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基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究

高电压技术 2002年第5期28卷 40-42页

作者：张显斌李琦田立强屈光辉施卫西安理工大学自动化与信息工程学院西安710048

简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限... 详细信息

简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。

关键词：砷化镓材料高功率超快光电导开关光电器件超快电脉冲

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532nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究

量子电子学报 2007年第5期24卷 625-629页

作者：李永富祁海峰王青圃张行愚刘泽金王玉荣魏爱俭夏伟张飒飒山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 国防科技大学光电科学与工程学院湖南长沙410073 山东华光光电子有限公司山东济南250101

利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为偏方向15°。实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损... 详细信息

利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为偏方向15°。实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损伤的方法。实验测得砷化镓的阈值损伤功率密度为2.56×10~5 W/cm^2。利用温度场的热传导方程计算获得材料的损伤阈值时间与入射光功率密度的关系曲线,并与实验曲线进行了比较。

关键词：激光技术激光损伤阈值夫琅和费衍射砷化镓材料 532 nm连续激光热传导

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强激光对砷化镓材料损伤机理的研究

强激光对砷化镓材料损伤机理的研究

作者：李永富山东大学

学位级别：硕士

激光与物质相互作用一直是令人关注的研究领域。近几十年来，激光技术迅猛发展，现在已经渗透进自然科学的各个领域，加快了科学研究的步伐。而在科学研究过程中发现的各种新现象新内容，又极大地促进了激光技术的发展。激光与物质的相... 详细信息

激光与物质相互作用一直是令人关注的研究领域。近几十年来，激光技术迅猛发展，现在已经渗透进自然科学的各个领域，加快了科学研究的步伐。而在科学研究过程中发现的各种新现象新内容，又极大地促进了激光技术的发展。激光与物质的相互作用不仅在自然科学领域受到人们的关注，而且在实际中也得到了广泛应用，如激光加工、激光核聚变、激光薄膜沉积以及激光武器等等。砷化镓材料在很多方面都有着优越的特性，如：直接跃迁型能带，有较高的光电转换效率：电子迁移率高，能够制成高速器件;带隙较大，GaAs器件抗辐射能力强;具有转移电子效应，能够制成耿氏器件等新型功能器件等等，这些都使砷化镓材料得到了广泛的应用，砷化镓成为硅之后最重要的半导体材料。因此，需要对砷化镓进行深入的研究，而激光对砷化镓材料损伤的研究是其中的一个重要方面。本文利用常见的532nm连续激光、1064nm脉冲激光对砷化镓材料进行作用，利用比较新颖的光的衍射和干涉方式对材料的损伤过程进行探测，测得材料在连续激光和脉冲激光下的损伤阈值，通过利用电子探针对材料表面损伤形貌的观察和组分分析，定性地讨论了砷化镓的损伤形式。在实验的基础上，利用很常见的热传导方程对损伤阈值进行了解析计算。最后，对飞秒超短脉冲激光作用下，砷化镓材料的损伤机理、损伤形态以及相应的理论解释进行了简要地介绍。具体内容以及创新点如下： 1．首次提出利用夫琅和费衍射的方法探测532nm连续激光与两种砷化镓材料的作用过程，准确地测得其损伤阈值。利用电子探针观察材料表面的损伤形貌并进行组分分析，发现高温下砷化镓发生分解氧化，砷原子蒸发，表面剩余金属镓以及镓的氧化物。 2．利用很常见的三维热传导方程进行了解析计算，实验及理论计算均表明表面缺陷对材料的损伤阈值有很大的影响。 3．首次提出利用基于Mach-Zehnder干涉仪的干涉方法探测1064nm脉冲激光对两种砷化镓材料的损伤过程，测得材料的损伤阈值。 4．利用电子探针观察单脉冲以及多脉冲激光作用下，材料表面的损伤形貌，发现材料表面的缺陷对损伤形式和阈值有很大的影响，缺陷较多的材料损伤时发生分解并伴随着材料的去除，缺陷少的材料是发生熔化而损伤。利用一维的热传导方程进行了解析计算。 5．对飞秒超短脉冲激光与砷化镓材料的作用机理进行了综述分析，二者的相互作用过程中，伴随着材料表面二次谐波反射信号的下降和表面反射率增强的现象，这是由表层材料的电子态对称性发生变化以及飞秒激光的强电场和超短作用时间导致材料电子系统与晶格系统的不平衡引起的。

关键词：激光损伤阈值夫琅和费衍射砷化镓材料光的干涉热传导电子探针

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石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质

半导体技术 1979年第3期 62-68页

作者：施惠英余海生李连生任尧成江玲娣孙清邹元爔中国科学院上海冶金研究所

本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10;的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ;=9.41×10;～1.22×10;厘米;/伏·秒,n;K=3.77×10;～4.53×10;厘米;。另外,研究了系统漏气及氢中含氧量对浅施... 详细信息

本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10;的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ;=9.41×10;～1.22×10;厘米;/伏·秒,n;K=3.77×10;～4.53×10;厘米;。另外,研究了系统漏气及氢中含氧量对浅施主浓度N;、熔融KOH腐蚀坑密度和生长层表面氧化膜的影响以及这些参数间的相互关系。根据生长层的电学性质,计算了室温迁移率的计算值与实测值之差Δμ300K。发现,后者随N;增加而降低,恰与前一文报导的用石英舟液相外延的情况相反。由此推测,在本文实验条件下,迁移率刽子手的本性也与前文有所不同,而以碳或碳化物较为可能。

关键词：石墨舟砷化镓材料电学性质

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与砷化镓材料相依发展的微波半导体器件

固体电子学研究与进展 1982年第1期 1-10页

作者：韩继鸿

本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前进一步都导致微波器件性能的突破.文中在回顾了微波半导体器件发展历史的同时,指出砷化镓材料所起的重要... 详细信息

本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前进一步都导致微波器件性能的突破.文中在回顾了微波半导体器件发展历史的同时,指出砷化镓材料所起的重要作用.列举了砷化镓材料的特点,比较了几种制备方法,并给出了目前砷化镓微波器件研究和生产的现状、参数水平,最后对材料与器件的前景进行了初步估计.

关键词：微波半导体器件砷化镓材料耿氏二极管半导体材料 GaAs 电工材料电子器件微波器件 MESFET

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中科晶电公司砷化镓材料生产基地投产

化工新型材料 2006年第11期34卷 90-90页

作者：沈镇平

近日，国内最大的砷化镓材料基地一中科晶电信息材料（北京）有限公司正式投产，这标志着我国砷化镓材料生产的集成化、规模化进入一个新阶段。

关键词：砷化镓材料生产基地投产信息材料材料基地材料生产集成化规模化

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我国最大的砷化镓材料生产基地投产