 北京航空航天大学非晶态物理研究室
用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定... 详细信息
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硅二极管低温温度计性能实验与分析
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低温与超导 2023年 第6期51卷 77-83页
作者： 李泽宇 蒋燕阳 张成俊 邵峰 邓伟峰 苏州大学能源学院 苏州215000 赋同量子科技(浙江)有限公司 嘉兴314000
主要介绍了一款硅二极管温度计以及其配套干、湿式低温测试系统,对其灵敏度、互换性、测温精度、重复性等进行实验,并拟合了标准特性曲线。结果表明:互换性温差低至±0.2 K@4 K;低温下灵敏度最高可达-38 mV/K;测温精度<12 mK@77 K;适合... 详细信息
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硅二极管阵——一种新型二维光电检测器
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紫金山天文台台刊 1981年 第2期 59-66页
作者： 王传晋
硅二极管阵在天文观测中的应用已日趋广泛。本文简略地介绍这种新型光电检测器的原理,结构和特性;并将它和二种常规检测器(底片和光电倍增管)作了比较。
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硅二极管引线镀锡工艺及镀液维护
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山东电子 1995年 第4期 27-28页
作者： 解学军 临沂半导体厂
该文针对影响硅二极管引线镀锡质量问题，对镀锡工艺及镀液维护进行了研究探索，选择了酸性光亮剂镀锡工艺及其相应的镀液维护方法，经技术检测和生产实践证明；采用该工艺生产硅二极管，不但产品质量好，而且有较大的经济效益。
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硅二极管引线镀锡工艺研究
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临沂师专学报 1995年 第5期29卷 19-21页
作者： 解学军 临沂半导体厂
对影响硅二极管引线镀锡质量的技术问题、镀锡工艺及镀液维护方法进行了研究，选择酸性光充剂镀锡工艺及其相应的镀液维护方法实施生产．
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硅二极管作温度敏感元件在纺织仪器中的应用
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山东纺织科技 1983年 第4期 47-50页
作者： 秦家浩 宋广义 山东省纺织科学研究所
温度是表示物体冷热程度的物理量,它是物体的状态和状态转换的重要参数。常用做温度检测元件有热电偶、金属热电阻、半导体热敏电阻等。上述检测元件可供不同的温度范围选择使用。我们根据几年来的研究与实践向大家推荐一种市售方便、... 详细信息
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硅二极管变换器式功率表
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电测与仪表 1970年 第Z3期 7-8页
本刊69年12期发表“变换器式仪表”一文之后,引起很多读者的关注,特别对功率表的构成很感兴趣,现将我们答复的内容公开发表,并且同时发表两篇数字式功率表的译文,提供同志们参考。——编者
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硅二极管I-V特性及二次击穿计算
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常德师范学院学报（自然科学版） 2000年 第3期12卷 31-33页
作者： 余稳 蔡新华 常德师范学院电子学研究所 湖南常德415000
利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反... 详细信息
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大功率硅二极管反向伏安特性测试仪
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铁道标准设计 1984年 第1期 43-45页
作者： 郑伯祥 陈炳章 铁道部第二勘测设计院站场处
内燃机务段、机车工厂在检修内燃机车时,需要对整流装置的大功率硅二极管做反向伏安特性测试,测定它的反向漏电流是否超过规定允许值。本文介绍的“大功率硅二极管反向伏安特性测试仪”,就是为此目的而设计的专用设备。
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